Le constructeur asiatique a annoncé le développement d'une nouvelle puce mémoire, plus petite et consommant moins d'énergie que les technologies actuelles. Une avancée qui pourrait avoir des conséquences importantes sur une grande variété de produits électroniques liés au monde de la mobilité.
Samsung Electronics indique avoir développé la première puce mémoire DRAM (dynamic random access memory) pour appareils mobiles, dotée d'une capacité de stockage de 1 gigabit (Gbit).
Proposer au public des produits dit écologiques, tous les grands fabricants d'appareils électroniques s'y mettent et Samsung ne déroge pas à la règle en proposant pour le marché asiatique, le Samsung W510 et le Samsung F268 fabriqués avec du bio plastique, un matériau naturel extrait du maïs. Modèle à [...]
Toshiba vient d annoncer avoir mis au point une puce de mémoire flash regroupant plusieurs modules sous une seule enveloppe physique. Les 8 modules de mémoire flash NAND de 2 Go, gravés en 56nm, accompagnés de leur controleur forment ainsi une seule puce mémoire de 16 Go. Ce sont les téléphones mobiles, les caméras numériques ainsi que tous les périphériques embarqués gourmands en mémoire flash qui vont être contents...
Si cette puce de 16 Go dev
Elpida vient de dévoiler une puce mémoire FBGA de 512 Mbits gravée en 70nm capable d'atteindre un taux de transfert de l'ordre de 9,6 Go/s (six fois la bande passante d'une puce mémoire DDR2-800). Pour parvenir à de telles performances, le constructeur utilise plusieurs technologies mises au point par Rambus. Le DSRL (Differential Rambus Signaling Level) élimine tout bruit et lisse le signal alors que l'ODR (Octal Data Rate), propre à la technol
Elpida vient de dévoiler une puce mémoire FBGA de 512 Mbits gravée en 70nm capable d'atteindre un taux de transfert de l'ordre de 9,6 Go/s (six fois la bande passante d'une puce mémoire DDR2-800). Pour parvenir à de telles performances, le constructeur utilise plusieurs technologies mises au point par Rambus. Le DSRL (Differential Rambus Signaling Level) élimine tout bruit et lisse le signal alors que l'ODR (Octal Data Rate), propre à la technol
Samsung, le principal fournisseur de mémoire Flash d'Apple
a annoncé un nouveau modèle de mémoire flash ultra-plat, créé
spécialement pour les appareils mobiles.
La puce en question mesure 0.6mm d'épaisseur, soit 40%
plus petit que les modèles actuellement installés sur l'iPhone
3GS. La capacité de chaque puce est de 32GB
Cette puce devrait être intégrée dans la prochaine génération d'iPod
Nano, mais certains imaginent déjà cette nouvelle mémoire dans
le prochain iPhone. A savoir qu'en combinant les puces, on
pourrait atteindre jusqu'à 128 GB de mémoire dans l'iPhone 4eme
génération....
Et vous, seriez vous intéressé par un iPhone 64GB ou 128GB
?
Samsung a annoncé l'arrivée de mémoire OneNAND d'une capacité de 2Go et gravée en 60nm!
Pour rappel, la mémoire OneNAND est une mémoire flash entre mémoire NOR (vitesse de lecture...
Notre équipe éditoriale analyse tous les jours l'actualité pour dégager les tendances dans certains des dossiers que nous suivons. Voici ce qui revient souvent en ce moment (les plus fréquents étant écrits en plus gros) :
