Malgré les efforts de la R&D, les capacités de la mémoire flash Nand arriveront aux derniers retranchements de la physique quantique. Les constructeurs sont déjà en train de trouver des solutions alternatives comme la mémoire flash 3D ou PCM.
Les deux constructeurs de mémoire Flash NAND se sont entendus pour concilier leurs efforts dans la recherche sur la mémoire Flash NAND, et s'autoriser mutuellement à exploiter les technologies de l'autre.
Intel vient d investir 65 millions de dollars dans la société Powertech Technology Inc., un producteur taiwanais de mémoire flash NAND. La NAND et la NOR La mémoire NAND est le type de mémoire flash le plus courant. Relativement bon marché, elle permet de grandes capacités grâce à sa densité élevée. Elle est moins rapide que la NOR en lecture, mais beaucoup plus rapide en écriture (plus précisément au niveau de l effacement des cellules). La mémo
Les principaux acteurs et analystes du marché de la mémoire flash commencent à s accorder sur le fait que l offre risque de devenir insuffisante face à la demande en matière de mémoire flash NAND au cours du second trimestre 2007. Ainsi après l analyse de PQI et l étude de DRAMeXchange, toutes deux réalisées il y a quelques jours, c est au tour de Samsung et d Hynix de donner leur avis.
Les prix unitaires des puces de mémoire NAND 8 Gb fabriquées
Hier, Samsung a annoncé le début de la production en masse de deux versions de ses nouvelles mémoire flash NAND gravées en 30nm. Ces puces équipées de mémoire DDR (double data rate) à coeur multi niveau NAND comme la mémoire ram DDR RAM, peuvent enregistrer 2 fois plus de données par cycle et ainsi être [...]
Samsung continue d'innover sur le marché de la mémoire Flash NAND en annonçant un nouveau module 8 Go MLC gravé en 30 nm et offrant une plus grande densité de stockage.
Toshiba annonce qu'il sera le premier à proposer de la mémoire Flash NAND gravée en 32 nm. Son premier produit, de la mémoire Flash NAND 4 Go, est disponible dès à présent sous forme d'échantillons.
Plus économe en énergie, offrant une meilleure densité et plus de performance, la mémoire flash NAND semble bien placée pour se substituer aux traditionnels disques durs dans de nombreux produits, dont les PC. À condition que son prix baisse.
Le fabricant coréen intensifie ses efforts pour remplacer définitivement les disques durs: il a développé une unité de stockage flash Nand intégrant 16 puces de 2 Go. Elle devrait être disponible dans le courant de l'année.
Le fabricant coréen intensifie ses efforts pour remplacer définitivement les disques durs: il a développé une unité de stockage flash Nand intégrant 16 puces de 2 Go. Elle devrait être disponible dans le courant de l'année.
Samsung nous prouve une fois de plus qu'il est une fois de plus le leader en innovation dans le domaine de la mémoire. Cette fois-ci l'innovation concerne de le mermoire Flash puisque le constructeur coréen vient d'annoncer avoir reussi à quadruplé de la mémoire Flash NAND, il a ainsi présenté un module d’une capacité de 8 Gbits soit environ1 Go. Cette nouvelle celllule de mémoire multi-level canal (MLC) (...)
Samsung vient d annoncer que des puces de mémoire NAND MLC rapides vont bientot être disponibles. La NAND MLC (Multi Layer Cell) est le type de mémoire utilisé dans certaines clés USB et les cartes mémoire des téléphones. La mémoire MLC Il existe deux types de mémoire flash NAND, la MLC et la SLC. La première stocke plusieurs bits dans un transistor (généralement deux) et est moins chère que la SLC (qui n en stocke qu un seul), mais a deux défaut
Toshiba vient d annoncer avoir mis au point une puce de mémoire flash regroupant plusieurs modules sous une seule enveloppe physique. Les 8 modules de mémoire flash NAND de 2 Go, gravés en 56nm, accompagnés de leur controleur forment ainsi une seule puce mémoire de 16 Go. Ce sont les téléphones mobiles, les caméras numériques ainsi que tous les périphériques embarqués gourmands en mémoire flash qui vont être contents...
Si cette puce de 16 Go dev
Toshiba déclare aujourd'hui avoir conçu de la mémoire NAND Flash a forte densité.
Le principe de fabrication consiste à assembler les cellules de mémoire en 3 dimensions et d'ainsi augmenter la densité de stockage.
La technologie de Toshiba empile verticalement les couches d'interconnexions et fait passer au travers des piliers de cellules de mémoire.
Il est alors possible [...]
Toshiba propose des puces de mémoire flash SLC en 43 nm.