Le deuxième fabricant mondial de cartes mémoire flash NAND veut rattraper le coréen Samsung. Pour gagner en productivité, il mise sur la finesse de gravure de ses puces, en passant de 56 nanomètres à 43 nanomètres dès 2008.
Samsung vient d'annoncer officiellement le début de la production massive de mémoire NAND Flash de 8Go (gravé en 60 nanomètres). Une très bonne nouvelle quand on sait que la mémoire flash de...
Les deux constructeurs de mémoire Flash NAND se sont entendus pour concilier leurs efforts dans la recherche sur la mémoire Flash NAND, et s'autoriser mutuellement à exploiter les technologies de l'autre.
Samsung continue d'innover sur le marché de la mémoire Flash NAND en annonçant un nouveau module 8 Go MLC gravé en 30 nm et offrant une plus grande densité de stockage.
Hier, Samsung a annoncé le début de la production en masse de deux versions de ses nouvelles mémoire flash NAND gravées en 30nm. Ces puces équipées de mémoire DDR (double data rate) à coeur multi niveau NAND comme la mémoire ram DDR RAM, peuvent enregistrer 2 fois plus de données par cycle et ainsi être [...]
Samsung nous prouve une fois de plus qu'il est une fois de plus le leader en innovation dans le domaine de la mémoire. Cette fois-ci l'innovation concerne de le mermoire Flash puisque le constructeur coréen vient d'annoncer avoir reussi à quadruplé de la mémoire Flash NAND, il a ainsi présenté un module d’une capacité de 8 Gbits soit environ1 Go. Cette nouvelle celllule de mémoire multi-level canal (MLC) (...)
Samsung et Toshiba viennent d'annoncer un accord permettant aux deux compagnies de fabriquer et vendre les mémoires NAND de de l'autre, ce qui devrait apporter une réponse aux problèmes de stock. Huston, on a un problème Il faut dire que la demande en NAND est de plus en plus forte. Au troisième trimestre 2007, les ventes mondiales ont progressé de 37 % pour atteindre 4,2 milliards de dollars (cf. « Les ventes de mémoires flash NAND en hausse »)
Les groupes d'électronique diversifiés japonais Toshiba et sud-coréen Samsung Electronics ont annoncé lundi un accord de licence réciproque permettant à chacun de produire, promouvoir et vendre des mémoires flash NAND basées sur les spécifications techniques de l'autre.
Samsung vient d annoncer que des puces de mémoire NAND MLC rapides vont bientot être disponibles. La NAND MLC (Multi Layer Cell) est le type de mémoire utilisé dans certaines clés USB et les cartes mémoire des téléphones. La mémoire MLC Il existe deux types de mémoire flash NAND, la MLC et la SLC. La première stocke plusieurs bits dans un transistor (généralement deux) et est moins chère que la SLC (qui n en stocke qu un seul), mais a deux défaut
Une panne du centre de production de mémoire Flash NAND de Samsung Electronics pourrait faire grimper les prix d'un marché stagnant.
Les deux acteurs informatiques ont passé un accord pour concevoir de façon conjointe une mémoire Flash Nand de type SLC (Sign... Samsung et Sun s'unissent dans la mémoire Flash Nand SLC target=_blank>
Les principaux acteurs et analystes du marché de la mémoire flash commencent à s accorder sur le fait que l offre risque de devenir insuffisante face à la demande en matière de mémoire flash NAND au cours du second trimestre 2007. Ainsi après l analyse de PQI et l étude de DRAMeXchange, toutes deux réalisées il y a quelques jours, c est au tour de Samsung et d Hynix de donner leur avis.
Les prix unitaires des puces de mémoire NAND 8 Gb fabriquées
Samsung vient d'annoncer de la mémoire flash MLC qui utilise une finesse de gravure de 30 nanomètres ! La production devrait commencer en 2009 et servir principalement à fabriquer des disques...
Intel et Micron viennent de présenter la première puce NAND (Flash) 25 nanomètres. Cette puce, produite par la joint venture ...
La technologie des mémoires flash de type Nand atteindra très vite ses limites, que lui imposeront les lois de la physique quantique. De l'aveu même des fabricants, notamment Sandisk, Toshiba ou Samsung, qui étudient déjà des technologies alternatives.
