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Mémoire Flash NAND de 30nm chez Samsung

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 Actualités

Voici une compilation des sources d'information sur ce sujet :

Mémoire Flash NAND de 30nm chez Samsung... ()

Hier, Samsung a annoncé le début de la production en masse de deux versions de ses nouvelles mémoire flash NAND gravées en 30nm. Ces puces équipées de mémoire DDR (double data rate) à coeur multi niveau NAND comme la mémoire ram DDR RAM, peuvent enregistrer 2 fois plus de données par cycle et ainsi être [...]

Samsung propose de la NAND MLC rapide... ()

Samsung vient d annoncer que des puces de mémoire NAND MLC rapides vont bientot être disponibles. La NAND MLC (Multi Layer Cell) est le type de mémoire utilisé dans certaines clés USB et les cartes mémoire des téléphones. La mémoire MLC Il existe deux types de mémoire flash NAND, la MLC et la SLC. La première stocke plusieurs bits dans un transistor (généralement deux) et est moins chère que la SLC (qui n en stocke qu un seul), mais a deux défaut

Samsung / Toshiba : entente sur la mémoire Flash NAND... ()

Les deux constructeurs de mémoire Flash NAND se sont entendus pour concilier leurs efforts dans la recherche sur la mémoire Flash NAND, et s'autoriser mutuellement à exploiter les technologies de l'autre.

Samsung prépare sa mémoire Flash NAND gravée en 60 nm... ()

Samsung nous prouve une fois de plus qu'il est une fois de plus le leader en innovation dans le domaine de la mémoire. Cette fois-ci l'innovation concerne de le mermoire Flash puisque le constructeur coréen vient d'annoncer avoir reussi à quadruplé de la mémoire Flash NAND, il a ainsi présenté un module d’une capacité de 8 Gbits soit environ1 Go. Cette nouvelle celllule de mémoire multi-level canal (MLC) (...)

Le prix de la mémoire flash NAND remonte... ()

Les principaux acteurs et analystes du marché de la mémoire flash commencent à s accorder sur le fait que l offre risque de devenir insuffisante face à la demande en matière de mémoire flash NAND au cours du second trimestre 2007. Ainsi après l analyse de PQI et l étude de DRAMeXchange, toutes deux réalisées il y a quelques jours, c est au tour de Samsung et d Hynix de donner leur avis. Les prix unitaires des puces de mémoire NAND 8 Gb fabriquées

Hynix grave sa mémoire flash en 48nm... ()

Alors que la production de puces mémoires flash NAND gravées en 57nm n'est effective que depuis le troisième trimestre 2007 chez Hynix, le constructeur vient d'annoncer son intention de produire en masse de la mémoire flash NAND gravée en 48nm dès le début de l'année 2008. Hynix en avance Après avoir connu un retard face à ses principaux concurrents Samsung Electronics et Toshiba, Hynix pourrait donc bien être le premier fabricant à utiliser une

8Go flash en masse chez Samsung !... ()

Samsung vient d'annoncer officiellement le début de la production massive de mémoire NAND Flash de 8Go (gravé en 60 nanomètres). Une très bonne nouvelle quand on sait que la mémoire flash de...

Nouvelle mémoire Flash NAND gravée en 30 nm chez Samsung... ()

Samsung continue d'innover sur le marché de la mémoire Flash NAND en annonçant un nouveau module 8 Go MLC gravé en 30 nm et offrant une plus grande densité de stockage.

Samsung moviMCP : la mémoire des téléphones 3G... ()

Samsung vient de dévoiler une nouvelle puce qui promet de pousser encore plus loin la miniaturisation des téléphones portables. Le moviMCP est une puce multi-étage, qui comprend : deux puces mémoires Flash NAND de 16 Gb chacune, pour une capacité totale de 4 Goun contoleur mémoire pour ces deux puces (interface eMMC)une puce de 1 Gb de DRAM destinée à servir de mémoire vive au processeur du téléphone2 Gb de NAND Flash destiné à contenir le s

Toshiba : premier site de production de mémoire NAND 32 nm... ()

Toshiba annonce qu'il sera le premier à proposer de la mémoire Flash NAND gravée en 32 nm. Son premier produit, de la mémoire Flash NAND 4 Go, est disponible dès à présent sous forme d'échantillons.

Hynix : de la memoire flash NAND gravee en 57nm... ()

Hynix possede actuellement 18,5% des parts de marche concernant la production de puces de memoires flash NAND. Le fabricant est actuellement malmene par Samsung Electronics et Toshiba, ces deux concurrents utilisant deja des finesses de gravure de respectivement 50nm et 56nm. Hynix vient donc d annoncer que sa production de puces de memoires flash NAND gravees en 57nm devrait debuter au troisieme trimestre 2007. Cette reduction de la finesse de g

Intel investit dans la flash NAND... ()

Intel vient d investir 65 millions de dollars dans la société Powertech Technology Inc., un producteur taiwanais de mémoire flash NAND. La NAND et la NOR La mémoire NAND est le type de mémoire flash le plus courant. Relativement bon marché, elle permet de grandes capacités grâce à sa densité élevée. Elle est moins rapide que la NOR en lecture, mais beaucoup plus rapide en écriture (plus précisément au niveau de l effacement des cellules). La mémo

Stockage: bientôt la fin de la mémoire flash Nand ?... ()

Malgré les efforts de la R&D, les capacités de la mémoire flash Nand arriveront aux derniers retranchements de la physique quantique. Les constructeurs sont déjà en train de trouver des solutions alternatives comme la mémoire flash 3D ou PCM.

Samsung accroît la densité de la mémoire Flash... ()

Samsung a annoncé qu’il est parvenu à empiler 16 « die » de mémoire Flash Nand dans un package multi-chip, ce qui lui permet

Mémoire flash 16Go chez Samsung... ()

C'est en janvier dernier que Samsung annonçait sa nouvelle mémoire flash NAND MLC (Multi-Level Cell) gravée à une finesse de 51 nm. Aujourd'hui, la marque coréenne a fait savoir qu'elle était...

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