Après Samsung ou Intel, c'est au tour d'IBM de faire la démonstration d'une mémoire à changement de phase. Sa technologie serait 500 fois plus rapide que la mémoire flash actuelle. Le groupe prévoit d'en commercialiser une version évoluée d'ici 2015.
Intel vient d'annoncer que sa mémoire NOR va passer en 65 nm, ce qui devrait permettre de diminuer le prix de cette mémoire flash (et augmenter un peu les performances). La mémoire NOR, une mémoire méconnue La mémoire NOR est un type de mémoire flash assez méconnu, et pourtant très utilisé : la majorité des téléphones portables utilisent ce type de mémoire comme support de stockage pour le système d'exploitation. Cette mémoire est très rapide e
Samsung vient d'annoncer de la mémoire flash qui utilise une finesse de gravure de 30 nanomètres (actuellement, on travaille plutôt en 56 nm, avec un passage prévu en 43 nm). Pour la mémoire MLC uniquement Actuellement, Samsung utilise la technique SaDPT (Self-Aligned Double Patterning Technology) pour sa mémoire. Elle permet de graver des puces de mémoire MLC, ce qui n'est pas vraiment intéressant. En schématisant, la mémoire flash MLC (Multi
Samsung vient d'annoncer de la mémoire flash qui utilise une finesse de gravure de 30 nanomètres (actuellement, on travaille plutôt en 56 nm, avec un passage prévu en 43 nm). Pour la mémoire MLC uniquement Actuellement, Samsung utilise la technique SaDPT (Self-Aligned Double Patterning Technology) pour sa mémoire. Elle permet de graver des puces de mémoire MLC, ce qui n'est pas vraiment intéressant. En schématisant, la mémoire flash MLC (Multi
La mémoire flash telle que nous la connaissons va-t-elle être rapidement remplacée ? Nous avions déjà évoqué la PRAM (Phase-change Random Access Memory) appelée aussi mémoire à changement de...
Samsung nous prouve une fois de plus qu'il est une fois de plus le leader en innovation dans le domaine de la mémoire. Cette fois-ci l'innovation concerne de le mermoire Flash puisque le constructeur coréen vient d'annoncer avoir reussi à quadruplé de la mémoire Flash NAND, il a ainsi présenté un module d’une capacité de 8 Gbits soit environ1 Go. Cette nouvelle celllule de mémoire multi-level canal (MLC) (...)
Le géant des semi-conducteurs Intel fait aujourd’hui part d’une avancée significative dans ses recherches sur le développement de la mémoire à changement de phase (également appelée mémoire PCM ou Phase [...]
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Url de l’article : Mémoire à changement de phase: Intel fait des progrès.
La mémoire à changement de phase, ou mémoire PCM, pourrait représenter un avenir de la mémoire non volatile. Le spécialiste des mémoires Flash Numonyx commence à fournir ses premiers clients
Hier, Samsung a annoncé le début de la production en masse de deux versions de ses nouvelles mémoire flash NAND gravées en 30nm. Ces puces équipées de mémoire DDR (double data rate) à coeur multi niveau NAND comme la mémoire ram DDR RAM, peuvent enregistrer 2 fois plus de données par cycle et ainsi être [...]
Les géants des semi-conducteurs planchent déjà sur le successeur de la mémoire flash, qui équipe l'iPod, les appareils photos et les téléphones portables. IBM présentait lundi un prototype 500 fois plus rapide. A la clé, un marché de près de 20 milliards de dollars.
Intel et Micron viennent de présenter une interface pour mémoire Flash NAND permettant de multiplier les taux de transfert par cinq. OFNi La technologie employée a été définie par le groupe de travail Open NAND Flash Interface (ONFi). Au mois de novembre dernier, le groupe annonçait la publication de brouillon 0.9 de la norme ONFi 2.0 (cf. « ONFi 2.0 : pour de la mémoire Flash 2,5x plus rapide »). À l'époque, on parlait d'une amélioration de seu
32Go et en plus en mémoire flash, cela laisse rêveur... Pourtant, Samsung a présenté lors du CeBit un disque de 32Go flash utilisant la technologie Solid State Disk (SSD) et d'une taille de 2,5....
Le groupe coréen prévoit de multiplier en 2006 des accords de fourniture de mémoire flash auprès de grands groupes industriels.
«Samsung Electronics envisage de signer des contrats de fourniture de mémoires flash NAND (*) avec de grandes entreprises, dont Sony, mais rien de précis n'a encore été arrêté», a-t-il déclaré selon Reuters.
Une déclaration qui fait écho à un récent article du quotidien coréen Korea Economic Daily, révélant que Sony aurait proposé à Samsung de le fournir en mémoire flash.
Intel vient d investir 65 millions de dollars dans la société Powertech Technology Inc., un producteur taiwanais de mémoire flash NAND. La NAND et la NOR La mémoire NAND est le type de mémoire flash le plus courant. Relativement bon marché, elle permet de grandes capacités grâce à sa densité élevée. Elle est moins rapide que la NOR en lecture, mais beaucoup plus rapide en écriture (plus précisément au niveau de l effacement des cellules). La mémo
Samsung a annoncé l'arrivée de mémoire OneNAND d'une capacité de 2Go et gravée en 60nm!
Pour rappel, la mémoire OneNAND est une mémoire flash entre mémoire NOR (vitesse de lecture...
Notre équipe éditoriale analyse tous les jours l'actualité pour dégager les tendances dans certains des dossiers que nous suivons. Voici ce qui revient souvent en ce moment (les plus fréquents étant écrits en plus gros) :