Selon les chercheurs du l'institut américain, les transistors en silicium intégrés aux puces et mémoires arriveront en bout de course dans 10 ans. Ils étudient une technologie capable de faire circuler 2,5 fois plus de courant sur un transistor.
Un transistor, capable de scotcher sur la ligne de départ tous les transistors équipant les puces actuelles, vient de sortir des écuries IBM. Cette formule 1, développée en association avec Georgia Tech,...
Dans la recherche en microélectronique les chercheurs ont souvent essayé de combiner des matériaux...
AMD et IBM ont amélioré le concept "strained silicon", qui optimise la circulation des atomes de silicium dans les transistors. Intel utilise une technique plus ancienne, qu'il compte lui aussi faire évoluer.
C'est par l'intermédiaire d'un communiqué de presse que le géant Intel annonce l'arrivée d'un nouveau matériau dans la fabrication des transistors
Des chercheurs de l'Université de Clemson en Caroline du Sud affirment avoir quasiment éradiqué les courants de fuite permettant d'augmenter la finesse de gravure d'un transistor à 10 nm.
Les fuites à la grille sont un problème très courant qui engendre une surchauffe du transistor qui aura besoin de plus d'énergie pour fonctionner. Plus on augmente la finesse de gravure, plus on réduit la taille de la grille, et plus on les rencontre.
Les cherc
Une équipe de chercheurs du Watson Research Center d'IBM (NY) a trouvé un moyen d'améliorer...
Infineon vient d annoncer avoir mis au point des transistors multi-grilles FINFET, également connus sous le nom de transistors 3D (en opposition aux t
http://www.bulletins-electroniques.com/actualites/52721.htm L'Institut de chimie nucléaire de l'Université Johannes Gutenberg de Mayence s'intéresse à un nouveau champ de recherche : l'analyse de silicium sale (aussi connu sous le nom de silicium métallurgique) en vue de son utilisation dans les cellules photovoltaïques....
