Samsung Electronics indique avoir développé la première puce mémoire DRAM (dynamic random access memory) pour appareils mobiles, dotée d'une capacité de stockage de 1 gigabit (Gbit).
Le fabricant Samsung vient d annoncer ce qu il indique être la première puce DRAM basse consommation de 1 Gbit gravée en 80 nm et destinée à être util
Samsung vient de dévoiler une nouvelle puce qui promet de pousser encore plus loin la miniaturisation des téléphones portables. Le moviMCP est une puce multi-étage, qui comprend :
deux puces mémoires Flash NAND de 16 Gb chacune, pour une capacité totale de 4 Goun contoleur mémoire pour ces deux puces (interface eMMC)une puce de 1 Gb de DRAM destinée à servir de mémoire vive au processeur du téléphone2 Gb de NAND Flash destiné à contenir le s
Les chipsets mobiles de l'après-HSPA se préparent dès maintenant. Après LG Electronics et sa première puce LTE, c'est Samsung qui se prépare activement à la prochaine génération de terminaux mobiles.
Quelques jours après Samsung et ses modules de 1 Gbit de mémoire DDR2 gravés en 40 nm, c'est au tour du constructeur Hynix d'annoncer ses premières puces de 1 Gbit de mémoire DDR3, également gravées en 40 nm.Capable d'atteindre une bande passante de 213
Samsung, le principal fournisseur de mémoire Flash d'Apple
a annoncé un nouveau modèle de mémoire flash ultra-plat, créé
spécialement pour les appareils mobiles.
La puce en question mesure 0.6mm d'épaisseur, soit 40%
plus petit que les modèles actuellement installés sur l'iPhone
3GS. La capacité de chaque puce est de 32GB
Cette puce devrait être intégrée dans la prochaine génération d'iPod
Nano, mais certains imaginent déjà cette nouvelle mémoire dans
le prochain iPhone. A savoir qu'en combinant les puces, on
pourrait atteindre jusqu'à 128 GB de mémoire dans l'iPhone 4eme
génération....
Et vous, seriez vous intéressé par un iPhone 64GB ou 128GB
?
Numonyx, groupe mondial dédié aux composants mémoire, et Samsung, premier producteur mondial de mémoire Flash, s'associent pour accélérer la commercialisation des composants de mémoire PCM dans les appareils mobiles et les systèmes embarqués.
Les deux types de mémoire flash vont étendre les capacités de stockage des smartphones et autres périphériques mobile.
Les deux types de mémoire flash vont étendre les capacités de stockage des smartphones et autres périphériques mobile.
Toshiba vient d annoncer avoir mis au point une puce de mémoire flash regroupant plusieurs modules sous une seule enveloppe physique. Les 8 modules de mémoire flash NAND de 2 Go, gravés en 56nm, accompagnés de leur controleur forment ainsi une seule puce mémoire de 16 Go. Ce sont les téléphones mobiles, les caméras numériques ainsi que tous les périphériques embarqués gourmands en mémoire flash qui vont être contents...
Si cette puce de 16 Go dev
Samsung vient de produire le premier prototype fonctionnel de PRAM (Phase-change Random Access Memory) un nouveau type de mémoire qui devrait remplace
Matrix Semiconductor a annoncé la mise au point d'une puce mémoire à l'architecture originale et d'une capacité de stockage d'un gigabit, soit deux fois plus que son précédent produit.
Pour...
Le constructeur asiatique a annoncé le développement d'une nouvelle puce mémoire, plus petite et consommant moins d'énergie que les technologies actuelles. Une avancée qui pourrait avoir des conséquences importantes sur une grande variété de produits électroniques liés au monde de la mobilité.
Si la mémoire DDR3 n'a pas encore envahi notre quotidien, ça ne devrait pas tarder avec certaines configurations Centrino 2. Samsung annonce avoir réalisé une avancée majeure en réussissant à produire des puces DDR2 de 2 Gbits (256 Mo) à la finesse de 50 nm. Le passage à cette finesse de gravure a permis d'augmenter la densité de 60 par rapport à une puce de DDR2 et de consommer 40% d'énergie en moins qu'avec une puce DDR3 de 1 Gbit.
Avec ces puces, il sera possible de fabriquer des barrettes mémoire de 8 et 16 Go pour les ordinateurs de bureau et des barrettes SO-DIMM (portables ou iMac) de 4 Go chacunes.
Etant donné la gourmandise en mémoire des logiciels et systèmes d'exploitation modernes, l'idée de pouvoir mettre 8 Go dans un MacBook Pro ou un iMac n'aura bientôt rien de saugrenue.
Samsung vient d annoncer une nouvelle génération de mémoire flash NAND pour nos appareils mobiles. Cette nouvelle mémoire offre une capacité de 2 Go (16 Gigabits), ce qui n est pas véritablement un exploit, mais a surtout l avantage d augmenter la vitesse en écriture, généralement faible avec la mémoire NAND MLC. Une vitesse doublée pour les Micro SD et les baladeurs MP3 Alors que les cartes Micro SD (et Memory Stick Micro) de 1 et 2 Go sont géné
Notre équipe éditoriale analyse tous les jours l'actualité pour dégager les tendances dans certains des dossiers que nous suivons. Voici ce qui revient souvent en ce moment (les plus fréquents étant écrits en plus gros) :
