Toshiba a inauguré mardi un nouveau bâtiment pour la production de mémoires flash pour appareils numériques nomades dans son usine de semi-conducteurs au Japon.
Le groupe d'électronique diversifié japonais Toshiba a inauguré mardi un nouveau bâtiment pour la production de mémoires flash pour appareils numériques nomades dans son immense usine de semi-conducteurs au centre du Japon.Le géant nippon envisagerait de plus, selon les médias, la construction d'un...
Toshiba a annoncé hier son intention de doubler sa production de mémoires flash NAND afin de répondre à l'explosion de la demande de ce type de composants utilisés notamment dans les appareils photo et les baladeurs numériques ou encore les clefs USB. Le groupe nippon prévoit de faire passer sa...
Le groupe d'électronique japonais Toshiba a annoncé avoir développé une structure de matériaux permettant d'augmenter la densité de stockage de données sur semi-conducteurs à un niveau tel qu'il envisage la fabrication de mémoires flash d'une capacité de 100 Gigaoctets.Toshiba a précisé avoir conçu...
Le groupe d'électronique japonais Toshiba a annoncé avoir développé une structure de matériaux permettant d'augmenter la densité de stockage de données sur semi-conducteurs à un niveau tel qu'il envisage la fabrication de mémoires flash d'une capacité de 100 Gigaoctets.
Le ministère américain de la Justice (DoJ) a les fabricants de mémoires flash de type NAND dans le collimateur - ces mémoires équipent de nombreux périphériques comme les appareils photo numériques ou les baladeurs MP3.
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Le groupe diversifié d'électronique japonais Toshiba va augmenter de 70% sa production de mémoires flash d'ici juin 2008 par rapport au niveau de mars dernier, notamment en accélérant la mise en route d'une quatrième usine au Japon, a indiqué mardi la presse japonaise."La troisième usine de...
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Le groupe d'électronique japonais Toshiba a annoncé avoir développé une structure de matériaux permettant d'augmenter la densité de stockage de données sur semi-conducteurs à un niveau tel qu'il envisage la fabrication de mémoires flash d'une capacité de 100 Gigaoctets.
Toshiba a précisé avoir conçu une nouvelle structure semi-conductrice constituée de couches ultra-minces, sorte de sandwich de...
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Le conglomérat industriel japonais Toshiba a annoncé mardi qu'il allait construire trois nouvelles usines consacrées aux mémoires flash NAND, dont une en collaboration avec l'américain SanDisk.
Le groupe japonais va dans un premier temps construire au Japon deux nouveaux sites de production de mémoires flash NAND, l'un à Yokkaichi (ouest) et l'autre à Kitakami (nord). Les deux unités devraient...
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Toshiba annonce des mémoires flash de plus grandes capacités d'ici à quelques années.
Aujourd'hui, la plupart des appareils électroniques nomades utilisent des mémoires flash. Les...
Le conglomérat japonais Toshiba a annoncé mardi qu'il allait réduire de 30% à partir de janvier sa production de puces-mémoires flash NAND dans son complexe industriel dédié au Japon, en raison d'une forte chute de la demande.Il va également suspendre pendant plusieurs jours, durant les fêtes de...
Alors que Toshiba vient tout juste d annoncer la mise au point d une puce de mémoire flash gravée en 56 nm atteignant une capacité record de 16 Go grâce à l utilisation de 8 modules de mémoire flash NAND, voici que le constructeur prévoit déjà de produire et de commercialiser des modules de mémoires flash gravés en 43 nm.
Ces puces devraient être fabriquées à partir du début de l année 2008 par la nouvelle usine que Toshiba doit inaugurer à la fi
Les groupes d'électronique diversifiés japonais Toshiba et sud-coréen Samsung Electronics ont annoncé lundi un accord de licence réciproque permettant à chacun de produire, promouvoir et vendre des mémoires flash NAND basées sur les spécifications techniques de l'autre.
Le groupe d'électronique japonais Toshiba a annoncé avoir développé une structure de matériaux permettant d'augmenter la densité de stockage de données sur semi-conducteurs à un niveau tel qu'il envisage la fabrication de mémoires flash d'une capacité de 100 Gigaoctets.Toshiba a précisé avoir conçu une nouvelle structure semi-conductrice constituée de couches ultra-minces, sorte de sandwich de différents matériaux, qui permet une écriture plus rapide des données en exploitant les changements de résistance intervenant naturellement avec les variations de puissance électrique.Comme les couches qui composent la structure sont plus fines qu'auparavant, il est également plus aisé d'employer des procédés de gravure plus étroite, ce qui permet d'augmenter la densité de données enregistrées par unité de surface, a détaillé Toshiba dans un document technique présenté mercredi aux Etats-Unis.De ce fait, le groupe pense que, d'ici quatre ou cinq ans, il sera capable de produire en masse des puces-mémoire flash d'une capacité de stockage plus de six fois supérieure à celle des modèles actuels, soit environ 100 Gigaoctets (Go). Cette capacité équivaut quasiment à celle des disques durs qui équipent aujourd'hui les baladeurs numériques les mieux dotés.Le marché des mémoires flash, que se partagent un petit nombre de fabricants, connaît une croissance rapide, ces composants étant intégrés dans une large gamme de produits numériques populaires dont les téléphones portables, les baladeurs aud...