Le ministère américain de la Justice (DoJ) a les fabricants de mémoires flash de type NAND dans le collimateur - ces mémoires équipent de nombreux périphériques comme les appareils photo numériques ou les baladeurs MP3.
Les groupes d'électronique diversifiés japonais Toshiba et sud-coréen Samsung Electronics ont annoncé lundi un accord de licence réciproque permettant à chacun de produire, promouvoir et vendre des mémoires flash NAND basées sur les spécifications techniques de l'autre.
Samsung et Toshiba viennent d'annoncer un accord permettant aux deux compagnies de fabriquer et vendre les mémoires NAND de de l'autre, ce qui devrait apporter une réponse aux problèmes de stock. Huston, on a un problème Il faut dire que la demande en NAND est de plus en plus forte. Au troisième trimestre 2007, les ventes mondiales ont progressé de 37 % pour atteindre 4,2 milliards de dollars (cf. « Les ventes de mémoires flash NAND en hausse »)
La technologie des mémoires flash de type Nand atteindra très vite ses limites, que lui imposeront les lois de la physique quantique. De l'aveu même des fabricants, notamment Sandisk, Toshiba ou Samsung, qui étudient déjà des technologies alternatives.
Toshiba annonce aujourd'hui l'extension de sa gamme de mémoires flash NAND SLC, avec le lancement du premier disque dur SSD d'une capacité de stockage de 512Go. Offrant des performances encore inégalées en matière de durée de vie, de capacité de stockage et de fiabilité, ces mémoires flash NAND SLC sont (...)
Le conglomérat industriel japonais Toshiba a annoncé mardi qu'il allait construire trois nouvelles usines consacrées aux mémoires flash NAND, dont une en collaboration avec l'américain SanDisk.
Le groupe japonais va dans un premier temps construire au Japon deux nouveaux sites de production de mémoires flash NAND, l'un à Yokkaichi (ouest) et l'autre à Kitakami (nord). Les deux unités devraient...
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Hynix possede actuellement 18,5% des parts de marche concernant la production de puces de memoires flash NAND. Le fabricant est actuellement malmene par Samsung Electronics et Toshiba, ces deux concurrents utilisant deja des finesses de gravure de respectivement 50nm et 56nm. Hynix vient donc d annoncer que sa production de puces de memoires flash NAND gravees en 57nm devrait debuter au troisieme trimestre 2007.
Cette reduction de la finesse de g
Toshiba a annoncé hier son intention de doubler sa production de mémoires flash NAND afin de répondre à l'explosion de la demande de ce type de composants utilisés notamment dans les appareils photo et les baladeurs numériques ou encore les clefs USB. Le groupe nippon prévoit de faire passer sa...
Les deux constructeurs de mémoire Flash NAND se sont entendus pour concilier leurs efforts dans la recherche sur la mémoire Flash NAND, et s'autoriser mutuellement à exploiter les technologies de l'autre.
Toshiba Corp. (TOKYO: 6502) renforce son leadership à la pointe de l'innovation
dans le développement et la fabrication de mémoires flash NAND de forte densité, en annonçant aujourd'hui les premières livraisons de puces mémoire flash NAND fabriquées avec la technologie 32nm. Les échantillons de la première génération de puces gravées en 32 nm au monde, 32-gigabit (4Go), offrant la plus forte densité de toutes les puces flash NAND, sont disponibles dès aujourd'hui, et les puces de 16Gb (2Go) seront disponibles en juillet au Japon. Les puces de 32Gb seront dans un premier temps utilisées dans les cartes mémoire et les clés USB et étendues par la suite aux produits embarqués.
Pour plus d'informations : http://www.toshiba.co.jp/about/press/2009_04/pr2702.htm
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Toshiba Corp. (TOKYO: 6502) renforce son leadership à la pointe de l'innovation
dans le développement et la fabrication de mémoires flash NAND de forte densité, en annonçant aujourd'hui les premières livraisons de puces mémoire flash NAND fabriquées avec la technologie 32nm. Les échantillons de la première génération de puces gravées en 32 nm au monde, 32-gigabit (4Go), offrant la plus forte densité de toutes les puces flash NAND, sont disponibles dès aujourd'hui, et les puces de 16Gb (2Go) seront disponibles en juillet au Japon. Les puces de 32Gb seront dans un premier temps utilisées dans les cartes mémoire et les clés USB et étendues par la suite aux produits embarqués.
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Alors que Toshiba vient tout juste d annoncer la mise au point d une puce de mémoire flash gravée en 56 nm atteignant une capacité record de 16 Go grâce à l utilisation de 8 modules de mémoire flash NAND, voici que le constructeur prévoit déjà de produire et de commercialiser des modules de mémoires flash gravés en 43 nm.
Ces puces devraient être fabriquées à partir du début de l année 2008 par la nouvelle usine que Toshiba doit inaugurer à la fi
Toshiba annonce qu'il sera le premier à proposer de la mémoire Flash NAND gravée en 32 nm. Son premier produit, de la mémoire Flash NAND 4 Go, est disponible dès à présent sous forme d'échantillons.
Toshiba et SanDisk ont annoncé vouloir produire des mémoires flash NAND architecturés en 3D avec des cellules qui s'empilent les unes sur les autres.
Selon un rapport du cabinet d'étude iSupply, les ventes mondiales de mémoires flash NAND auraient progressé de 37% au troisième trimestre 2007 pour atteindre 4,2 milliards de dollars. Cette augmentation des ventes s'explique par l'arrivée récente sur le marché de nouveaux produits high-tech utilisant ce type de mémoire. Demande en hausse, offre en hausse La production de mémoire flash NAND, utilisée dans de nombreux appareils mobiles (téléphones