Grâce à un nouveau processus de gravure, le constructeur coréen est parvenu à doubler la densité des puces moviNAND pour produire une carte mémoire de 32 Go gravée en 30 nm.
Samsung vient d annoncer que ce sont ses puces de memoire GDDR4 qui ont ete choisies par AMD pour les tres rares cartes Radeon HD 2900XT 1 Go et les tres decevantes cartes Radeon HD 2600XT. De la memoire tres rapide La memoire de Samsung, gravee en 80 nm, est tres rapide. Actuellement, Samsung propose des puces de 512 megabits (on doit donc en utiliser quatre sur une carte 256 Mo et seize sur une carte 1 Go). La memoire GDDR4, tres peu utilisee a
Samsung vient d'annoncer la livraison aux fabricants de ses premières mémoires moviNAND, une puce gravée en 50 nm disposant d'une capacité de 8Go, combinant en fait quatre modules de mémoire de...
La morosité du marché de la mémoire flash a une conséquence intéressante, elle accélère la recherche et le développement des grands fabricants qui pourront ainsi proposer des produits différents et plus coûteux.
Samsung, a ainsi annoncé avoir fabriqué la première puce de mémoire flash gravée en 30 nm. En empilant plusieurs couches de flash, on obtiendra des puces d'une capacité de 8 Go et d'une taille très réduite.
La société imagine déjà un futur proche où elle proposera des cartes mémoire contenant 16 de ces puces pour une capacité de 128 Go.
Au delà, cette finesse de gravure devrait permettre de faire exploser les capacités des disques SSD. Ensuite, ce ne sera plus qu'une question de positionnement tarifaire et de performances. Mais si on peut créer une carte mémoire, même de la taille d'une Compact Flash, on est pas loin de pouvoir fabriquer des disques SSD 2,5 dépassant le To, ce qui n'arrivera pas avant un bon moment avec les disques durs classiques.
Samsung espère démarrer la production en masse de ces puces courant 2009.
Samsung nous prouve une fois de plus qu'il est une fois de plus le leader en innovation dans le domaine de la mémoire. Cette fois-ci l'innovation concerne de le mermoire Flash puisque le constructeur coréen vient d'annoncer avoir reussi à quadruplé de la mémoire Flash NAND, il a ainsi présenté un module d’une capacité de 8 Gbits soit environ1 Go. Cette nouvelle celllule de mémoire multi-level canal (MLC) (...)
Samsung vient d'annoncer le lancement de nouvelles puces de mémoire moviNAND de 64 Go et de cartes mémoires microSD de 32 Go.
Alors que Toshiba vient tout juste d annoncer la mise au point d une puce de mémoire flash gravée en 56 nm atteignant une capacité record de 16 Go grâce à l utilisation de 8 modules de mémoire flash NAND, voici que le constructeur prévoit déjà de produire et de commercialiser des modules de mémoires flash gravés en 43 nm.
Ces puces devraient être fabriquées à partir du début de l année 2008 par la nouvelle usine que Toshiba doit inaugurer à la fi
Samsung a annoncé la production de mémoire appelée MoviNAND en capacité 1 Go et de 2 Go. La MoviNAND est une combinaison de mémoire flash NAND avec un contrôleur MMC (MultiMedia Card) v4 et un...
Selon certaines sources, Toshiba pourrait dès mars 2010 débuter la production de masse de puces de mémoire flash gravée en 30 nm. Ces puces seraient produites par l'usine de Yokkaichi au Japon. Cette usine devrait par ailleurs commencer à produire en masse des puces de mémoire flash gravées en 43 nm dès le mois de mars 2008, les premiers exemplaires étant attendus pour le mois de décembre prochain. L'objectif de cette réduction de la finesse de
Samsung continue d'innover sur le marché de la mémoire Flash NAND en annonçant un nouveau module 8 Go MLC gravé en 30 nm et offrant une plus grande densité de stockage.
Samsung a annoncé l'arrivée de mémoire OneNAND d'une capacité de 2Go et gravée en 60nm!
Pour rappel, la mémoire OneNAND est une mémoire flash entre mémoire NOR (vitesse de lecture...
Selon plusieurs sources, Samsung aurait une large quantité de puces DRAM défectueuses gravée en 66 nm.
Alors que la production de puces mémoires flash NAND gravées en 57nm n'est effective que depuis le troisième trimestre 2007 chez Hynix, le constructeur vient d'annoncer son intention de produire en masse de la mémoire flash NAND gravée en 48nm dès le début de l'année 2008. Hynix en avance Après avoir connu un retard face à ses principaux concurrents Samsung Electronics et Toshiba, Hynix pourrait donc bien être le premier fabricant à utiliser une
Souffrant d'un manque de vitesse en écriture, les puces de mémoire flash gravée en 32 nm de la firme coréenne sont boudées par les fabricants de SSD qui leur préfèrent les produits concurrents.
Source : CDR InfoIntel et micron ont dévoilé la première puce de mémoire flash gravée à moins de 40 nm. Ce prototype gravé en 34 nm a une capacité de 4 Go dans un volume extrêmement réduit.
Ces puces seront fabriquées sur des galettes de 300 mm, chacune pouvant ainsi produire 1,6 To de capacité.
Bien entendu, les débouchés pour ces produits sont multiples mais essentiellement axés sur le marché naissant des disques SSD. De telles puces permettraient assez facilement de produire des disques SSD de portables de 512 Go ou plus.
