Toshiba propose des puces de mémoire flash SLC en 43 nm.
Toshiba propose des puces de mémoire flash SLC en 43 nm.
Toshiba a recemment annoncé avoir commencé à produire les premières puces de mémoire Flash, gravées en 32 nanomètre, destinées premièrement aux clés USB, ces puces affichent une capacité de 4Go. Toshiba espère ainsi démontrer son avance...
Le japonais Toshiba a annoncé en début de semaine avoir commencé à livrer à l’industrie ce qu’il considère comme les premières puces de mémoire Flash gravées en 32 nanomètres du marché. Destinées dans [...]
Lire la suite : Toshiba grave la mémoire Flash en 32 nanomètres
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La société japonaise Toshiba a récemment annoncé avoir mis au point une puce de mémoire flash de 32Go et ayant une dimension de seulement 14 x 18 x 1,4mm ce qui lui permettra d'être facilement intégrée au appareil nécessitant de la mémoire telle ...
Toshiba présente son nouveau carré magique, une mémoire flash de type Nand de 16Go composée de 8 puces de 2Go!
Certains constructeurs comme Samsung préfèrent intégrer une unique puce c'est...
Alors que Toshiba vient tout juste d annoncer la mise au point d une puce de mémoire flash gravée en 56 nm atteignant une capacité record de 16 Go grâce à l utilisation de 8 modules de mémoire flash NAND, voici que le constructeur prévoit déjà de produire et de commercialiser des modules de mémoires flash gravés en 43 nm.
Ces puces devraient être fabriquées à partir du début de l année 2008 par la nouvelle usine que Toshiba doit inaugurer à la fi
Toshiba a annonce aujourd hui avoir mis au point une nouvelle technique de fabrication de memoire NAND Flash. Le procede permet d empiler les transistors en trois dimensions, et donc d augmenter la densite de stockage. La technique inventee par Toshiba est aussi tres interessante car elle n implique pas de lourdes modifications des procedes de fabrication existant.
En effet, Toshiba a pris le probleme de l empilement des cellules memoire a l e
Toshiba Corp. (TOKYO: 6502) renforce son leadership à la pointe de l'innovation
dans le développement et la fabrication de mémoires flash NAND de forte densité, en annonçant aujourd'hui les premières livraisons de puces mémoire flash NAND fabriquées avec la technologie 32nm. Les échantillons de la première génération de puces gravées en 32 nm au monde, 32-gigabit (4Go), offrant la plus forte densité de toutes les puces flash NAND, sont disponibles dès aujourd'hui, et les puces de 16Gb (2Go) seront disponibles en juillet au Japon. Les puces de 32Gb seront dans un premier temps utilisées dans les cartes mémoire et les clés USB et étendues par la suite aux produits embarqués.
Pour plus d'informations : http://www.toshiba.co.jp/about/press/2009_04/pr2702.htm
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Toshiba vient d annoncer avoir mis au point une puce de mémoire flash regroupant plusieurs modules sous une seule enveloppe physique. Les 8 modules de mémoire flash NAND de 2 Go, gravés en 56nm, accompagnés de leur controleur forment ainsi une seule puce mémoire de 16 Go. Ce sont les téléphones mobiles, les caméras numériques ainsi que tous les périphériques embarqués gourmands en mémoire flash qui vont être contents...
Si cette puce de 16 Go dev
Toshiba Corp. (TOKYO: 6502) renforce son leadership à la pointe de l'innovation
dans le développement et la fabrication de mémoires flash NAND de forte densité, en annonçant aujourd'hui les premières livraisons de puces mémoire flash NAND fabriquées avec la technologie 32nm. Les échantillons de la première génération de puces gravées en 32 nm au monde, 32-gigabit (4Go), offrant la plus forte densité de toutes les puces flash NAND, sont disponibles dès aujourd'hui, et les puces de 16Gb (2Go) seront disponibles en juillet au Japon. Les puces de 32Gb seront dans un premier temps utilisées dans les cartes mémoire et les clés USB et étendues par la suite aux produits embarqués.
Pour plus d'informations : http://www.toshiba.co.jp/about/press/2009_04/pr2702.htm
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L'avenir du PC portable semble passer par les puces à mémoire Flash, au détriment du disque dur.
Selon certaines sources, Toshiba pourrait dès mars 2010 débuter la production de masse de puces de mémoire flash gravée en 30 nm. Ces puces seraient produites par l'usine de Yokkaichi au Japon. Cette usine devrait par ailleurs commencer à produire en masse des puces de mémoire flash gravées en 43 nm dès le mois de mars 2008, les premiers exemplaires étant attendus pour le mois de décembre prochain. L'objectif de cette réduction de la finesse de
Shozo Saito, président de la division semi-conducteur de Toshiba, vient d'indiquer que la société ne prendra plus de commandes de mémoire flash NAND avant décembre. Une demande très forte Toshiba fournit essentiellement des OEM : lecteurs MP3, clés USB, téléphones, le nombre d'appareils qui utilisent de la mémoire flash est en constante augmentation, avec des capacités de plus en plus grandes (16 Go est en passe de devenir la norme). Toshiba n'
Shozo Saito, président de la division semi-conducteur de Toshiba, vient d'indiquer que la société ne prendra plus de commandes de mémoire flash NAND avant décembre. Une demande très forte Toshiba fournit essentiellement des OEM : lecteurs MP3, clés USB, téléphones, le nombre d'appareils qui utilisent de la mémoire flash est en constante augmentation, avec des capacités de plus en plus grandes (16 Go est en passe de devenir la norme). Toshiba n'
