Samsung n'est pas un fabricant de baladeurs comme les autres puisqu'il produit aussi des composants. Leader dans plusieurs domaines dont les écrans, la firme coréenne excelle également dans le...
La mémoire flash telle que nous la connaissons va-t-elle être rapidement remplacée ? Nous avions déjà évoqué la PRAM (Phase-change Random Access Memory) appelée aussi mémoire à changement de...
Samsung vient d'annoncer de la mémoire flash qui utilise une finesse de gravure de 30 nanomètres (actuellement, on travaille plutôt en 56 nm, avec un passage prévu en 43 nm). Pour la mémoire MLC uniquement Actuellement, Samsung utilise la technique SaDPT (Self-Aligned Double Patterning Technology) pour sa mémoire. Elle permet de graver des puces de mémoire MLC, ce qui n'est pas vraiment intéressant. En schématisant, la mémoire flash MLC (Multi
Samsung vient d'annoncer de la mémoire flash qui utilise une finesse de gravure de 30 nanomètres (actuellement, on travaille plutôt en 56 nm, avec un passage prévu en 43 nm). Pour la mémoire MLC uniquement Actuellement, Samsung utilise la technique SaDPT (Self-Aligned Double Patterning Technology) pour sa mémoire. Elle permet de graver des puces de mémoire MLC, ce qui n'est pas vraiment intéressant. En schématisant, la mémoire flash MLC (Multi
Samsung vient de produire le premier prototype fonctionnel de PRAM (Phase-change Random Access Memory) un nouveau type de mémoire qui devrait remplace
Samsung vient d'annoncer de la mémoire flash MLC qui utilise une finesse de gravure de 30 nanomètres ! La production devrait commencer en 2009 et servir principalement à fabriquer des disques...
Plus de disque dur traditionnel, dans le dernier-né des ordinateurs portables de Samsung. Le stockage se fait exclusivement sur une mémoire flash NAND de grande capacité, soit 32 Go, grâce à la technologie SSD (Solid State ...
Les uns après les autres les fabricants de mémoires cèdent au charme de la PRAM, alias mémoire à changement de phase. Après avoir été présentée par Samsung, soutenue par Intel et perfectionnée chez Hitachi, la PRAM va arriver chez Hynix. La firme vient de signer un accord avec Ovonix, société inventeuse de la PRAM.
L'accord initie une coopération à long terme, mais on ne sait pas quand Hynix prévoit de débuter la production PRAM. Intel et Sams
Samsung a annoncé l'arrivée de mémoire OneNAND d'une capacité de 2Go et gravée en 60nm!
Pour rappel, la mémoire OneNAND est une mémoire flash entre mémoire NOR (vitesse de lecture...
La morosité du marché de la mémoire flash a une conséquence intéressante, elle accélère la recherche et le développement des grands fabricants qui pourront ainsi proposer des produits différents et plus coûteux.
Samsung, a ainsi annoncé avoir fabriqué la première puce de mémoire flash gravée en 30 nm. En empilant plusieurs couches de flash, on obtiendra des puces d'une capacité de 8 Go et d'une taille très réduite.
La société imagine déjà un futur proche où elle proposera des cartes mémoire contenant 16 de ces puces pour une capacité de 128 Go.
Au delà, cette finesse de gravure devrait permettre de faire exploser les capacités des disques SSD. Ensuite, ce ne sera plus qu'une question de positionnement tarifaire et de performances. Mais si on peut créer une carte mémoire, même de la taille d'une Compact Flash, on est pas loin de pouvoir fabriquer des disques SSD 2,5 dépassant le To, ce qui n'arrivera pas avant un bon moment avec les disques durs classiques.
Samsung espère démarrer la production en masse de ces puces courant 2009.
Samsung nous prouve une fois de plus qu'il est une fois de plus le leader en innovation dans le domaine de la mémoire. Cette fois-ci l'innovation concerne de le mermoire Flash puisque le constructeur coréen vient d'annoncer avoir reussi à quadruplé de la mémoire Flash NAND, il a ainsi présenté un module d’une capacité de 8 Gbits soit environ1 Go. Cette nouvelle celllule de mémoire multi-level canal (MLC) (...)
Samsung et Numonyx ont décidé d'unir leur force pour donner naissance à un standard facilitant le développement de PRAM.
Des scientifiques de l'Université de Pennsylvanie viennent d'annoncer avoir développé une PRAM capable de stocker des informations pendant 100 000 ans et ayant une vitesse mille fois plus rapide que les mémoires Flash actuelles, tout en utilisant moins de puissance et en prenant moins de place. Une chose est sûre, voici une mémoire dont tout le monde rêve, mais elle est loin d'atterrir entre nos mains de consommateurs moyens. Des fils qui se cré
Samsung continue d'innover sur le marché de la mémoire Flash NAND en annonçant un nouveau module 8 Go MLC gravé en 30 nm et offrant une plus grande densité de stockage.
PQI indique que Samsung ne pourrait proposer que 85 % de la mémoire flash promise aux constructeurs au mois d'août. Même si les raisons ne sont pas vraiment connues, cette (relative) pénurie risque de modifier les prix en septembre. Une demande de plus en plus grande Le problème de la mémoire flash, c'est qu'elle est de plus en populaire : la demande est en forte hausse et la production n'est pas nécessairement capable de suivre. Chaque nouvell
