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Samsung et la mémoire flash: gravure plus fine, capacité plus grande et nouvelle PRAM

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 Actualités

Voici une compilation des sources d'information sur ce sujet :

Samsung et la mémoire flash: gravure plus fine, capacité plus grande et nouvelle PRAM... (GenerationMP3: le blog des baladeurs MP3)

Samsung n'est pas un fabricant de baladeurs comme les autres puisqu'il produit aussi des composants. Leader dans plusieurs domaines dont les écrans, la firme coréenne excelle également dans le...

La mémoire PRAM pour remplacer la mémoire flash ?... (GenerationMP3: le blog des baladeurs MP3)

La mémoire flash telle que nous la connaissons va-t-elle être rapidement remplacée ? Nous avions déjà évoqué la PRAM (Phase-change Random Access Memory) appelée aussi mémoire à changement de...

Samsung présente sa PRAM... (Presence PC - Actualité informatique)

Samsung vient de produire le premier prototype fonctionnel de PRAM (Phase-change Random Access Memory) un nouveau type de mémoire qui devrait remplace

Samsung passe à 30 nm pour la mémoire flash MLC... (Presence PC - Actualite Consommables)

Samsung vient d'annoncer de la mémoire flash qui utilise une finesse de gravure de 30 nanomètres (actuellement, on travaille plutôt en 56 nm, avec un passage prévu en 43 nm). Pour la mémoire MLC uniquement Actuellement, Samsung utilise la technique SaDPT (Self-Aligned Double Patterning Technology) pour sa mémoire. Elle permet de graver des puces de mémoire MLC, ce qui n'est pas vraiment intéressant. En schématisant, la mémoire flash MLC (Multi

Samsung passe à 30 nm pour la mémoire flash MLC... (Presence PC - Actualité informatique)

Samsung vient d'annoncer de la mémoire flash qui utilise une finesse de gravure de 30 nanomètres (actuellement, on travaille plutôt en 56 nm, avec un passage prévu en 43 nm). Pour la mémoire MLC uniquement Actuellement, Samsung utilise la technique SaDPT (Self-Aligned Double Patterning Technology) pour sa mémoire. Elle permet de graver des puces de mémoire MLC, ce qui n'est pas vraiment intéressant. En schématisant, la mémoire flash MLC (Multi

Samsung lance le premier PC portables à mémoire flash... (LExpansion.com)

Plus de disque dur traditionnel, dans le dernier-né des ordinateurs portables de Samsung. Le stockage se fait exclusivement sur une mémoire flash NAND de grande capacité, soit 32 Go, grâce à la technologie SSD (Solid State ...

Samsung : mémoire flash MLC à 30 nm... (GenerationMP3: le blog des baladeurs MP3)

Samsung vient d'annoncer de la mémoire flash MLC qui utilise une finesse de gravure de 30 nanomètres ! La production devrait commencer en 2009 et servir principalement à fabriquer des disques...

Samsung présente sa mémoire OneNAND en 2 Go à 60 nm!... (GenerationMP3: le blog des baladeurs MP3)

Samsung a annoncé l'arrivée de mémoire OneNAND d'une capacité de 2Go et gravée en 60nm! Pour rappel, la mémoire OneNAND est une mémoire flash entre mémoire NOR (vitesse de lecture...

La mémoire à changement de phase arrive chez Hynix... (Presence PC - Actualité informatique)

Les uns après les autres les fabricants de mémoires cèdent au charme de la PRAM, alias mémoire à changement de phase. Après avoir été présentée par Samsung, soutenue par Intel et perfectionnée chez Hitachi, la PRAM va arriver chez Hynix. La firme vient de signer un accord avec Ovonix, société inventeuse de la PRAM. L'accord initie une coopération à long terme, mais on ne sait pas quand Hynix prévoit de débuter la production PRAM. Intel et Sams

Après Samsung, Intel annonce sa PRAM avant la fin de l'année... (The Inquirer FR)

Plus rapide, plus solide (la PRAM supporterait 100 millions de cycles, beaucoup plus que la Flash, et garderait les données plus de 10 ans), cette nouvelle technologie repose sur un principe chimique

Nouvelle mémoire Flash NAND gravée en 30 nm chez Samsung... (Generation Nouvelles Technologies)

Samsung continue d'innover sur le marché de la mémoire Flash NAND en annonçant un nouveau module 8 Go MLC gravé en 30 nm et offrant une plus grande densité de stockage.

Samsung prépare sa mémoire Flash NAND gravée en 60 nm... (Hardmicro-fr)

Samsung nous prouve une fois de plus qu'il est une fois de plus le leader en innovation dans le domaine de la mémoire. Cette fois-ci l'innovation concerne de le mermoire Flash puisque le constructeur coréen vient d'annoncer avoir reussi à quadruplé de la mémoire Flash NAND, il a ainsi présenté un module d’une capacité de 8 Gbits soit environ1 Go. Cette nouvelle celllule de mémoire multi-level canal (MLC) (...)

Samsung annonce la mémoire MoviNAND... (GenerationMP3: le blog des baladeurs MP3)

Samsung a annoncé la production de mémoire appelée MoviNAND en capacité 1 Go et de 2 Go. La MoviNAND est une combinaison de mémoire flash NAND avec un contrôleur MMC (MultiMedia Card) v4 et un...

32Go de mémoire flash, ca arrive !... (GenerationMP3: le blog des baladeurs MP3)

Le journal China Times nous révèle, que Samsung sera en mesure de produire en quantité, dés le mois juin, des disques avec de la mémoire flash d'une capacité de 32 Go ! Dans un premier temps, le...

Samsung va produire de la flash gravée à 30 nm... (MacBidouille.com)

La morosité du marché de la mémoire flash a une conséquence intéressante, elle accélère la recherche et le développement des grands fabricants qui pourront ainsi proposer des produits différents et plus coûteux. Samsung, a ainsi annoncé avoir fabriqué la première puce de mémoire flash gravée en 30 nm. En empilant plusieurs couches de flash, on obtiendra des puces d'une capacité de 8 Go et d'une taille très réduite. La société imagine déjà un futur proche où elle proposera des cartes mémoire contenant 16 de ces puces pour une capacité de 128 Go. Au delà, cette finesse de gravure devrait permettre de faire exploser les capacités des disques SSD. Ensuite, ce ne sera plus qu'une question de positionnement tarifaire et de performances. Mais si on peut créer une carte mémoire, même de la taille d'une Compact Flash, on est pas loin de pouvoir fabriquer des disques SSD 2,5 dépassant le To, ce qui n'arrivera pas avant un bon moment avec les disques durs classiques. Samsung espère démarrer la production en masse de ces puces courant 2009.

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