L'américain Rambus a développé une architecture mémoire mettant en œuvre des techniques semblables à celles utilisées dans les processeurs, avec à la clé un gain en performances très sensible.
L'Union Européenne vient d'indiquer avoir transmis fin juillet une « communication de griefs » au constructeur américain Rambus, ce dernier étant accusé d'avoir trompé un comité établissant des standards en ne révélant pas que les technologies nécessaires à certaines solutions qui allaient devenir des standards étaient déjà brevetées. Les constructeurs désirant fabriquer des puces de mémoire DRAM devaient négocier une licence avec Rambus et lui
Elpida vient de dévoiler une puce mémoire FBGA de 512 Mbits gravée en 70nm capable d'atteindre un taux de transfert de l'ordre de 9,6 Go/s (six fois la bande passante d'une puce mémoire DDR2-800). Pour parvenir à de telles performances, le constructeur utilise plusieurs technologies mises au point par Rambus. Le DSRL (Differential Rambus Signaling Level) élimine tout bruit et lisse le signal alors que l'ODR (Octal Data Rate), propre à la technol
Elpida vient de dévoiler une puce mémoire FBGA de 512 Mbits gravée en 70nm capable d'atteindre un taux de transfert de l'ordre de 9,6 Go/s (six fois la bande passante d'une puce mémoire DDR2-800). Pour parvenir à de telles performances, le constructeur utilise plusieurs technologies mises au point par Rambus. Le DSRL (Differential Rambus Signaling Level) élimine tout bruit et lisse le signal alors que l'ODR (Octal Data Rate), propre à la technol
La Commission européenne considère que le fabricant américain de mémoires DRAM Rambus a abusé de sa position dominante en demandant des droits exagérés pour l'utilisation de certains brevets, a-t-elle indiqué jeudi.
Elpidia vient d'annoncer un partenariat avec le fondeur UMC destiné à produire des puces DRAM et PRAM. La réciprocité du partenariat Le partenariat semble judicieux pour les deux sociétés. De son côté, Elpidia achète la licence d'UMC pour l'utilisation de sa technologie copper/low-k. Cette technologie permet l'utilisation de cuivre et de matériaux à faible diélectrique au sein d'un die. L'objectif est d'accroître les performances d'un semi-cond
Un accord de principe vient d'être signé entre la société Rambus et le géant Intel. Cet accord permet tout simplement au fondeur de commencer à réfléchir à la possibilité (sic) d'utiliser les solutions de mémoire XDR dans ses futurs produits. En d'autres termes, ce « memorandum of understanding » n'engage en rien les deux parties, Rambus essayant tout simplement de pousser Intel à utiliser ses solutions XDR.
Cette mémoire, déjà utilisée dans les
C est avec fierte que Rambus a annonce hier avoir vendu 25 millions de barrettes de sa memoire XDR (pour eXtreme Data Rate). Pour rappel, la XDR est une amelioration de la RDRAM, un type de memoire vive cree par la societe au debut des annees 2000 et qui a connu un serieux revers a l arrivee de la DDR. Depuis lors, Rambus n a survecu que grace a son brillant service juridique et les proces qu il a intente un peu partout pour violation de brevets.
Source : DigitimesLa XDR est une mémoire très rapide inventée par Rambus. Sur le papier elle a tout pour plaire avec une bande passante capable d'atteindre les 102 Go/s, là où la meilleure DDR2 plafonne à 12,8 Go/s, tandis que la DDR3 atteint les 25,6 Go/s.
Sony utilise déjà cette mémoire pour améliorer les performances de sa PS3 mais ne l'utilise qu'en faible quantité, 256 Mo par appareil.
Afin de tenter de percer le marché informatique, et faute d'avoir le soutien d'Intel, qui à une époque avait tenté l'expérience Rambus avant de les oublier, la société essaye de séduire les fabricants de mémoire et tente de les convaincre de prendre une licence et de fabriquer des puces XDR.
Mais ces derniers ne sont pas très chauds. C'est peut-être parce que Rambus a la réputation méritée d'avoir gagné beaucoup plus d'argent en déposant des tonnes de brevets puis en attaquant tous les fabricants de RAM qu'en commercialisant des produits commercialement viables.
Rambus et Spansion viennent de signer un accord visant à la fabrication de DDR et le développement de mémoires Flash.
Rambus et Spansion viennent de signer un accord visant à la fabrication de DDR et le développement de mémoires Flash.
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Rambus et Spansion viennent de signer un accord visant à la fabrication de DDR et le développement de mémoires Flash.
Rambus et Spansion viennent de signer un accord visant à la fabrication de DDR et le développement de mémoires Flash.
Samsung vient de présenter une technologie qui va permettre de créer des barrettes de mémoire de 4 Go à un prix plus abordable qu actuellement. La technologie permet de produire des puces de 2 gigabits (512 Mo) en empilant 4 puces de 512 mégabits de DDR2, et donc de proposer plus facilement des barrettes de mémoire de 4 Go. Des technologies de chip stacking existent déjà, mais Samsung propose un moyen de diminuer la taille physique et la comple