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La mémoire PRAM pour remplacer la mémoire flash ?

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 Actualités

Voici une compilation des sources d'information sur ce sujet :

La mémoire PRAM pour remplacer la mémoire flash ?... ()

La mémoire flash telle que nous la connaissons va-t-elle être rapidement remplacée ? Nous avions déjà évoqué la PRAM (Phase-change Random Access Memory) appelée aussi mémoire à changement de...

Samsung présente sa PRAM... ()

Samsung vient de produire le premier prototype fonctionnel de PRAM (Phase-change Random Access Memory) un nouveau type de mémoire qui devrait remplace

Deux bits par cellule mémoire pour le successeur de la mémoire Flash ?... ()

Une mémoire à changement de phase – PRam – est en cours de mise au point chez Intel et STMicroelectronics. Cette famille de circuits, déjà connue, est candidate à la succession de la mémoire Flash. Ce nouveau prototype à quatre états apporte des performances inédites.A la conférence IEEE sur les composants électroniques (ISSCC), Intel vient de présenter un prototype de mémoire à changement de phase (PRam, Phase-change Ram) aux performances étonnantes. Dans une PRam, l'information est mémori...

La mémoire à changement de phase arrive chez Hynix... ()

Les uns après les autres les fabricants de mémoires cèdent au charme de la PRAM, alias mémoire à changement de phase. Après avoir été présentée par Samsung, soutenue par Intel et perfectionnée chez Hitachi, la PRAM va arriver chez Hynix. La firme vient de signer un accord avec Ovonix, société inventeuse de la PRAM. L'accord initie une coopération à long terme, mais on ne sait pas quand Hynix prévoit de débuter la production PRAM. Intel et Sams

Samsung lancera sa production de PRAM 65nm en 2009... ()

Source : CDR InfoSamsung a annoncé que la production de puces de 512 Mo de PRAM (mémoire à changement de phase) gravées en 65 nm démarrera dans la première moitié de 2009. Cette mémoire a pour vocation de remplacer la Flash NAND dans l'avenir. Contrairement à la mémoire classique, les 0 et les 1 sont matérialisés par un changement de phase du matériau qui peut avoir deux états, cristallin ou amorphe. Son avantage est de pouvoir passer de l'un à l'autre très rapidement et sans avoir besoin de remettre auparavant la cellule à 0 avant d'y réécrire, ce qui permet un gain de performances très important lors de l'écriture des données. Elle a comme autre avantage d'avoir une durée de vie 10 fois plus importante que les autres puces mémoire. Reste qu'elle continue à pêcher par son manque de densité alors que l'on sait fabriquer des puces de mémoire MLC contenant 30 fois plus de données.

Une PRAM 1000 fois plus rapide que de la mémoire Flash... ()

Des scientifiques de l'Université de Pennsylvanie viennent d'annoncer avoir développé une PRAM capable de stocker des informations pendant 100 000 ans et ayant une vitesse mille fois plus rapide que les mémoires Flash actuelles, tout en utilisant moins de puissance et en prenant moins de place. Une chose est sûre, voici une mémoire dont tout le monde rêve, mais elle est loin d'atterrir entre nos mains de consommateurs moyens. Des fils qui se cré

Numonyx : commercialisation de mémoire PCM Alverstone... ()

La mémoire à changement de phase, ou mémoire PCM, pourrait représenter un avenir de la mémoire non volatile. Le spécialiste des mémoires Flash Numonyx commence à fournir ses premiers clients

IBM mise sur la PCM pour succéder à la mémoire flash... ()

Après Samsung ou Intel, c'est au tour d'IBM de faire la démonstration d'une mémoire à changement de phase. Sa technologie serait 500 fois plus rapide que la mémoire flash actuelle. Le groupe prévoit d'en commercialiser une version évoluée d'ici 2015.

Intel passe au 65 nm pour la flash NOR... ()

Intel vient d'annoncer que sa mémoire NOR va passer en 65 nm, ce qui devrait permettre de diminuer le prix de cette mémoire flash (et augmenter un peu les performances). La mémoire NOR, une mémoire méconnue La mémoire NOR est un type de mémoire flash assez méconnu, et pourtant très utilisé : la majorité des téléphones portables utilisent ce type de mémoire comme support de stockage pour le système d'exploitation. Cette mémoire est très rapide e

"La mémoire flash va de plus en plus remplacer le disque dur"... ()

Sandisk, le créateur de la mémoire flash, a réussi à renouer avec les bénéfices malgré l'effondrement des prix de ces composants en début d'année. Son PDG Eli Harari se montre très confiant sur son activité baladeur et sur les nouvelles applications de la mémoire flash. Interview.

Micron prédit que la flash va remplacer les disques durs... ()

Micron, un des fabricants de mémoire les plus importants, a annoncé récemment que la mémoire flash pourrait remplacer totalement les disques durs dans le futur. Selon eux, la mémoire flash consomme moins, génère moins de chaleur et a un temps d accès bien meilleur que les disques durs. De plus, elle est plus fiable que la mécanique des disques durs. Vous pouvez d ailleurs aller lire notre dossier sur les SSD et la mémoire flash, qui montre bien q

Micron predit que la flash va remplacer les disques durs... ()

Micron, un des fabricants de memoire les plus importants, a annonce recemment que la memoire flash pourrait remplacer totalement les disques durs dans le futur. Selon eux, la memoire flash consomme moins, genere moins de chaleur et a un temps d acces bien meilleur que les disques durs. De plus, elle est plus fiable que la mecanique des disques durs. Vous pouvez d ailleurs aller lire notre dossier sur les SSD et la memoire flash, qui montre bien q

Samsung passe à 30 nm pour la mémoire flash MLC... ()

Samsung vient d'annoncer de la mémoire flash qui utilise une finesse de gravure de 30 nanomètres (actuellement, on travaille plutôt en 56 nm, avec un passage prévu en 43 nm). Pour la mémoire MLC uniquement Actuellement, Samsung utilise la technique SaDPT (Self-Aligned Double Patterning Technology) pour sa mémoire. Elle permet de graver des puces de mémoire MLC, ce qui n'est pas vraiment intéressant. En schématisant, la mémoire flash MLC (Multi

Samsung passe à 30 nm pour la mémoire flash MLC... ()

Samsung vient d'annoncer de la mémoire flash qui utilise une finesse de gravure de 30 nanomètres (actuellement, on travaille plutôt en 56 nm, avec un passage prévu en 43 nm). Pour la mémoire MLC uniquement Actuellement, Samsung utilise la technique SaDPT (Self-Aligned Double Patterning Technology) pour sa mémoire. Elle permet de graver des puces de mémoire MLC, ce qui n'est pas vraiment intéressant. En schématisant, la mémoire flash MLC (Multi

Mémoire à changement de phase: Intel fait des progrès... ()

Le géant des semi-conducteurs Intel fait aujourd’hui part d’une avancée significative dans ses recherches sur le développement de la mémoire à changement de phase (également appelée mémoire PCM ou Phase [...] Lire la suite sur : Clubic.com Url de l’article : Mémoire à changement de phase: Intel fait des progrès.

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Notre équipe éditoriale analyse tous les jours l'actualité pour dégager les tendances dans certains des dossiers que nous suivons. Voici ce qui revient souvent en ce moment (les plus fréquents étant écrits en plus gros) :

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