Toshiba présente son nouveau carré magique, une mémoire flash de type Nand de 16Go composée de 8 puces de 2Go!
Certains constructeurs comme Samsung préfèrent intégrer une unique puce c'est...
Toshiba propose des puces de mémoire flash SLC en 43 nm.
Toshiba propose des puces de mémoire flash SLC en 43 nm.
Les deux constructeurs de mémoire Flash NAND se sont entendus pour concilier leurs efforts dans la recherche sur la mémoire Flash NAND, et s'autoriser mutuellement à exploiter les technologies de l'autre.
Toshiba Corp. (TOKYO: 6502) renforce son leadership à la pointe de l'innovation
dans le développement et la fabrication de mémoires flash NAND de forte densité, en annonçant aujourd'hui les premières livraisons de puces mémoire flash NAND fabriquées avec la technologie 32nm. Les échantillons de la première génération de puces gravées en 32 nm au monde, 32-gigabit (4Go), offrant la plus forte densité de toutes les puces flash NAND, sont disponibles dès aujourd'hui, et les puces de 16Gb (2Go) seront disponibles en juillet au Japon. Les puces de 32Gb seront dans un premier temps utilisées dans les cartes mémoire et les clés USB et étendues par la suite aux produits embarqués.
Pour plus d'informations : http://www.toshiba.co.jp/about/press/2009_04/pr2702.htm
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Toshiba Corp. (TOKYO: 6502) renforce son leadership à la pointe de l'innovation
dans le développement et la fabrication de mémoires flash NAND de forte densité, en annonçant aujourd'hui les premières livraisons de puces mémoire flash NAND fabriquées avec la technologie 32nm. Les échantillons de la première génération de puces gravées en 32 nm au monde, 32-gigabit (4Go), offrant la plus forte densité de toutes les puces flash NAND, sont disponibles dès aujourd'hui, et les puces de 16Gb (2Go) seront disponibles en juillet au Japon. Les puces de 32Gb seront dans un premier temps utilisées dans les cartes mémoire et les clés USB et étendues par la suite aux produits embarqués.
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Toshiba vient d annoncer avoir mis au point une puce de mémoire flash regroupant plusieurs modules sous une seule enveloppe physique. Les 8 modules de mémoire flash NAND de 2 Go, gravés en 56nm, accompagnés de leur controleur forment ainsi une seule puce mémoire de 16 Go. Ce sont les téléphones mobiles, les caméras numériques ainsi que tous les périphériques embarqués gourmands en mémoire flash qui vont être contents...
Si cette puce de 16 Go dev
Suite à l'annonce de Samsung, il y a quelques semaines, Toshiba et Sandisk viennent d'annoncer la disponibilité prochaine de puces de mémoire flash NAND atteignant des capacités de 8 et 16 Gbits...
Alors que Toshiba vient tout juste d annoncer la mise au point d une puce de mémoire flash gravée en 56 nm atteignant une capacité record de 16 Go grâce à l utilisation de 8 modules de mémoire flash NAND, voici que le constructeur prévoit déjà de produire et de commercialiser des modules de mémoires flash gravés en 43 nm.
Ces puces devraient être fabriquées à partir du début de l année 2008 par la nouvelle usine que Toshiba doit inaugurer à la fi
Toshiba annonce qu'il sera le premier à proposer de la mémoire Flash NAND gravée en 32 nm. Son premier produit, de la mémoire Flash NAND 4 Go, est disponible dès à présent sous forme d'échantillons.
La société japonaise Toshiba a récemment annoncé avoir mis au point une puce de mémoire flash de 32Go et ayant une dimension de seulement 14 x 18 x 1,4mm ce qui lui permettra d'être facilement intégrée au appareil nécessitant de la mémoire telle ...
Samsung vient de dévoiler une nouvelle puce qui promet de pousser encore plus loin la miniaturisation des téléphones portables. Le moviMCP est une puce multi-étage, qui comprend :
deux puces mémoires Flash NAND de 16 Gb chacune, pour une capacité totale de 4 Goun contoleur mémoire pour ces deux puces (interface eMMC)une puce de 1 Gb de DRAM destinée à servir de mémoire vive au processeur du téléphone2 Gb de NAND Flash destiné à contenir le s
Toshiba a recemment annoncé avoir commencé à produire les premières puces de mémoire Flash, gravées en 32 nanomètre, destinées premièrement aux clés USB, ces puces affichent une capacité de 4Go. Toshiba espère ainsi démontrer son avance...
C'est en janvier dernier que Samsung annonçait sa nouvelle mémoire flash NAND MLC (Multi-Level Cell) gravée à une finesse de 51 nm.
Aujourd'hui, la marque coréenne a fait savoir qu'elle était...
Toshiba déclare aujourd'hui avoir conçu de la mémoire NAND Flash a forte densité.
Le principe de fabrication consiste à assembler les cellules de mémoire en 3 dimensions et d'ainsi augmenter la densité de stockage.
La technologie de Toshiba empile verticalement les couches d'interconnexions et fait passer au travers des piliers de cellules de mémoire.
Il est alors possible [...]
