Dans un communiqué, Samsung a annoncé avoir développé une technologie appelée through silicon via. Elle permet d'empiler les puces silicium de mémoire afin d'augmenter la capacité globale dans un espace inférieur. Selon Samsung, son efficacité est excellente.
Pour interconnecter les puces ainsi empilée, ils percent au laser de micros trous à travers les substrats de semi-conducteurs et y font ensuite passer de minuscules fils de cuivre. L'intérêt de ce procédé est de pouvoir empiler sur une très faible épaisseur jusqu'à 4 couches de mémoire, et de de multiplier par autant la capacité des barrettes sans avoir besoin d'augmenter la densité des transistors, ce qui est très coûteux.
L'avenir nous dira si cette technologie aura du succès. Mais avoir des barrettes de plus forte capacité ou moins chères pour une capacité donnée est plus que séduisant.
Samsung vient de présenter une technologie qui va permettre de créer des barrettes de mémoire de 4 Go à un prix plus abordable qu actuellement. La technologie permet de produire des puces de 2 gigabits (512 Mo) en empilant 4 puces de 512 mégabits de DDR2, et donc de proposer plus facilement des barrettes de mémoire de 4 Go. Des technologies de chip stacking existent déjà, mais Samsung propose un moyen de diminuer la taille physique et la comple
Source : SamsungSamsung vient de monter la barre d'un nouveau cran en sortant des barrettes de mémoire à la capacité inédite.
Grâce à des puces gravées en 80 nm et l'utilisation de la norme FB-DIMM, la capacité totale de cette barrette atteint les 8 Go.
La norme FB-DIMM permet d'accélérer le trafic entre les barrettes de mémoire et de gérer jusqu'à 8 barrettes par canal.
Sachant qu'Intel fait tout pour la pousser dans les nouvelles architectures de serveurs, on pourrait dans le futur avoir à utiliser ces barrettes dans les Xserve.
Source : DailytechLa société MetaRAM annonce avoir développé une technologie appelée DDR2 MetaSDRAM, permettant de doubler ou de quadrupler la capacité des barrettes mémoire tout en préservant leur compatibilité.
Pour arriver à en faire tenir davantage dans un espace constant, ils ont empilé les puces, ce qui n'a rien de nouveau.
Mais ils ont aussi développé des composants spécifiques permettant de faire croire au système que chaque pile de puces mémoire n'est en fait qu'une seule puce de grosse capacité. Ce point est important, sachant qu'un ordinateur ne peut pas gérer un nombre infini de puces sur une barrette.
L'intérêt de cette technologie est double. Il permettra dans le haut de gamme de faire des barrettes de très grosse capacité, mais également de proposer des barrettes de capacité intermédiaire moins coûteuses, sachant que le prix des puces mémoire augmente plus vite que leur contenance. Mais cette seconde possibilité ne sera pas à l'ordre du jour avant longtemps, étant donné que le surcoût de cette technologie est actuellement compris entre 200 et plus de 400$ par barrette.
Il semble que Samsung, un acteur reconnu dans le monde de la DDR2, va passer de 80 nm à 60 nm pour la finesse de gravure de sa mémoire. En diminuant la taille des transistors, Samsung devrait permettre d'augmenter les performances et proposer des puces de 2 gigabits plus facilement qu'actuellement. Une baisse de prix sur les gros modules Les puces de 2 gigabits sont déjà utilisées (par exemple dans les barrettes de 2 Go), mais elles restent rel
Source : DailytechDepuis moins de deux ans, on assiste à une explosion des capacités des puces de mémoire flash permettant de proposer des produits, comme les clés USB ayant des capacités énormes (8 à 16 Go). Cette augmentation s'est essentiellement faite grâce à des gravures de plus en plus fines des composants, permettant de mettre plus de transistors sur un même espace.
Si la marge de progression est encore importante, les gravures en 45 nm étant peu utilisées et la gravure en 32 prévue, les coûts engendrés augmenteront de manière considérable alors que la pression des prix est énorme.
C'est donc tout naturellement que les fabricants de puces ont commencé à songer à empiler plusieurs couches de composants mémoire les uns sur les autres. Si l'idée est simple, le vrai défi consiste à ensuite interconnecter ces composants pour les rendre fonctionnels.
Toshiba pense avoir fait dans ce domaine une percée qui rendrait la chose aisée à industrialiser à un coût acceptable. Pour simplifier à l'extrême l'explication, Toshiba empile successivement ses couches de mémoire horizontalement et verticalement afin d'assurer leur interconnexion avec plus de facilité.
Le constructeur compte grâce à ce procédé décupler la capacité des puces mémoire sans en augmenter la taille.
Les fabricants de processeurs (bien plus complexes que des puces mémoire) planchent aussi sur cette solution d'avenir. IBM semble tenir la corde mais la difficulté est autrement plus importante pour faire de même avec le...
Le marché de la mémoire flash est toujours aussi florissant et prometteur. Mais la concurrence farouche que se livre les différents fabricants et les prix tirés vers le bas les obligent sans cesse à innover et à augmenter les capacités de leurs produits.
Samsung vient d'annoncer avoir démarré la production de puces mémoire de 2Go. Pour arriver à cette capacité, le fondeur a passé ses process de gravure de 60 à 51 nm et a utilisé la technologie MLC (Multi Level Cell). Cette technique permet de stocker deux bits dans une cellule mémoire et donc d'augmenter la densité d'informations. Mais elle a comme défaut d'être plus lente que la SLC qui n'en stocke qu'un. En améliorant ses procédés de fabrications, Samsung a réussi à augmenter le débit de sa mémoire de 80%. Elle devrait selon le constructeur assurer une lecture à 30 Mo/s et une écriture à 8 Mo/s.
Le seul petit problème est que le constructeur est passé d'une structure de page de 2 Ko à 4 Ko. Pour que les appareils courant puissent l'accepter, ils nécessiteront une petite mise à jour de leur firmware.
Samsung propose aujourd'hui des barrettes mémoire affichant une capacité de 32Go de mémoire RAM DDR3. Comparé aux barrettes actuelles ceci est un belle exploit, mais sachant que l'utilisation maximale de mémoire pour un particulier est de 4Go, o...
AMD vient d annoncer le Socket G3 Memory Extender (G3MX), une solution qui permet d augmenter la capacite memoire des serveurs et des systemes haut de gamme, qui devient de plus en plus un facteur limitant avec l arrivee de la virtualisation. Augmenter la memoire sans trop de contraintes La technologie d AMD permet de doubler le nombre de barrettes supportees par le processeur (8 avec un Opteron) en utilisant un composant qui va servir de tampon,
Le moyen le plus courant d'augmenter la capacité d'une puce mémoire est de réduire la taille des transistors. Son principal inconvénient est de nécessiter de lourds investissements en R&D et d'être limité aux technologies existantes. Un autre, qui en est encore à ses débuts consiste à empiler des couches de transistors et à les interconnecter entre elles afin de n'en faire qu'une seule puce.C'est ce que vient de faire Samsung qui annonce une puce de 32 Go composée de 8 couches de 4 Go de données assemblées. Chaque couche est gravée en 30 nm et le tout ne mesure que 0,6 mm d'épaisseur ce qui est un exploit.Le marché visé est celui des téléphones mobiles essentiellement ou encore celui des baladeurs comme l'iPod Touch. Un jour on pourra peut-être utiliser ces puces pour fabriquer des SSD. Si l'on en met 20 dans un 2,5, il atteindra les 640 Go :)
Source : SamsungSamsung a annoncé la production en masse de puces DDR2 800 MHz et gravées en 60nm d'ici la fin de l'année.
Ces puces auront une capacité de 512 Mo, et permettront la démocratisation des barrettes de mémoire de 4 Go.
L'autre intérêt moins mis en avant de cette gravure plus fine est de permettre à Samsung de baisser ses coûts de production. En effet, il leur sera possible de fabriquer 40% de puces en plus sur chaque galette de silicium. Cette augmentation du rendement sera la bienvenue, alors que le marché de la DRAM continue à traverser une crise sans précédent, qui rend leur production très difficile à rentabiliser.
La morosité du marché de la mémoire flash a une conséquence intéressante, elle accélère la recherche et le développement des grands fabricants qui pourront ainsi proposer des produits différents et plus coûteux.
Samsung, a ainsi annoncé avoir fabriqué la première puce de mémoire flash gravée en 30 nm. En empilant plusieurs couches de flash, on obtiendra des puces d'une capacité de 8 Go et d'une taille très réduite.
La société imagine déjà un futur proche où elle proposera des cartes mémoire contenant 16 de ces puces pour une capacité de 128 Go.
Au delà, cette finesse de gravure devrait permettre de faire exploser les capacités des disques SSD. Ensuite, ce ne sera plus qu'une question de positionnement tarifaire et de performances. Mais si on peut créer une carte mémoire, même de la taille d'une Compact Flash, on est pas loin de pouvoir fabriquer des disques SSD 2,5 dépassant le To, ce qui n'arrivera pas avant un bon moment avec les disques durs classiques.
Samsung espère démarrer la production en masse de ces puces courant 2009.
