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De la NAND Flash gravée en 34 nm

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Voici une compilation des sources d'information sur ce sujet :

De la NAND Flash gravée en 34 nm... ()

Source : CDR InfoIntel et micron ont dévoilé la première puce de mémoire flash gravée à moins de 40 nm. Ce prototype gravé en 34 nm a une capacité de 4 Go dans un volume extrêmement réduit. Ces puces seront fabriquées sur des galettes de 300 mm, chacune pouvant ainsi produire 1,6 To de capacité. Bien entendu, les débouchés pour ces produits sont multiples mais essentiellement axés sur le marché naissant des disques SSD. De telles puces permettraient assez facilement de produire des disques SSD de portables de 512 Go ou plus.

Samsung va produire de la flash gravée à 30 nm... ()

La morosité du marché de la mémoire flash a une conséquence intéressante, elle accélère la recherche et le développement des grands fabricants qui pourront ainsi proposer des produits différents et plus coûteux. Samsung, a ainsi annoncé avoir fabriqué la première puce de mémoire flash gravée en 30 nm. En empilant plusieurs couches de flash, on obtiendra des puces d'une capacité de 8 Go et d'une taille très réduite. La société imagine déjà un futur proche où elle proposera des cartes mémoire contenant 16 de ces puces pour une capacité de 128 Go. Au delà, cette finesse de gravure devrait permettre de faire exploser les capacités des disques SSD. Ensuite, ce ne sera plus qu'une question de positionnement tarifaire et de performances. Mais si on peut créer une carte mémoire, même de la taille d'une Compact Flash, on est pas loin de pouvoir fabriquer des disques SSD 2,5 dépassant le To, ce qui n'arrivera pas avant un bon moment avec les disques durs classiques. Samsung espère démarrer la production en masse de ces puces courant 2009.

Intel et Micron annoncent une puce NAND en 25 nm... ()

Intel et Micron viennent d'annoncer une puce flash NAND gravée en 25 nm qui permettra de produire notamment des disques SSD à moindre coût.

Toshiba : gravure en 43 nm début 2008... ()

Alors que Toshiba vient tout juste d annoncer la mise au point d une puce de mémoire flash gravée en 56 nm atteignant une capacité record de 16 Go grâce à l utilisation de 8 modules de mémoire flash NAND, voici que le constructeur prévoit déjà de produire et de commercialiser des modules de mémoires flash gravés en 43 nm. Ces puces devraient être fabriquées à partir du début de l année 2008 par la nouvelle usine que Toshiba doit inaugurer à la fi

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