Source : DigitimesApple a rapproché Hynix dans le but de lui acheter de la NAND Flash de faible densité. Ces modules sont utilisés dans les iPod Shuffle de 512 Mo et 1 Go.
Visiblement, notre constructeur favori souhaite diversifier au maximum ses sources d'approvisionnement afin de ne plus connaître de pénurie, et probablement pour faire jouer au mieux la concurrence.
Samsung vient d annoncer que des puces de mémoire NAND MLC rapides vont bientot être disponibles. La NAND MLC (Multi Layer Cell) est le type de mémoire utilisé dans certaines clés USB et les cartes mémoire des téléphones. La mémoire MLC Il existe deux types de mémoire flash NAND, la MLC et la SLC. La première stocke plusieurs bits dans un transistor (généralement deux) et est moins chère que la SLC (qui n en stocke qu un seul), mais a deux défaut
Les deux constructeurs de mémoire Flash NAND se sont entendus pour concilier leurs efforts dans la recherche sur la mémoire Flash NAND, et s'autoriser mutuellement à exploiter les technologies de l'autre.
Hier, Samsung a annoncé le début de la production en masse de deux versions de ses nouvelles mémoire flash NAND gravées en 30nm. Ces puces équipées de mémoire DDR (double data rate) à coeur multi niveau NAND comme la mémoire ram DDR RAM, peuvent enregistrer 2 fois plus de données par cycle et ainsi être [...]
Selon les spécialistes, l'iPhone et l'iPod ne consommeraient pas moins de
25% de la mémoire flash mondiale !
Il s'agit plus précisément de la mémoire Nand, sélectionnée
pour sa faible consommation d'énergie, ses
performances et sa faible taille. Avec de
telles commandes, Apple laisse de moins en moins de place à ses concurrents,
particulièrement chez Samsung, leader dans le domaine. Ils risqueraient même,
selon certains, d'être en pénurie de mémoire au troisième
trimestre.
Samsung vient d'annoncer à certains de ses partenaires qu'il livrerait moins de NAND d'ici les prochaines semaines. Les sources expliquent qu'Apple vient de passer une grosse commande de puces 8 Gbit pour l'iPhone et autres.
Toshiba annonce qu'il sera le premier à proposer de la mémoire Flash NAND gravée en 32 nm. Son premier produit, de la mémoire Flash NAND 4 Go, est disponible dès à présent sous forme d'échantillons.
Intel vient d investir 65 millions de dollars dans la société Powertech Technology Inc., un producteur taiwanais de mémoire flash NAND. La NAND et la NOR La mémoire NAND est le type de mémoire flash le plus courant. Relativement bon marché, elle permet de grandes capacités grâce à sa densité élevée. Elle est moins rapide que la NOR en lecture, mais beaucoup plus rapide en écriture (plus précisément au niveau de l effacement des cellules). La mémo
Les principaux acteurs et analystes du marché de la mémoire flash commencent à s accorder sur le fait que l offre risque de devenir insuffisante face à la demande en matière de mémoire flash NAND au cours du second trimestre 2007. Ainsi après l analyse de PQI et l étude de DRAMeXchange, toutes deux réalisées il y a quelques jours, c est au tour de Samsung et d Hynix de donner leur avis.
Les prix unitaires des puces de mémoire NAND 8 Gb fabriquées
Malgré les efforts de la R&D, les capacités de la mémoire flash Nand arriveront aux derniers retranchements de la physique quantique. Les constructeurs sont déjà en train de trouver des solutions alternatives comme la mémoire flash 3D ou PCM.
La joint-venture opérée par les deux groupes américains a lancé la production de masse de ses modules 32 Go de mémoire Nand, gravés en 34 nm.
La joint-venture opérée par les deux groupes américains a lancé la production de masse de ses modules 32 Go de mémoire Nand, gravés en 34 nm.
La joint-venture opérée par les deux groupes américains a lancé la production de masse de ses modules 32 Go de mémoire Nand, gravés en 34 nm.
La joint-venture opérée par les deux groupes américains a lancé la production de masse de ses modules 32 Go de mémoire Nand, gravés en 34 nm.
Intel et Micron ont annoncé un nouveau type de mémoire NAND permettant d'atteindre des débits de 200 Mo/s en lecture et de 100 Mo/s en écriture.
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