Samsung vient de produire le premier prototype fonctionnel de PRAM (Phase-change Random Access Memory) un nouveau type de mémoire qui devrait remplace
La mémoire flash telle que nous la connaissons va-t-elle être rapidement remplacée ? Nous avions déjà évoqué la PRAM (Phase-change Random Access Memory) appelée aussi mémoire à changement de...
Une mémoire à changement de phase – PRam – est en cours de mise au point chez Intel et STMicroelectronics. Cette famille de circuits, déjà connue, est candidate à la succession de la mémoire Flash. Ce nouveau prototype à quatre états apporte des performances inédites.A la conférence IEEE sur les composants électroniques (ISSCC), Intel vient de présenter un prototype de mémoire à changement de phase (PRam, Phase-change Ram) aux performances étonnantes. Dans une PRam, l'information est mémori...
Les uns après les autres les fabricants de mémoires cèdent au charme de la PRAM, alias mémoire à changement de phase. Après avoir été présentée par Samsung, soutenue par Intel et perfectionnée chez Hitachi, la PRAM va arriver chez Hynix. La firme vient de signer un accord avec Ovonix, société inventeuse de la PRAM.
L'accord initie une coopération à long terme, mais on ne sait pas quand Hynix prévoit de débuter la production PRAM. Intel et Sams
Le constructeur Elpida vient d'annoncer que son usine d'Hiroshima venait de lancer, deux mois seulement après avoir achevé sa mise au point, la production de masse de puces de 2 Gb de mémoire DDR3 gravées en 40 nm.
Elpidia vient d'annoncer un partenariat avec le fondeur UMC destiné à produire des puces DRAM et PRAM. La réciprocité du partenariat Le partenariat semble judicieux pour les deux sociétés. De son côté, Elpidia achète la licence d'UMC pour l'utilisation de sa technologie copper/low-k. Cette technologie permet l'utilisation de cuivre et de matériaux à faible diélectrique au sein d'un die. L'objectif est d'accroître les performances d'un semi-cond
Elpida vient de présenter les premiers modules mémoire de 2 Go au format LPDDR2 destinés aux petits appareils mobiles.
Ces modules mémoire 2 Go LPDDR2 gravés en 50nm fonctionnent en 1.2V et offrent un débit de 800 Mbits/s. En comparaison, la DDR2 traditionnelle est en 1.8V et la DDR3 en 1.5V.
Affichant une faible consommation d'énergie environ [...]
La première société à produire des composants mémoire avec un procédé 65 nm sera la société japonaise Elpida, d’après Nikkei.
Le fabricant de mémoire vive Elpida vient d annoncer avoir lancé la production de masse de puces DDR2 gravées en 70 nm. Celles-ci seront donc disponib
Elpida vient de dévoiler une puce mémoire FBGA de 512 Mbits gravée en 70nm capable d'atteindre un taux de transfert de l'ordre de 9,6 Go/s (six fois la bande passante d'une puce mémoire DDR2-800). Pour parvenir à de telles performances, le constructeur utilise plusieurs technologies mises au point par Rambus. Le DSRL (Differential Rambus Signaling Level) élimine tout bruit et lisse le signal alors que l'ODR (Octal Data Rate), propre à la technol
Elpida vient de dévoiler une puce mémoire FBGA de 512 Mbits gravée en 70nm capable d'atteindre un taux de transfert de l'ordre de 9,6 Go/s (six fois la bande passante d'une puce mémoire DDR2-800). Pour parvenir à de telles performances, le constructeur utilise plusieurs technologies mises au point par Rambus. Le DSRL (Differential Rambus Signaling Level) élimine tout bruit et lisse le signal alors que l'ODR (Octal Data Rate), propre à la technol
Le japonais Elpida annonce cette semaine la sortie de ce que qui constituera vraisemblablement la première barrette mémoire de 16 Go jamais mise sur le marché. Au format FB-DIMM, cette mémoire, qui se [...]
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Url de l’article : Une barrette mémoire FB-DIMM de 16 Go chez Elpida.
Des scientifiques de l'Université de Pennsylvanie viennent d'annoncer avoir développé une PRAM capable de stocker des informations pendant 100 000 ans et ayant une vitesse mille fois plus rapide que les mémoires Flash actuelles, tout en utilisant moins de puissance et en prenant moins de place. Une chose est sûre, voici une mémoire dont tout le monde rêve, mais elle est loin d'atterrir entre nos mains de consommateurs moyens. Des fils qui se cré
Le constructeur Elpida vient d'annoncer de nouvelles puces de mémoire DDR3 capable de fonctionner à une fréquence de 1250 MHz (soit 2500 MHz DDR). D'une capacité de 1 Gbit, ces puces ont l'avantage de pouvoir fonctionner à une telle vitesse avec une tens
Samsung vient de dévoiler qu il avait déjà commencé la livraison de samples de PRAM (Phase Change RAM) gravé en 90 nm sur des wafers de 200 mm chaque puce a une capacité allant de 32 à 64 Mo. Les destinataires sont des fabricants de téléphones portables. Selon le Coréen, d autres samples d ingénierie devraient être livrés à partir du mois d avril jusqu au mois de juin. Les samples commerciaux devraient être livrés fin 2007 pour une production en
