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Notre équipe éditoriale analyse tous les jours l'actualité pour dégager les tendances dans certains dossiers. Voici ce qui revient souvent en ce moment (les plus fréquents étant écrits en plus gros) :

PRAM

 Dans l'actualité

  • La mémoire PRAM pour remplacer la mémoire flash ? - 2006-12-12
    La mémoire flash telle que nous la connaissons va-t-elle être rapidement remplacée ? Nous avions déjà évoqué la PRAM (Phase-change Random Access Memory) appelée aussi mémoire à changement de...
  • Elpida et EMC sortent la PRAM
    Le fabriquant de mémoire Elpida s’est associé au fondeur taïwanais UMC pour concevoir de la PRAM (Phase change Random Access Memory) à base de cuivre.[...]
  • Samsung et la mémoire flash: gravure plus fine, capacité plus grande et nouvelle PRAM
  • Toshiba grave la mémoire flash en 43 nm
    Toshiba propose des puces de mémoire flash SLC en 43 nm.[...]
  • IBM mise sur la PCM pour succéder à la mémoire flash
    Après Samsung ou Intel, c'est au tour d'IBM de faire la démonstration d'une mémoire à changement de phase. Sa technologie serait 500 fois plus rapide que la mémoire flash actuelle. Le groupe prévoit d[...]
  • Stockage: bientôt la fin de la mémoire flash Nand ?
    Malgré les efforts de la R&D, les capacités de la mémoire flash Nand arriveront aux derniers retranchements de la physique quantique. Les constructeurs sont déjà en train de trouver des solutions alt[...]
  • Une mémoire flash iNAND de 8 Go chez Sandisk
    C'est lors du 3GSM que Sandisk a annoncé une nouvelle version de sa mémoire flash embarquée iNAND, d'une capacité de 8Go ! Cette mémoire est compatible avec le bus, les commandes SD et répond à...[...]
  • Samsung présente sa PRAM
    Samsung vient de produire le premier prototype fonctionnel de PRAM (Phase-change Random Access Memory) un nouveau type de mémoire qui devrait remplace
  • La mémoire à changement de phase arrive chez Hynix
    Les uns après les autres les fabricants de mémoires cèdent au charme de la PRAM, alias mémoire à changement de phase. Après avoir été présentée par Samsung, soutenue par Intel et perfectionnée chez Hitachi, la PRAM va arriver chez Hynix. La firme vient de signer un accord avec Ovonix, société inventeuse de la PRAM. L'accord initie une coopération à long terme, mais on ne sait pas quand Hynix prévoit de débuter la production PRAM. Intel et Sams
  • Une PRAM 1000 fois plus rapide que de la mémoire Flash
    Des scientifiques de l'Université de Pennsylvanie viennent d'annoncer avoir développé une PRAM capable de stocker des informations pendant 100 000 ans et ayant une vitesse mille fois plus rapide que les mémoires Flash actuelles, tout en utilisant moins de puissance et en prenant moins de place. Une chose est sûre, voici une mémoire dont tout le monde rêve, mais elle est loin d'atterrir entre nos mains de consommateurs moyens. Des fils qui se cré
  • Deux bits par cellule mémoire pour le successeur de la mémoire Flash ?
    Une mémoire à changement de phase – PRam – est en cours de mise au point chez Intel et STMicroelectronics. Cette famille de circuits, déjà connue, est candidate à la succession de la mémoire Flash. Ce nouveau prototype à quatre états apporte des performances inédites.A la conférence IEEE sur les composants électroniques (ISSCC), Intel vient de présenter un prototype de mémoire à changement de phase (PRam, Phase-change Ram) aux performances étonnantes. Dans une PRam, l'information est mémori...
  • Intel passe au 65 nm pour la flash NOR
    Intel vient d'annoncer que sa mémoire NOR va passer en 65 nm, ce qui devrait permettre de diminuer le prix de cette mémoire flash (et augmenter un peu les performances). La mémoire NOR, une mémoire méconnue La mémoire NOR est un type de mémoire flash assez méconnu, et pourtant très utilisé : la majorité des téléphones portables utilisent ce type de mémoire comme support de stockage pour le système d'exploitation. Cette mémoire est très rapide e
  • Samsung passe à 30 nm pour la mémoire flash MLC
    Samsung vient d'annoncer de la mémoire flash qui utilise une finesse de gravure de 30 nanomètres (actuellement, on travaille plutôt en 56 nm, avec un passage prévu en 43 nm). Pour la mémoire MLC uniquement Actuellement, Samsung utilise la technique SaDPT (Self-Aligned Double Patterning Technology) pour sa mémoire. Elle permet de graver des puces de mémoire MLC, ce qui n'est pas vraiment intéressant. En schématisant, la mémoire flash MLC (Multi

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