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Notre équipe éditoriale analyse tous les jours l'actualité pour dégager les tendances dans certains dossiers. Voici ce qui revient souvent en ce moment (les plus fréquents étant écrits en plus gros) :

Puce mémoire de 1 Gbit

 Dans l'actualité

  • La première puce mémoire de 1 Gbit pour mobiles chez Samsung - 2006-12-29
    Samsung Electronics indique avoir développé la première puce mémoire DRAM (dynamic random access memory) pour appareils mobiles, dotée d'une capacité de stockage de 1 gigabit (Gbit).
  • Stockage : Samsung annonce une carte microSD à 32 Go et une puce mémoire à 64 Go
    Les deux types de mémoire flash vont étendre les capacités de stockage des smartphones et autres périphériques mobile.[...]
  • Elpida : une puce mémoire cadencée à 4,8 GHz
    Elpida vient de dévoiler une puce mémoire FBGA de 512 Mbits gravée en 70nm capable d'atteindre un taux de transfert de l'ordre de 9,6 Go/s (six fois la bande passante d'une puce mémoire DDR2-800). Pou[...]
  • Matrix dévoile une puce mémoire à 1 Gbit
  • Samsung innove sur le terrain des chips mémoire pour mobiles
    Le constructeur asiatique a annoncé le développement d'une nouvelle puce mémoire, plus petite et consommant moins d'énergie que les technologies actuelles. Une avancée qui pourrait avoir des conséquen[...]
  • La mémoire PRAM pour remplacer la mémoire flash ?
    La mémoire flash telle que nous la connaissons va-t-elle être rapidement remplacée ? Nous avions déjà évoqué la PRAM (Phase-change Random Access Memory) appelée aussi mémoire à changement de...[...]
  • Mémoire flash de 16Go chez Toshiba
    Toshiba présente son nouveau carré magique, une mémoire flash de type Nand de 16Go composée de 8 puces de 2Go! Certains constructeurs comme Samsung préfèrent intégrer une unique puce c'est...[...]
  • Une puce de mémoire Flash de 16 Go chez Toshiba
    Toshiba vient d annoncer avoir mis au point une puce de mémoire flash regroupant plusieurs modules sous une seule enveloppe physique. Les 8 modules de mémoire flash NAND de 2 Go, gravés en 56nm, accompagnés de leur controleur forment ainsi une seule puce mémoire de 16 Go. Ce sont les téléphones mobiles, les caméras numériques ainsi que tous les périphériques embarqués gourmands en mémoire flash qui vont être contents... Si cette puce de 16 Go dev
  • Samsung moviMCP : la mémoire des téléphones 3G
    Samsung vient de dévoiler une nouvelle puce qui promet de pousser encore plus loin la miniaturisation des téléphones portables. Le moviMCP est une puce multi-étage, qui comprend : deux puces mémoires Flash NAND de 16 Gb chacune, pour une capacité totale de 4 Goun contoleur mémoire pour ces deux puces (interface eMMC)une puce de 1 Gb de DRAM destinée à servir de mémoire vive au processeur du téléphone2 Gb de NAND Flash destiné à contenir le s
  • Après la DRAM, voici la URAM
    Des chercheurs coréens, menés par le professeur Choi Yang-kyu, viennent de mettre au point une puce d'URAM, pour United RAM. Hybride, cette puce regroupe à la fois de la mémoire vive classique et de la mémoire flash, ce qui permet, selon les cherche
  • Elpida : une puce mémoire cadencée à 4,8 GHz
    Elpida vient de dévoiler une puce mémoire FBGA de 512 Mbits gravée en 70nm capable d'atteindre un taux de transfert de l'ordre de 9,6 Go/s (six fois la bande passante d'une puce mémoire DDR2-800). Pour parvenir à de telles performances, le constructeur utilise plusieurs technologies mises au point par Rambus. Le DSRL (Differential Rambus Signaling Level) élimine tout bruit et lisse le signal alors que l'ODR (Octal Data Rate), propre à la technol
  • De la GDDR5 avec la prochaine puce NVIDIA ?
    Selon le profil LinkedIn d'un ingénieur NVIDIA, la société au Caméléon travaillerait sur une puce supportant la mémoire GDDR5. Alors que la firme était resté fidèle à la GDDR3 avec la puce GT200, la GT214 utiliserait cette mémoire plus efficace.Une pu
  • Hynix: des puces de 1 Gb de DDR3 en 40 nm
    Quelques jours après Samsung et ses modules de 1 Gbit de mémoire DDR2 gravés en 40 nm, c'est au tour du constructeur Hynix d'annoncer ses premières puces de 1 Gbit de mémoire DDR3, également gravées en 40 nm.Capable d'atteindre une bande passante de 213

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