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Notre équipe éditoriale analyse tous les jours l'actualité pour dégager les tendances dans certains dossiers. Voici ce qui revient souvent en ce moment (les plus fréquents étant écrits en plus gros) :

Samsung mémoire SSD

 Dans l'actualité

  • Samsung : de la mémoire SSD 64 GB SATA 2,5?
    Le constructeur Samsung a commencé à vendre de la mémoire Flash SSD 64 Go SATA en 2,5?. Cette mémoire NAND devrait équiper certains futurs ordinateurs portables de chez Dell et Alienware.[...]
  • Mémoire Flash NAND de 30nm chez Samsung
    Hier, Samsung a annoncé le début de la production en masse de deux versions de ses nouvelles mémoire flash NAND gravées en 30nm. Ces puces équipées de mémoire DDR (double data rate) à coeur multi nive[...]
  • Mémoire flash 16Go chez Samsung
    C'est en janvier dernier que Samsung annonçait sa nouvelle mémoire flash NAND MLC (Multi-Level Cell) gravée à une finesse de 51 nm. Aujourd'hui, la marque coréenne a fait savoir qu'elle était...[...]
  • [CES 2007] Vidéo du Samsung SGH-F300
    Le Samsung SGH-F300 est le Music Phone double faces de Samsung. Il dispose de 100Mo de mémoire flash extensible via un slot microSD jusqu'à 2Go, d'un large écran de TFT 256k couleurs de 2,1...[...]
  • Samsung livre le premier disque dur hybride à mémoire flash
    Samsung commercialisera en mai ou juin prochain son premier disque dur hybride intégrant 256 Mo de mémoire Flash, en plus du classique stockage sur plateau magnétique.[...]
  • IBM mise sur la PCM pour succéder à la mémoire flash
    Après Samsung ou Intel, c'est au tour d'IBM de faire la démonstration d'une mémoire à changement de phase. Sa technologie serait 500 fois plus rapide que la mémoire flash actuelle. Le groupe prévoit d[...]
  • Samsung passe à 30 nm pour la mémoire flash MLC
    Samsung vient d'annoncer de la mémoire flash qui utilise une finesse de gravure de 30 nanomètres (actuellement, on travaille plutôt en 56 nm, avec un passage prévu en 43 nm). Pour la mémoire MLC uniquement Actuellement, Samsung utilise la technique SaDPT (Self-Aligned Double Patterning Technology) pour sa mémoire. Elle permet de graver des puces de mémoire MLC, ce qui n'est pas vraiment intéressant. En schématisant, la mémoire flash MLC (Multi
  • La GDDR4 de Samsung pour les Radeon HD
    Samsung vient d annoncer que ce sont ses puces de memoire GDDR4 qui ont ete choisies par AMD pour les tres rares cartes Radeon HD 2900XT 1 Go et les tres decevantes cartes Radeon HD 2600XT. De la memoire tres rapide La memoire de Samsung, gravee en 80 nm, est tres rapide. Actuellement, Samsung propose des puces de 512 megabits (on doit donc en utiliser quatre sur une carte 256 Mo et seize sur une carte 1 Go). La memoire GDDR4, tres peu utilisee a
  • Mémoire Flash : Samsung voudrait racheter Sandisk
    Avec une capitalisation boursière de quelque trois milliards de dollars, Sandisk serait la plus grosse proie à laquelle s’est jamais attaqué Samsung. Actuel numéro un mondial sur le marché de la mémoire [...] Lire la suite sur : Clubic.com Url de l’article : Mémoire Flash : Samsung voudrait racheter Sandisk.
  • Samsung propose une barrette de 32Go de RAM
    Samsung propose aujourd'hui des barrettes mémoire affichant une capacité de 32Go de mémoire RAM DDR3. Comparé aux barrettes actuelles ceci est un belle exploit, mais sachant que l'utilisation maximale de mémoire pour un particulier est de 4Go, o...
  • Samsung propose de la NAND MLC rapide
    Samsung vient d annoncer que des puces de mémoire NAND MLC rapides vont bientot être disponibles. La NAND MLC (Multi Layer Cell) est le type de mémoire utilisé dans certaines clés USB et les cartes mémoire des téléphones. La mémoire MLC Il existe deux types de mémoire flash NAND, la MLC et la SLC. La première stocke plusieurs bits dans un transistor (généralement deux) et est moins chère que la SLC (qui n en stocke qu un seul), mais a deux défaut
  • Samsung prépare sa mémoire Flash NAND gravée en 60 nm
    Samsung nous prouve une fois de plus qu'il est une fois de plus le leader en innovation dans le domaine de la mémoire. Cette fois-ci l'innovation concerne de le mermoire Flash puisque le constructeur coréen vient d'annoncer avoir reussi à quadruplé de la mémoire Flash NAND, il a ainsi présenté un module d’une capacité de 8 Gbits soit environ1 Go. Cette nouvelle celllule de mémoire multi-level canal (MLC) (...)

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