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Intel et Micron lancent le 25 nm pour les disques flashs

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 Actualités

Voici une compilation des sources d'information sur ce sujet :

Intel et Micron lancent le 25 nm pour les disques flashs... ()

Les deux fondeurs se sont alliés pour lancer une technologie en 25 nm dans les mémoires Flash NAND ce qui devrait doubler la capacité de stockage des appareils utilisant cette technologie.

Intel et Micron : des SSD gravés en 25nm pour la fin 2010... ()

Via leur joint-venture IMTF (Intel-Micron Flash Technologies) créée en 2006, Intel et Micron annonce la production de puces mémoires gravées en 25nm. Les premiers exemplaires de ces puces mémoires flash NAND MLC dotées d'une gravure de 25nm sont le résultat d'un processus de fabrication à “lithographie par immersion” et affichent une capacité de 8 Go. Leur [...]

Intel et Micron annoncent une puce NAND en 25 nm... ()

Intel et Micron viennent d'annoncer une puce flash NAND gravée en 25 nm qui permettra de produire notamment des disques SSD à moindre coût.

Toshiba révèle son premier disque dur SSD de 512Go... ()

Toshiba annonce aujourd'hui l'extension de sa gamme de mémoires flash NAND SLC, avec le lancement du premier disque dur SSD d'une capacité de stockage de 512Go. Offrant des performances encore inégalées en matière de durée de vie, de capacité de stockage et de fiabilité, ces mémoires flash NAND SLC sont (...)

Intel et Micron ensemble pour la flash NAND... ()

Intel vient d annoncer que sa coentreprise avec Micron était capable de produire des puces de mémoire NAND MLC en 50 nm. Les puces de MLC (Multi Layer Cell) permettent de stocker plusieurs bits dans un seul transistor, et donc d augmenter la densité. Intel indique que des puces de 16 gigabits (2 Go) sont possibles avec cette technologie. La mémoire MLC, qui a le désavantage d être lente en écriture, est essentiellement utilisée dans les cartes Mi

Intel et Micron et la NAND en 34 nm... ()

Intel et Micron sont les premiers à annoncer avoir produit un wafer de mémoire flash NAND gravé en 34 nm.

Systèmes-Réseaux > Intel et Micron multiplient par 5 les performances des mémoires Flash... ()

Intel et Micron viennent de développer une nouvelle puce à mémoire flash plus rapide. D'une capacité de 8 Go, cette mémoire ...

Les jours des mémoires flash Nand sont-ils comptés'... ()

La technologie des mémoires flash de type Nand atteindra très vite ses limites, que lui imposeront les lois de la physique quantique. De l'aveu même des fabricants, notamment Sandisk, Toshiba ou Samsung, qui étudient déjà des technologies alternatives.

Une interface NAND 5x plus rapide... ()

Intel et Micron viennent de présenter une interface pour mémoire Flash NAND permettant de multiplier les taux de transfert par cinq. OFNi La technologie employée a été définie par le groupe de travail Open NAND Flash Interface (ONFi). Au mois de novembre dernier, le groupe annonçait la publication de brouillon 0.9 de la norme ONFi 2.0 (cf. « ONFi 2.0 : pour de la mémoire Flash 2,5x plus rapide »). À l'époque, on parlait d'une amélioration de seu

Toshiba compte doubler sa production de mémoires flash... ()

Toshiba a annoncé hier son intention de doubler sa production de mémoires flash NAND afin de répondre à l'explosion de la demande de ce type de composants utilisés notamment dans les appareils photo et les baladeurs numériques ou encore les clefs USB. Le groupe nippon prévoit de faire passer sa...

Intel et Micron sortiront de la flash 25 nm au deuxième trimestre... ()

Intel et Micron associés depuis des années pour la fabrication de mémoire Flash NAND ont annoncé leur intention de démarrer dès le deuxième trimestre de cette année des puces gravées en 25 nm. Cette mémoire sera destinée aux appareils embarqués mais surtout aux disques SSD, ceux d'Intel en tête bien entendu. Actuellement, les puces utilisées dans les X25 sont gravées en 34 nm et permettent de vendre des disques de 160 Go n'utilisant qu'une seule face de la carte logique. Ils pourraient donc produire des disques ayant le double de cette capacité. Auparavant, les X25 utilisant des puces gravées en 50 nm permettaient d'obtenir des disques de 80 Go au maximum.Avec cette nouvelle mémoire, Intel sera certainement en mesure de démocratiser le prix des disques 160 Go et d'en proposer en 320 et 640 Go. Si Intel reste cohérent avec ses gammes et les fait évoluer comme auparavant, doublant la capacité sans changer le prix des produits, on pourrait avoir aussi en entrée de gamme des disques de 80 Go dont le prix resterait à peine supérieur aux 100 Euros. Samsung leur principal concurrent sur ce marché a annoncé qu'il passerait à cette finesse de gravure d'ici la fin de l'année.

Les ventes de mémoires flash NAND en hausse... ()

Selon un rapport du cabinet d'étude iSupply, les ventes mondiales de mémoires flash NAND auraient progressé de 37% au troisième trimestre 2007 pour atteindre 4,2 milliards de dollars. Cette augmentation des ventes s'explique par l'arrivée récente sur le marché de nouveaux produits high-tech utilisant ce type de mémoire. Demande en hausse, offre en hausse La production de mémoire flash NAND, utilisée dans de nombreux appareils mobiles (téléphones

Systèmes-Réseaux > Une puce mémoire Flash NAND de 32 Gb signée Intel et Micron... ()

Travaillant de concert depuis 2005 à la création d'une joint-venture baptisée IM Flash Technologies, Intel et Micron ont mis...

Doubler la capacité de la flash avec la MLC 4 bits... ()

La flash NAND évolue, et c'est tant mieux. La prochaine évolution, c'est le passage de la mémoire MLC 2 bits (comme actuellement) à 4 bits, ce qui va permettre de doubler la capacité de la mémoire. Une technique difficile à mettre en oeuvre Le gros problème de la technologie, c'est la mise en oeuvre. Sans entrer dans les détails, le fonctionnement de la mémoire flash nécessite deux tensions différentes pour une mémoire à 1 bit (SLC), pour diffé

Doubler la capacité de la flash avec la MLC 4 bits... ()

La flash NAND évolue, et c'est tant mieux. La prochaine évolution, c'est le passage de la mémoire MLC 2 bits (comme actuellement) à 4 bits, ce qui va permettre de doubler la capacité de la mémoire. Une technique difficile à mettre en oeuvre Le gros problème de la technologie, c'est la mise en oeuvre. Sans entrer dans les détails, le fonctionnement de la mémoire flash nécessite deux tensions différentes pour une mémoire à 1 bit (SLC), pour diffé

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