Intel et Micron sont les premiers à annoncer avoir produit un wafer de mémoire flash NAND gravé en 34 nm.
Intel et Micron ont annoncé un nouveau type de mémoire NAND permettant d'atteindre des débits de 200 Mo/s en lecture et de 100 Mo/s en écriture.
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Le nouveau type de mémoire NAND annoncé par Intel et Micron permet d'atteindre des débits de 200 Mo/s en lecture et de 100 Mo/s en écriture.
Intel et Micron viennent d'annoncer une puce flash NAND gravée en 25 nm qui permettra de produire notamment des disques SSD à moindre coût.
Hynix possede actuellement 18,5% des parts de marche concernant la production de puces de memoires flash NAND. Le fabricant est actuellement malmene par Samsung Electronics et Toshiba, ces deux concurrents utilisant deja des finesses de gravure de respectivement 50nm et 56nm. Hynix vient donc d annoncer que sa production de puces de memoires flash NAND gravees en 57nm devrait debuter au troisieme trimestre 2007.
Cette reduction de la finesse de g
Intel et micron qui ont une joint venture dans la fabrication de mémoire FLASN NAND ont annoncé avoir démarré la production de puces de 4 Go de mémoire MLC gravée en 34nm.
Si les investissements pour arriver à cette finesse ont été très lourds dans un marché plus que morose, il aidera les deux sociétés à abaisser le coût de reviens de chaque puce, mais surtout à ne pas se laisser distancer par Samsung, le marché des disques SSD restant un eldorado pour ceux qui résisteront à la crise.
Alors que la production de puces mémoires flash NAND gravées en 57nm n'est effective que depuis le troisième trimestre 2007 chez Hynix, le constructeur vient d'annoncer son intention de produire en masse de la mémoire flash NAND gravée en 48nm dès le début de l'année 2008. Hynix en avance Après avoir connu un retard face à ses principaux concurrents Samsung Electronics et Toshiba, Hynix pourrait donc bien être le premier fabricant à utiliser une
Hynix aurait décidé de réduire sa production de mémoires Flash NAND, alors que certaines sources parlent d'un surplus et de prix en baisse.
Hynix aurait décidé de réduire sa production de mémoires Flash NAND, alors que certaines sources parlent d'un surplus et de prix en baisse.
Hynix aurait décidé de réduire sa production de mémoires Flash NAND, alors que certaines sources parlent d'un surplus et de prix en baisse.
Hynix aurait décidé de réduire sa production de mémoires Flash NAND, alors que certaines sources parlent d'un surplus et de prix en baisse.
Hynix aurait décidé de réduire sa production de mémoires Flash NAND, alors que certaines sources parlent d'un surplus et de prix en baisse.
Intel vient d annoncer que sa coentreprise avec Micron était capable de produire des puces de mémoire NAND MLC en 50 nm. Les puces de MLC (Multi Layer Cell) permettent de stocker plusieurs bits dans un seul transistor, et donc d augmenter la densité. Intel indique que des puces de 16 gigabits (2 Go) sont possibles avec cette technologie. La mémoire MLC, qui a le désavantage d être lente en écriture, est essentiellement utilisée dans les cartes Mi
Silicon Motion vient d'annoncer que ses contrôleurs les plus récents venaient d'être validés par Micron pour fonctionner avec ses puces de mémoire flash NAND gravées en 34 nm, fraichement annoncées (cf « Micron annonce ses NAND en 34 nm »).Ainsi, les SM
Travaillant de concert depuis 2005 à la création d'une joint-venture baptisée IM Flash Technologies, Intel et Micron ont mis...
