Intel et micron qui ont une joint venture dans la fabrication de mémoire FLASN NAND ont annoncé avoir démarré la production de puces de 4 Go de mémoire MLC gravée en 34nm.
Si les investissements pour arriver à cette finesse ont été très lourds dans un marché plus que morose, il aidera les deux sociétés à abaisser le coût de reviens de chaque puce, mais surtout à ne pas se laisser distancer par Samsung, le marché des disques SSD restant un eldorado pour ceux qui résisteront à la crise.
Intel et Micron viennent d'annoncer une puce flash NAND gravée en 25 nm qui permettra de produire notamment des disques SSD à moindre coût.
Intel et Micron ont annoncé un nouveau type de mémoire NAND permettant d'atteindre des débits de 200 Mo/s en lecture et de 100 Mo/s en écriture.
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Travaillant de concert depuis 2005 à la création d'une joint-venture baptisée IM Flash Technologies, Intel et Micron ont mis...
La joint-venture opérée par les deux groupes américains a lancé la production de masse de ses modules 32 Go de mémoire Nand, gravés en 34 nm.
La joint-venture opérée par les deux groupes américains a lancé la production de masse de ses modules 32 Go de mémoire Nand, gravés en 34 nm.
La joint-venture opérée par les deux groupes américains a lancé la production de masse de ses modules 32 Go de mémoire Nand, gravés en 34 nm.
La joint-venture opérée par les deux groupes américains a lancé la production de masse de ses modules 32 Go de mémoire Nand, gravés en 34 nm.
Le nouveau type de mémoire NAND annoncé par Intel et Micron permet d'atteindre des débits de 200 Mo/s en lecture et de 100 Mo/s en écriture.
Via leur joint-venture IMTF (Intel-Micron Flash Technologies) créée en 2006, Intel et Micron annonce la production de puces mémoires gravées en 25nm.
Les premiers exemplaires de ces puces mémoires flash NAND MLC dotées d'une gravure de 25nm sont le résultat d'un processus de fabrication à “lithographie par immersion” et affichent une capacité de 8 Go. Leur [...]
Intel vient d annoncer que sa coentreprise avec Micron était capable de produire des puces de mémoire NAND MLC en 50 nm. Les puces de MLC (Multi Layer Cell) permettent de stocker plusieurs bits dans un seul transistor, et donc d augmenter la densité. Intel indique que des puces de 16 gigabits (2 Go) sont possibles avec cette technologie. La mémoire MLC, qui a le désavantage d être lente en écriture, est essentiellement utilisée dans les cartes Mi
Intel et Micron sont les premiers à annoncer avoir produit un wafer de mémoire flash NAND gravé en 34 nm.
Suite à une perte de 1,6 milliards sur l’exercice fiscal 2008, Micron Technology, le premier fabricant américain de mémoire vient d’annoncer la fermeture de l’une de ses usines de production de mémoire flash Nand employée dans la fabrication des disques SSD des Netbooks.
Dans les faits, cela va se traduire par le licenciement sur une [...]
Silicon Motion vient d'annoncer que ses contrôleurs les plus récents venaient d'être validés par Micron pour fonctionner avec ses puces de mémoire flash NAND gravées en 34 nm, fraichement annoncées (cf « Micron annonce ses NAND en 34 nm »).Ainsi, les SM
Intel annonce sa nouvelle génération de SSD X25-M équipés de puces MLC (Multi-Level Cell) gravées en 34 nm.
Il s'agit là d'une belle évolution sachant que précédemment les SSD Intel X25-M intégraient des puces mémoire flash NAND de 50 nm.
La firme de Santa Clara annonce une latence réduite de 25% pour ses nouveaux SSD X25-M 34 [...]
