C'est en janvier dernier que Samsung annonçait sa nouvelle mémoire flash NAND MLC (Multi-Level Cell) gravée à une finesse de 51 nm.
Aujourd'hui, la marque coréenne a fait savoir qu'elle était...
Samsung nous prouve une fois de plus qu'il est une fois de plus le leader en innovation dans le domaine de la mémoire. Cette fois-ci l'innovation concerne de le mermoire Flash puisque le constructeur coréen vient d'annoncer avoir reussi à quadruplé de la mémoire Flash NAND, il a ainsi présenté un module d’une capacité de 8 Gbits soit environ1 Go. Cette nouvelle celllule de mémoire multi-level canal (MLC) (...)
Samsung continue d'innover sur le marché de la mémoire Flash NAND en annonçant un nouveau module 8 Go MLC gravé en 30 nm et offrant une plus grande densité de stockage.
Hier, Samsung a annoncé le début de la production en masse de deux versions de ses nouvelles mémoire flash NAND gravées en 30nm. Ces puces équipées de mémoire DDR (double data rate) à coeur multi niveau NAND comme la mémoire ram DDR RAM, peuvent enregistrer 2 fois plus de données par cycle et ainsi être [...]
Samsung vient d annoncer que des puces de mémoire NAND MLC rapides vont bientot être disponibles. La NAND MLC (Multi Layer Cell) est le type de mémoire utilisé dans certaines clés USB et les cartes mémoire des téléphones. La mémoire MLC Il existe deux types de mémoire flash NAND, la MLC et la SLC. La première stocke plusieurs bits dans un transistor (généralement deux) et est moins chère que la SLC (qui n en stocke qu un seul), mais a deux défaut
Samsung entreprend depuis 2006 la mise à jour de sa seule usine située aux Etats-Unis en vue d'augmenter ses capacités de production en matière de mémoire flash NAND. La firme sud-coréenne révèle aujourd'hui [...]
Samsung vient d'annoncer de la mémoire flash qui utilise une finesse de gravure de 30 nanomètres (actuellement, on travaille plutôt en 56 nm, avec un passage prévu en 43 nm). Pour la mémoire MLC uniquement Actuellement, Samsung utilise la technique SaDPT (Self-Aligned Double Patterning Technology) pour sa mémoire. Elle permet de graver des puces de mémoire MLC, ce qui n'est pas vraiment intéressant. En schématisant, la mémoire flash MLC (Multi
Samsung vient d'annoncer de la mémoire flash qui utilise une finesse de gravure de 30 nanomètres (actuellement, on travaille plutôt en 56 nm, avec un passage prévu en 43 nm). Pour la mémoire MLC uniquement Actuellement, Samsung utilise la technique SaDPT (Self-Aligned Double Patterning Technology) pour sa mémoire. Elle permet de graver des puces de mémoire MLC, ce qui n'est pas vraiment intéressant. En schématisant, la mémoire flash MLC (Multi
Les deux constructeurs de mémoire Flash NAND se sont entendus pour concilier leurs efforts dans la recherche sur la mémoire Flash NAND, et s'autoriser mutuellement à exploiter les technologies de l'autre.
Samsung a annoncé qu’il est parvenu à empiler 16 « die » de mémoire Flash Nand dans un package multi-chip, ce qui lui permet
Toshiba présente son nouveau carré magique, une mémoire flash de type Nand de 16Go composée de 8 puces de 2Go!
Certains constructeurs comme Samsung préfèrent intégrer une unique puce c'est...
Samsung vient d'annoncer officiellement le début de la production massive de mémoire NAND Flash de 8Go (gravé en 60 nanomètres). Une très bonne nouvelle quand on sait que la mémoire flash de...
Plus de disque dur traditionnel, dans le dernier-né des ordinateurs portables de Samsung. Le stockage se fait exclusivement sur une mémoire flash NAND de grande capacité, soit 32 Go, grâce à la technologie SSD (Solid State ...
Les principaux acteurs et analystes du marché de la mémoire flash commencent à s accorder sur le fait que l offre risque de devenir insuffisante face à la demande en matière de mémoire flash NAND au cours du second trimestre 2007. Ainsi après l analyse de PQI et l étude de DRAMeXchange, toutes deux réalisées il y a quelques jours, c est au tour de Samsung et d Hynix de donner leur avis.
Les prix unitaires des puces de mémoire NAND 8 Gb fabriquées
Le fabricant coréen Samsung vient de prévenir ses clients qu'il aura du mal à répondre à leur demande en mémoire flash NAND.
