Toshiba a annoncé avoir commencé à produire les premières puces de mémoire flash NAND d'une capacité de 64 Go. Pour arriver à cette densité, Toshiba a empilé 16 couches de 4 Go chacune reliées par de microscopiques fils.
Chacune de ces couches est gravée en 32nm et la puce contient son propre contrôleur ce qui facilite son intégration. La commercialisation de ces puces de 64 Go démarrera au premier trimestre 2010. Elle permettront aux constructeurs comme Apple d'augmenter de manière significative la capacité maximale de leurs appareils. On pourra ainsi avoir des iPhone dotés de 64 Go de mémoire ou des iPod Touch de 128 Go, de quoi enterrer définitivement l'iPod Classic, dinosaure de la gamme.
Alors que Samsung annonçait lundi une nouvelle génération de mémoires flash baptisée OneNAND, gravée en 70 nanomètres,...
Intel et Micron associés depuis des années pour la fabrication de mémoire Flash NAND ont annoncé leur intention de démarrer dès le deuxième trimestre de cette année des puces gravées en 25 nm. Cette mémoire sera destinée aux appareils embarqués mais surtout aux disques SSD, ceux d'Intel en tête bien entendu. Actuellement, les puces utilisées dans les X25 sont gravées en 34 nm et permettent de vendre des disques de 160 Go n'utilisant qu'une seule face de la carte logique. Ils pourraient donc produire des disques ayant le double de cette capacité. Auparavant, les X25 utilisant des puces gravées en 50 nm permettaient d'obtenir des disques de 80 Go au maximum.Avec cette nouvelle mémoire, Intel sera certainement en mesure de démocratiser le prix des disques 160 Go et d'en proposer en 320 et 640 Go. Si Intel reste cohérent avec ses gammes et les fait évoluer comme auparavant, doublant la capacité sans changer le prix des produits, on pourrait avoir aussi en entrée de gamme des disques de 80 Go dont le prix resterait à peine supérieur aux 100 Euros. Samsung leur principal concurrent sur ce marché a annoncé qu'il passerait à cette finesse de gravure d'ici la fin de l'année.
Depuis peu, les fabricants de mémoire flash ont démarré la bascule de leur production vers la gravure en 34nm. C'est cette nouvelle finesse qui a, par exemple, permis à Intel de baisser le prix de ses SSD 80 et 160 Go, et de bientôt pouvoir en proposer un de 320 Go.Mais dans ce domaine tout doit aller très vite. Toshiba et Sandisk qui sont partenaires dans la production de mémoire NAND Flash ont annoncé qu'ils comptaient passer à la production de mémoire gravée en 20nm, dès la seconde moitié de 2010.Cette course à la finesse est également celle du leadership sur le marché des SSD. De telles puces permettraient de proposer des disques SSD de petite capacité (autour des 80 Go) à des tarifs de l'ordre de 150 $ et également de produire dans le haut de la fourchette des disques de plus de 500 Go. Ces deux acteurs ont, en attendant, un autre atout dans leur manche, de la mémoire MLC capable de stocker 3 bits par cellule, contre 2 pour les produits habituels, de quoi encore augmenter la capacité des puces mémoire de 50% et de prendre un avantage sur leurs concurrents.
On sait depuis longtemps que grâce à ses iPod et iPhone, Apple pèse de plus en plus lourd sur le marché de la mémoire flash. A y regarder de près, cet approvisionnement semble devenu chez eux un sujet capital. Ainsi, Apple aurait signé un contrat à long terme avec Toshiba pour sécuriser ses approvisionnements de mémoire. Ce contrat conséquent aurait obligé Toshiba à réactiver des chaînes de production mises à l'arrêt à cause de la crise faisant que le fondeur utilise maintenant 90% de sa capacité de production (c'est exceptionnel vue la faible demande).S'il fallait une preuve de plus de l'importance de ce produit pour Apple, sachez qu'ils ont accepté de verser à sa signature et en pré-paiement la somme impressionnante de 500 millions de dollars.
Actuellement la mémoire flash la plus utilisée est la Nand MLC capable de stocker deux bits par cellule. C'est celle que l'on trouve dans les clés USB et dans les disques SSD. Afin de gagner en capacité, les constructeurs misent sur une mémoire capable de stocker 3 bits par cellule, de quoi augmenter les capacités de 50% pour un faible surcoût.Selon Digitimes, tout ne semble pas encore réglé avec cette mémoire X3. Au moins certaines puces utilisant cette technologie auraient été renvoyées à leur fabricant pour des problèmes de stabilité. On ignore des détails des problèmes rencontrés, mais ils sont probablement liés à des erreurs de relecture des données enregistrées, chaque cellule ayant de plus nombreux niveaux d'énergie. Il faut souhaiter que ces problèmes ne soient que très temporaires, sinon on va connaître début 2010 un coup de frein de l'augmentation de capacité des supports à mémoire flash. Ceci ne concerne pas les SSD, cette mémoire n'étant pas assez rapide et pas encore assez fiable pour ce type d'usage.
L'arrivée des puces de mémoire Flash gravées en 32 mn était très attendue par les fabricants de disques SSD qui y voyaient un excellent moyen de baisser les tarifs de leurs produits et d'en proposer de capacités supérieures. C'est ce qu'a fait Intel en intégrant des puces Micron (gravées en 34nm) dans ses produits.Hélas pour eux, Samsung, le plus gros de tous les producteurs de mémoire Flash semble avoir rencontré des problèmes lors de sa transition en 32nm. Si ses puces sont bien fonctionnelles et plus denses, elles présenteraient un problème rédhibitoire pour cet usage, leur lenteur. Leurs performances seraient tellement en retrait que les fabricants de SSD seraient en train de faire la queue chez les concurrents de Samsung pour avoir d'autres produits.Samsung arrivera certainement à vendre ses puces pour d'autres usages moins exigeants comme les baladeurs (Apple est leur premier client), mais cette nouvelle risque de freiner pendant un temps la démocratisation progressive des SSD. Les puces aptes à les remplir seront plus chères et les produits finis plus rares.Les gagnants de ce problème seront certainement Toshiba et Intel qui pourront proposer des SSD de haute capacité performants en ayant un accès prioritaires à des bonnes puces mémoire.
Toshiba vient d annoncer avoir mis au point une puce de mémoire flash regroupant plusieurs modules sous une seule enveloppe physique. Les 8 modules de mémoire flash NAND de 2 Go, gravés en 56nm, accompagnés de leur controleur forment ainsi une seule puce mémoire de 16 Go. Ce sont les téléphones mobiles, les caméras numériques ainsi que tous les périphériques embarqués gourmands en mémoire flash qui vont être contents...
Si cette puce de 16 Go dev
Au plus dur de la crise économique les fabricants de mémoire flash ont vu une trappe sans fond s'ouvrir sous les cours de leurs produits, les faisant fabriquer à perte. Afin d'endiguer ce phénomène, ils ont fait le choix d'arrêter une partie de leurs chaînes de production ce qui a permis aux cours de se stabiliser et même de remonter.Les choses pourraient ne pas durer. Toshiba a en effet annoncé qu'il relancerait la production au maximum de ses capacités au mois de juillet, tablant sur une reprise à la rentrée.Ses concurrent craignent plutôt que ce nouvel afflux massif de produits sur le marché ne provoque une nouvelle dégringolade des cours. Mais c'est peut-être ce que cherche Toshiba. En faisant baisser les cours, les plus gros mettent les plus petits dans une situation désastreuses pouvant les conduire à la banqueroute, de quoi nettoyer le marché au moment de la reprise.
Alors que la crise économique lamine les petits fabricants de mémoire, elle incite les plus gros qui en ont les moyens à accélérer la cadence afin d'augmenter au plus vite leur rentabilité.Toshiba a ainsi annoncé qu'ils démarreront dès le mois de juillet la production de puces NAND MLC gravées en 32nm.Les premières puces qui sortiront des chaînes auront une capacité de 4 Go (avec 3 bits par cellule). Elles seront bien plus petites que celles fabriquées actuellement en 43 nm, de quoi en fabriquer plus sur une galette, mais aussi d'en mettre plus dans certains produits qui en sont gourmands comme les disques SSD.A court terme, on devrait retrouver ces puces dans des SSD qui atteindront alors facilement la capacité de 512 Go ce qui devrait également faire baisser le tarif des disques de plus petite capacité.
Selon Digitimes, il serait aujourd'hui pratiquement impossible d'acheter des modules de mémoire Flash aux principaux constructeurs (Samsung, Micron, Toshiba, Hynix...). La faute en revient à Apple, qui s'en fait livrer d'énormes quantités pour le lancement de son iPod touch et pour produire ses iPhone.Comme il fallait s'y attendre étant donné qu'il en est certainement le plus gros consommateur au monde, Apple a réussi à se faire livrer en priorité ce qui provoque de fortes tensions sur ce marché et a déjà provoqué une hausse de 0,5 à 4% des cours de la flash en fonction de sa capacité.
Le fabricant Silicon Power vient d'annoncer l'arrivée d'une nouvelle gamme de Compact Flash très rapides, elles sont en effet annoncées à une vitesse de 600x. En pratique, vous pourrez atteindre jusqu'à 90Mo/s en lecture et 80Mo/s en écriture. Les capacités annoncées sont pour l'instant de 16 et 32Go, grâce à de la mémoire NAND Flash MLC. Des capacités et des débits qui intéresseront les utilisateurs de ce type de carte ! Les cartes seront garanties à vie, le prix reste en revanche inconnu même si on l'imagine assez (pour ne pas dire très) élevé.
Comme vous pourrez le voir sur les photos ci-dessous, la carte mère d'un iPhone est particulièrement chargée.
La place pour mettre la mémoire flash est comptée et ne permet pas d'y mettre deux puces, contrairement à l'iPod Touch qui débarrassé des puces de téléphonie et de GPS a plus de place. C'est la raison pour laquelle la capacité mémoire de l'iPhone a de tout temps été inférieure de moitié à celle de cet iPod.
La rumeur laisse entendre que le prochain appareil sera proposé avec une capacité maximale de 32 Go. Une annonce faite par Samsung tombe donc à point. Ils ont annoncé avoir mis en production la première puce de moviNAND gravée en 30nm et ayant une capacité de 32 Go. Cette puce a tout pour trouver sa place dans l'iPhone. La moviNAND est en effet une mémoire spécifiquement produite pour être intégrée dans les appareils mobiles, comme le prouve l'illustration tirée de leur site.
Outre sa capacité, elle cumule les avantages suivants:
Une seule puce contient le contrôleur de la mémoire, et 8 couches de 4 Go
Faible consommation liée à sa finesse de gravure
Débits pouvant atteindre les 52 Mo/s en lecture
Gestion de sa consommation d'énergie gérant un mode de veille.
En résumé, nous ne...
Le caméscope numérique HD à mémoire flash de Panasonic vient d'être élu meilleur caméscope de sa catégorie par le jury des EISA Awards 2009. Le HDC-TM300 est équipé d'un capteur 3MOS Full HD pour capter la vidéo jusqu'en 1080p. Les flux vidéos sont encodés en AVCHD. L'optique intégrée est de...
Afin d'éviter que les cours de la mémoire flash ne tombent encore plus bas, de nombreux fabricants ont décidé de stopper des chaînes de fabrication jusqu'à ce que l'offre et la demande s'équilibrent. C'était sans compter sur l'appétit d'Apple qui a passé commande de 100 millions de Go de mémoire, essentiellement chez Samsung provoquant un début de pénurie et une hausse conséquente des cours. Ces derniers auraient augmenté de 16% sur le mois d'avril.
Si officiellement la destination de cette mémoire n'est pas connue, elle est certainement liée à la mise en production des prochains modèles d'iPhone.
