Samsung continue d'innover sur le marché de la mémoire Flash NAND en annonçant un nouveau module 8 Go MLC gravé en 30 nm et offrant une plus grande densité de stockage.
Hier, Samsung a annoncé le début de la production en masse de deux versions de ses nouvelles mémoire flash NAND gravées en 30nm. Ces puces équipées de mémoire DDR (double data rate) à coeur multi niveau NAND comme la mémoire ram DDR RAM, peuvent enregistrer 2 fois plus de données par cycle et ainsi être [...]
Samsung nous prouve une fois de plus qu'il est une fois de plus le leader en innovation dans le domaine de la mémoire. Cette fois-ci l'innovation concerne de le mermoire Flash puisque le constructeur coréen vient d'annoncer avoir reussi à quadruplé de la mémoire Flash NAND, il a ainsi présenté un module d’une capacité de 8 Gbits soit environ1 Go. Cette nouvelle celllule de mémoire multi-level canal (MLC) (...)
Une panne du centre de production de mémoire Flash NAND de Samsung Electronics pourrait faire grimper les prix d'un marché stagnant.
Samsung et Toshiba viennent d'annoncer un accord permettant aux deux compagnies de fabriquer et vendre les mémoires NAND de de l'autre, ce qui devrait apporter une réponse aux problèmes de stock. Huston, on a un problème Il faut dire que la demande en NAND est de plus en plus forte. Au troisième trimestre 2007, les ventes mondiales ont progressé de 37 % pour atteindre 4,2 milliards de dollars (cf. « Les ventes de mémoires flash NAND en hausse »)
Les groupes d'électronique diversifiés japonais Toshiba et sud-coréen Samsung Electronics ont annoncé lundi un accord de licence réciproque permettant à chacun de produire, promouvoir et vendre des mémoires flash NAND basées sur les spécifications techniques de l'autre.
Les deux constructeurs de mémoire Flash NAND se sont entendus pour concilier leurs efforts dans la recherche sur la mémoire Flash NAND, et s'autoriser mutuellement à exploiter les technologies de l'autre.
Samsung vient d'annoncer officiellement le début de la production massive de mémoire NAND Flash de 8Go (gravé en 60 nanomètres). Une très bonne nouvelle quand on sait que la mémoire flash de...
Le groupe coréen prévoit de multiplier en 2006 des accords de fourniture de mémoire flash auprès de grands groupes industriels.
«Samsung Electronics envisage de signer des contrats de fourniture de mémoires flash NAND (*) avec de grandes entreprises, dont Sony, mais rien de précis n'a encore été arrêté», a-t-il déclaré selon Reuters.
Une déclaration qui fait écho à un récent article du quotidien coréen Korea Economic Daily, révélant que Sony aurait proposé à Samsung de le fournir en mémoire flash.
Samsung vient d annoncer que des puces de mémoire NAND MLC rapides vont bientot être disponibles. La NAND MLC (Multi Layer Cell) est le type de mémoire utilisé dans certaines clés USB et les cartes mémoire des téléphones. La mémoire MLC Il existe deux types de mémoire flash NAND, la MLC et la SLC. La première stocke plusieurs bits dans un transistor (généralement deux) et est moins chère que la SLC (qui n en stocke qu un seul), mais a deux défaut
Les deux acteurs informatiques ont passé un accord pour concevoir de façon conjointe une mémoire Flash Nand de type SLC (Sign... Samsung et Sun s'unissent dans la mémoire Flash Nand SLC target=_blank>
Le fabricant coréen Samsung vient de prévenir ses clients qu'il aura du mal à répondre à leur demande en mémoire flash NAND.
Le fabricant coréen Samsung vient de prévenir ses clients qu'il aura du mal à répondre à leur demande en mémoire flash NAND.
Le fabricant coréen Samsung vient de prévenir ses clients qu'il aura du mal à répondre à leur demande en mémoire flash NAND.
C'est en janvier dernier que Samsung annonçait sa nouvelle mémoire flash NAND MLC (Multi-Level Cell) gravée à une finesse de 51 nm.
Aujourd'hui, la marque coréenne a fait savoir qu'elle était...
