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DDR et Flash pour un SSD PCI-Express

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 Actualités

Voici une compilation des sources d'information sur ce sujet :

DDR et Flash pour un SSD PCI-Express... ()

Il y a trois ans, nous vous parlions du DDRDrlve, un système « SSD » composé de RAM (4 Go) et de mémoire flash.

[CeBIT] Mémoire Flash et PCI-Express... ()

Dévoilé en novembre dernier, le Vaulter Disk de Sandisk refait son apparition au CeBIT. Ce module, censé selon son constructeur booster les performances de n'importe quel PC, occupe un slot mini-PCI Express et embarque 8, 12 ou 16 Go de mémoire Flash...

[CeBIT] Mémoire Flash et PCI-Express... ()

Dévoilé en novembre dernier, le Vaulter Disk de Sandisk refait son apparition au CeBIT. Ce module, censé selon son constructeur booster les performances de n'importe quel PC, occupe un slot mini-PCI Express et embarque 8, 12 ou 16 Go de mémoire Flash...

Intel passe au 65 nm pour la flash NOR... ()

Intel vient d'annoncer que sa mémoire NOR va passer en 65 nm, ce qui devrait permettre de diminuer le prix de cette mémoire flash (et augmenter un peu les performances). La mémoire NOR, une mémoire méconnue La mémoire NOR est un type de mémoire flash assez méconnu, et pourtant très utilisé : la majorité des téléphones portables utilisent ce type de mémoire comme support de stockage pour le système d'exploitation. Cette mémoire est très rapide e

PQI annonce un disque de 64Go de mémoire flash... ()

Alors qu'il y a quelques jours, Samsung annoncait pour la fin de l'année l'arrivée d'un disque composé de mémoire flash d'une capacité de 32Go nommé Solid State Disk (SSD), PQI vient de...

"La mémoire flash va de plus en plus remplacer le disque dur"... ()

Sandisk, le créateur de la mémoire flash, a réussi à renouer avec les bénéfices malgré l'effondrement des prix de ces composants en début d'année. Son PDG Eli Harari se montre très confiant sur son activité baladeur et sur les nouvelles applications de la mémoire flash. Interview.

Stockage: bientôt la fin de la mémoire flash Nand ?... ()

Malgré les efforts de la R&D, les capacités de la mémoire flash Nand arriveront aux derniers retranchements de la physique quantique. Les constructeurs sont déjà en train de trouver des solutions alternatives comme la mémoire flash 3D ou PCM.

Samsung / Toshiba : entente sur la mémoire Flash NAND... ()

Les deux constructeurs de mémoire Flash NAND se sont entendus pour concilier leurs efforts dans la recherche sur la mémoire Flash NAND, et s'autoriser mutuellement à exploiter les technologies de l'autre.

Une puce de mémoire Flash de 16 Go chez Toshiba... ()

Toshiba vient d annoncer avoir mis au point une puce de mémoire flash regroupant plusieurs modules sous une seule enveloppe physique. Les 8 modules de mémoire flash NAND de 2 Go, gravés en 56nm, accompagnés de leur controleur forment ainsi une seule puce mémoire de 16 Go. Ce sont les téléphones mobiles, les caméras numériques ainsi que tous les périphériques embarqués gourmands en mémoire flash qui vont être contents... Si cette puce de 16 Go dev

Des minidisques flash IDE chez Super Talent... ()

Le fabricant Super Talent vient d annoncer le lancement de plusieurs Flash Disk Module (ou FDM), des modules de mémoire flash se branchant directement sur le port IDE d une carte mère et principalement destinés aux ordinateurs embarqués ou ne nécessitant pas d espace disque important. La gamme complète se compose de 16 modèles IDE 40 ou 44 broches, à connexion verticale ou horizontale et de taille variée (de 128 Mo à 8 Go). Ces Flash Disk Module

Samsung passe à 30 nm pour la mémoire flash MLC... ()

Samsung vient d'annoncer de la mémoire flash qui utilise une finesse de gravure de 30 nanomètres (actuellement, on travaille plutôt en 56 nm, avec un passage prévu en 43 nm). Pour la mémoire MLC uniquement Actuellement, Samsung utilise la technique SaDPT (Self-Aligned Double Patterning Technology) pour sa mémoire. Elle permet de graver des puces de mémoire MLC, ce qui n'est pas vraiment intéressant. En schématisant, la mémoire flash MLC (Multi

Samsung passe à 30 nm pour la mémoire flash MLC... ()

Samsung vient d'annoncer de la mémoire flash qui utilise une finesse de gravure de 30 nanomètres (actuellement, on travaille plutôt en 56 nm, avec un passage prévu en 43 nm). Pour la mémoire MLC uniquement Actuellement, Samsung utilise la technique SaDPT (Self-Aligned Double Patterning Technology) pour sa mémoire. Elle permet de graver des puces de mémoire MLC, ce qui n'est pas vraiment intéressant. En schématisant, la mémoire flash MLC (Multi

8Go flash en masse chez Samsung !... ()

Samsung vient d'annoncer officiellement le début de la production massive de mémoire NAND Flash de 8Go (gravé en 60 nanomètres). Une très bonne nouvelle quand on sait que la mémoire flash de...

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