Source : CDR InfoLa société Msystems annonce avoir fait une percée technologique importante dans le secteur de la mémoire flash NAND. Leur technologie permet de stocker dans une cellule mémoire de base 4 bits contre 2 actuellement. La capacité de stockage s'en retrouve doublée.
Sachant que leur technologie ne nécessite pas de modification de la finesse de gravure ni même des procédés actuels de fabrications, le doublement de la capacité pourrait se faire très rapidement, dès 2007 selon leurs estimations.
Pour arriver à un tel résultat, la société a été également obligé de développer de nouveaux algorithmes de vérification de l'intégrité des données compromise par la présence des 4 bits. Cette mémoire a donc un système ECC intégré.
La mémoire NAND, marché en explosion perpétuelle est par exemple celle utilisée dans les iPod Nano et dans toutes les clés USB.
Si l'on rajoute ce doublement de la capacité à l'augmentation régulière de cette dernière, la mémoire flash risque bientôt de concurrencer les disques durs dans des capacités dépassant les 4 Go actuels.
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Hier, Samsung a annoncé le début de la production en masse de deux versions de ses nouvelles mémoire flash NAND gravées en 30nm. Ces puces équipées de mémoire DDR (double data rate) à coeur multi niveau NAND comme la mémoire ram DDR RAM, peuvent enregistrer 2 fois plus de données par cycle et ainsi être [...]
Toshiba annonce qu'il sera le premier à proposer de la mémoire Flash NAND gravée en 32 nm. Son premier produit, de la mémoire Flash NAND 4 Go, est disponible dès à présent sous forme d'échantillons.
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Les principaux acteurs et analystes du marché de la mémoire flash commencent à s accorder sur le fait que l offre risque de devenir insuffisante face à la demande en matière de mémoire flash NAND au cours du second trimestre 2007. Ainsi après l analyse de PQI et l étude de DRAMeXchange, toutes deux réalisées il y a quelques jours, c est au tour de Samsung et d Hynix de donner leur avis.
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La flash NAND évolue, et c'est tant mieux. La prochaine évolution, c'est le passage de la mémoire MLC 2 bits (comme actuellement) à 4 bits, ce qui va permettre de doubler la capacité de la mémoire. Une technique difficile à mettre en oeuvre Le gros problème de la technologie, c'est la mise en oeuvre. Sans entrer dans les détails, le fonctionnement de la mémoire flash nécessite deux tensions différentes pour une mémoire à 1 bit (SLC), pour diffé
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Malgré les efforts de la R&D, les capacités de la mémoire flash Nand arriveront aux derniers retranchements de la physique quantique. Les constructeurs sont déjà en train de trouver des solutions alternatives comme la mémoire flash 3D ou PCM.
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La joint-venture opérée par les deux groupes américains a lancé la production de masse de ses modules 32 Go de mémoire Nand, gravés en 34 nm.
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