Les uns après les autres les fabricants de mémoires cèdent au charme de la PRAM, alias mémoire à changement de phase. Après avoir été présentée par Samsung, soutenue par Intel et perfectionnée chez Hitachi, la PRAM va arriver chez Hynix. La firme vient de signer un accord avec Ovonix, société inventeuse de la PRAM.
L'accord initie une coopération à long terme, mais on ne sait pas quand Hynix prévoit de débuter la production PRAM. Intel et Sams
Samsung vient de produire le premier prototype fonctionnel de PRAM (Phase-change Random Access Memory) un nouveau type de mémoire qui devrait remplace
Samsung et Numonyx ont décidé d'unir leur force pour donner naissance à un standard facilitant le développement de PRAM.
Samsung a annoncé avoir mis en production des puces de mémoire PRAM de 512 Mbits (64 Mo). Ces puces seront gravées en 65nm et le fondeur promet de bientôt graver sa PRAM plus finement afin qu'elle devienne compétitive face à la mémoire FLASH NAND.La PRAM est une mémoire à changement de phase non volatile (on peut couper le courant sans effacer les données) qui est bien plus rapide que la FLASH actuelle. Elle permettrait de produire des supports de stockage aux performances encore inédites. A termes, certains prévoient qu'elle puisse remplacer la DRAM actuellement utilisée comme mémoire vive dans nos ordinateurs. N'ayant pas besoin d'être alimentée en permanence, la PRAM consommerait et chaufferait bien moins.On reste cependant loin de ces objectifs et il faudra encore du temps pour que cette mémoire coincée entre la flash et la DRAM ne trouve des débouchés. Il est possible qu'elle démarre sa carrière comme mémoire flash sur des cartes de type RAID. Ceci permettrait de ne plus avoir à leur installer de pile pour sauvegarder le contenu de la cache en cas de coupure de courant.
Intel et Numonyx viennent d'annoncer qu'ils avaient réussi à empiler plusieurs grilles de PRAM sur un même die, augmentant la capacité d'une puce de façon significative.
Nous vous avions déjà parlé de cette PRAM fin 2006 (http://www.puissance-pc.net/stockage-periph./la-succession-des-memoires-flash-se-precise.html'Itemid=50), Samsung (qui en avait entamé la préproduction en 2007 (http://www.puissance-pc.net/cpu-mobo-ram/ca-bouge-chez-intel-et-chez-samsung.html'Itemid=48)) a annoncé commencer la production en masse de cette...
Des scientifiques de l'Université de Pennsylvanie viennent d'annoncer avoir développé une PRAM capable de stocker des informations pendant 100 000 ans et ayant une vitesse mille fois plus rapide que les mémoires Flash actuelles, tout en utilisant moins de puissance et en prenant moins de place. Une chose est sûre, voici une mémoire dont tout le monde rêve, mais elle est loin d'atterrir entre nos mains de consommateurs moyens. Des fils qui se cré
La mémoire flash telle que nous la connaissons va-t-elle être rapidement remplacée ? Nous avions déjà évoqué la PRAM (Phase-change Random Access Memory) appelée aussi mémoire à changement de...
Elpidia vient d'annoncer un partenariat avec le fondeur UMC destiné à produire des puces DRAM et PRAM. La réciprocité du partenariat Le partenariat semble judicieux pour les deux sociétés. De son côté, Elpidia achète la licence d'UMC pour l'utilisation de sa technologie copper/low-k. Cette technologie permet l'utilisation de cuivre et de matériaux à faible diélectrique au sein d'un die. L'objectif est d'accroître les performances d'un semi-cond
Samsung vient de dévoiler qu il avait déjà commencé la livraison de samples de PRAM (Phase Change RAM) gravé en 90 nm sur des wafers de 200 mm chaque puce a une capacité allant de 32 à 64 Mo. Les destinataires sont des fabricants de téléphones portables. Selon le Coréen, d autres samples d ingénierie devraient être livrés à partir du mois d avril jusqu au mois de juin. Les samples commerciaux devraient être livrés fin 2007 pour une production en
Une mémoire à changement de phase – PRam – est en cours de mise au point chez Intel et STMicroelectronics. Cette famille de circuits, déjà connue, est candidate à la succession de la mémoire Flash. Ce nouveau prototype à quatre états apporte des performances inédites.A la conférence IEEE sur les composants électroniques (ISSCC), Intel vient de présenter un prototype de mémoire à changement de phase (PRam, Phase-change Ram) aux performances étonnantes. Dans une PRam, l'information est mémori...
Samsung n'est pas un fabricant de baladeurs comme les autres puisqu'il produit aussi des composants. Leader dans plusieurs domaines dont les écrans, la firme coréenne excelle également dans le...
Source : CDR InfoSamsung a annoncé que la production de puces de 512 Mo de PRAM (mémoire à changement de phase) gravées en 65 nm démarrera dans la première moitié de 2009.
Cette mémoire a pour vocation de remplacer la Flash NAND dans l'avenir. Contrairement à la mémoire classique, les 0 et les 1 sont matérialisés par un changement de phase du matériau qui peut avoir deux états, cristallin ou amorphe. Son avantage est de pouvoir passer de l'un à l'autre très rapidement et sans avoir besoin de remettre auparavant la cellule à 0 avant d'y réécrire, ce qui permet un gain de performances très important lors de l'écriture des données. Elle a comme autre avantage d'avoir une durée de vie 10 fois plus importante que les autres puces mémoire.
Reste qu'elle continue à pêcher par son manque de densité alors que l'on sait fabriquer des puces de mémoire MLC contenant 30 fois plus de données.
Nous vous parlions il y a quelques jours de la PRAM, ce nouveau type de mémoire développée par IBM, Infineon et Quimonda. C'est maintenant au tour de Samsung qui a décidé de fusionner la SRAM et...
L'explication d'hier sur la réintialisation du contrôleur de gestion du système (voir l'article Quand faut-il réinitialiser le SMC d'un Mac ?) a eu des effets bénéfiques sur le comportement de certains Mac des lecteurs. En revanche au vu des commentaires il est apparu qu'il y avait quelques co...
