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Elpida et EMC sortent la PRAM

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 Actualités

Voici une compilation des sources d'information sur ce sujet :

Samsung présente sa PRAM... ()

Samsung vient de produire le premier prototype fonctionnel de PRAM (Phase-change Random Access Memory) un nouveau type de mémoire qui devrait remplace

La mémoire PRAM pour remplacer la mémoire flash ?... ()

La mémoire flash telle que nous la connaissons va-t-elle être rapidement remplacée ? Nous avions déjà évoqué la PRAM (Phase-change Random Access Memory) appelée aussi mémoire à changement de...

Elpida et UMC pour la DRAM et PRAM... ()

Elpidia vient d'annoncer un partenariat avec le fondeur UMC destiné à produire des puces DRAM et PRAM. La réciprocité du partenariat Le partenariat semble judicieux pour les deux sociétés. De son côté, Elpidia achète la licence d'UMC pour l'utilisation de sa technologie copper/low-k. Cette technologie permet l'utilisation de cuivre et de matériaux à faible diélectrique au sein d'un die. L'objectif est d'accroître les performances d'un semi-cond

La mémoire à changement de phase arrive chez Hynix... ()

Les uns après les autres les fabricants de mémoires cèdent au charme de la PRAM, alias mémoire à changement de phase. Après avoir été présentée par Samsung, soutenue par Intel et perfectionnée chez Hitachi, la PRAM va arriver chez Hynix. La firme vient de signer un accord avec Ovonix, société inventeuse de la PRAM. L'accord initie une coopération à long terme, mais on ne sait pas quand Hynix prévoit de débuter la production PRAM. Intel et Sams

20 dies pour une épaisseur de 1,4 mm ()

Akita Elpida Memory, une filiale d Elpida Memory en charge de la production de DRAM, vient d annoncer le développement d un MCP (Multi-Chip Package) d une épaisseur d 1,4 mm et empilant 20 die les uns sur les autres. Elpida affirme que cela en fait le MCP le plus fin au monde. Ce MCP devrait permettre de réduire la place que prennent les puces de DRAM au sein des appareils mobiles comme les ordinateurs portables. Peu de détails ont filtré sur la

Elpida : des puces de 2 Gb de DDR3 en 40nm... ()

Le constructeur Elpida vient d'annoncer que son usine d'Hiroshima venait de lancer, deux mois seulement après avoir achevé sa mise au point, la production de masse de puces de 2 Gb de mémoire DDR3 gravées en 40 nm.

Résultats d'UMC en demi teinte... ()

UMC vient de publier ses résultats pour le mois de novembre. S'il accuse une baisse de plus de 10 % par rapport au mois précédent, son chiffre d'affaires gagne 3,90 % par rapport à la même période l'année dernière. UMC gagne en popularité UMC a récemment fait parler de lui en signant un deal avec Elpida pour la fabrication de PRAM(Phase-change RAM) Cette mémoire utilise les propriétés du verre chalcogè

Elpida en tête pour les DRAM 65nm... ()

La première société à produire des composants mémoire avec un procédé 65 nm sera la société japonaise Elpida, d’après Nikkei.

Deux bits par cellule mémoire pour le successeur de la mémoire Flash ?... ()

Une mémoire à changement de phase – PRam – est en cours de mise au point chez Intel et STMicroelectronics. Cette famille de circuits, déjà connue, est candidate à la succession de la mémoire Flash. Ce nouveau prototype à quatre états apporte des performances inédites.A la conférence IEEE sur les composants électroniques (ISSCC), Intel vient de présenter un prototype de mémoire à changement de phase (PRam, Phase-change Ram) aux performances étonnantes. Dans une PRam, l'information est mémori...

Une barrette mémoire FB-DIMM de 16 Go chez Elpida... ()

Le japonais Elpida annonce cette semaine la sortie de ce que qui constituera vraisemblablement la première barrette mémoire de 16 Go jamais mise sur le marché. Au format FB-DIMM, cette mémoire, qui se [...] Lire la suite sur : Clubic.com Url de l’article : Une barrette mémoire FB-DIMM de 16 Go chez Elpida.

Mémoires : le japonais Elpida va coopérer avec les fabricants taïwanais... ()

Le fabricant japonais Elpida Memory a annoncé hier son intention de rejoindre le futur consortium de fabricants de mémoires DRAM, dont le projet de fusion est soutenu par le gouvernement taïwanais. Taiwan Memory, qui sera dirigé par John Hsuan en charge du montage de l'opération, développera avec...

Elpida grave la DDR2 en 70 nm... ()

Le fabricant de mémoire vive Elpida vient d annoncer avoir lancé la production de masse de puces DDR2 gravées en 70 nm. Celles-ci seront donc disponib

Samsung annonce des puces de PRAM de 64 Mo... ()

Samsung a annoncé avoir mis en production des puces de mémoire PRAM de 512 Mbits (64 Mo). Ces puces seront gravées en 65nm et le fondeur promet de bientôt graver sa PRAM plus finement afin qu'elle devienne compétitive face à la mémoire FLASH NAND.La PRAM est une mémoire à changement de phase non volatile (on peut couper le courant sans effacer les données) qui est bien plus rapide que la FLASH actuelle. Elle permettrait de produire des supports de stockage aux performances encore inédites. A termes, certains prévoient qu'elle puisse remplacer la DRAM actuellement utilisée comme mémoire vive dans nos ordinateurs. N'ayant pas besoin d'être alimentée en permanence, la PRAM consommerait et chaufferait bien moins.On reste cependant loin de ces objectifs et il faudra encore du temps pour que cette mémoire coincée entre la flash et la DRAM ne trouve des débouchés. Il est possible qu'elle démarre sa carrière comme mémoire flash sur des cartes de type RAID. Ceci permettrait de ne plus avoir à leur installer de pile pour sauvegarder le contenu de la cache en cas de coupure de courant.

Samsung commence à livrer ses PRAM... ()

Samsung vient de dévoiler qu il avait déjà commencé la livraison de samples de PRAM (Phase Change RAM) gravé en 90 nm sur des wafers de 200 mm chaque puce a une capacité allant de 32 à 64 Mo. Les destinataires sont des fabricants de téléphones portables. Selon le Coréen, d autres samples d ingénierie devraient être livrés à partir du mois d avril jusqu au mois de juin. Les samples commerciaux devraient être livrés fin 2007 pour une production en

Elpida annonce le premier module mémoire Mobile de 2 Go pour Netbooks... ()

Elpida vient de présenter les premiers modules mémoire de 2 Go au format LPDDR2 destinés aux petits appareils mobiles. Ces modules mémoire 2 Go LPDDR2 gravés en 50nm fonctionnent en 1.2V et offrent un débit de 800 Mbits/s. En comparaison, la DDR2 traditionnelle est en 1.8V et la DDR3 en 1.5V. Affichant une faible consommation d'énergie environ [...]

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