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Notre équipe éditoriale analyse tous les jours l'actualité pour dégager les tendances dans certains dossiers. Voici ce qui revient souvent en ce moment (les plus fréquents étant écrits en plus gros) :

Puce mémoire DRAM dynamic random access memory

 Dans l'actualité

  • La première puce mémoire de 1 Gbit pour mobiles chez Samsung - 2006-12-29
    Samsung Electronics indique avoir développé la première puce mémoire DRAM (dynamic random access memory) pour appareils mobiles, dotée d'une capacité de stockage de 1 gigabit (Gbit).
  • La mémoire PRAM pour remplacer la mémoire flash ?
    La mémoire flash telle que nous la connaissons va-t-elle être rapidement remplacée ? Nous avions déjà évoqué la PRAM (Phase-change Random Access Memory) appelée aussi mémoire à changement de...[...]
  • Stockage : Samsung annonce une carte microSD à 32 Go et une puce mémoire à 64 Go
    Les deux types de mémoire flash vont étendre les capacités de stockage des smartphones et autres périphériques mobile.[...]
  • Après des pertes abyssales SMIC met fin au DRAM
    Le plus grand pucier chinois, Semiconductor Manufacturing International Corp. (SMIC) a annoncé la semaine dernière stopper la production de DRAM (dynamic random access memory), pour se concentrer sur [...]
  • Elpida : une puce mémoire cadencée à 4,8 GHz
    Elpida vient de dévoiler une puce mémoire FBGA de 512 Mbits gravée en 70nm capable d'atteindre un taux de transfert de l'ordre de 9,6 Go/s (six fois la bande passante d'une puce mémoire DDR2-800). Pou[...]
  • Samsung innove sur le terrain des chips mémoire pour mobiles
    Le constructeur asiatique a annoncé le développement d'une nouvelle puce mémoire, plus petite et consommant moins d'énergie que les technologies actuelles. Une avancée qui pourrait avoir des conséquen[...]
  • Les prix de la mémoire remontent
    Après avoir enregistré des baisses importantes (voir Les prix de la mémoire DDR2 au plus bas !), les prix liés au marché de la mémoire DRAM semblent repartir à la hausse. Ainsi, les puces mémoire sign[...]
  • Une puce de mémoire Flash de 16 Go chez Toshiba
    Toshiba vient d annoncer avoir mis au point une puce de mémoire flash regroupant plusieurs modules sous une seule enveloppe physique. Les 8 modules de mémoire flash NAND de 2 Go, gravés en 56nm, accompagnés de leur controleur forment ainsi une seule puce mémoire de 16 Go. Ce sont les téléphones mobiles, les caméras numériques ainsi que tous les périphériques embarqués gourmands en mémoire flash qui vont être contents... Si cette puce de 16 Go dev
  • Samsung moviMCP : la mémoire des téléphones 3G
    Samsung vient de dévoiler une nouvelle puce qui promet de pousser encore plus loin la miniaturisation des téléphones portables. Le moviMCP est une puce multi-étage, qui comprend : deux puces mémoires Flash NAND de 16 Gb chacune, pour une capacité totale de 4 Goun contoleur mémoire pour ces deux puces (interface eMMC)une puce de 1 Gb de DRAM destinée à servir de mémoire vive au processeur du téléphone2 Gb de NAND Flash destiné à contenir le s
  • Après la DRAM, voici la URAM
    Des chercheurs coréens, menés par le professeur Choi Yang-kyu, viennent de mettre au point une puce d'URAM, pour United RAM. Hybride, cette puce regroupe à la fois de la mémoire vive classique et de la mémoire flash, ce qui permet, selon les cherche
  • IBM fait évoluer sa mémoire eDRAM
    IBM vient de présenter, à l occasion de l International Solid State Circuits Conference, une nouvelle version de sa mémoire eDRAM (Embedded Dynamic Random Access Memory). Celle-ci, destinée à prendre place au sein des processeurs, possèderait un temps de latence de 1,5 ns, serait cinq fois plus économe en énergie et trois fois plus petite que la SRAM classique. IBM annonce une disponibilité pour 2008. L utilisation de ce type de mémoire à la plac
  • Samsung présente sa PRAM
    Samsung vient de produire le premier prototype fonctionnel de PRAM (Phase-change Random Access Memory) un nouveau type de mémoire qui devrait remplace
  • Elpida : une puce mémoire cadencée à 4,8 GHz
    Elpida vient de dévoiler une puce mémoire FBGA de 512 Mbits gravée en 70nm capable d'atteindre un taux de transfert de l'ordre de 9,6 Go/s (six fois la bande passante d'une puce mémoire DDR2-800). Pour parvenir à de telles performances, le constructeur utilise plusieurs technologies mises au point par Rambus. Le DSRL (Differential Rambus Signaling Level) élimine tout bruit et lisse le signal alors que l'ODR (Octal Data Rate), propre à la technol

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