Infineon a annoncé avoir cédé une licence à IBM portant sur la fabrication de mémoire flash embarquée. De son côté, IBM met certaines de ses usines à la disposition d'Infineon. Des amis de longue date Infineon et IBM travaillent ensemble sur de nombreux projets. Nous mentionnions récemment l'un d'entre eux portant sur la fabrication de puces CMOSComplementary Metal Oxyde Silicon, c'est une technologie de capteur très similaire et tout
Le fabricant de mémoires Infineon vient d annoncer un deuxième trimestre meilleur que prévu. Cette hausse est due notamment à...
Intel vient d'annoncer que sa mémoire NOR va passer en 65 nm, ce qui devrait permettre de diminuer le prix de cette mémoire flash (et augmenter un peu les performances). La mémoire NOR, une mémoire méconnue La mémoire NOR est un type de mémoire flash assez méconnu, et pourtant très utilisé : la majorité des téléphones portables utilisent ce type de mémoire comme support de stockage pour le système d'exploitation. Cette mémoire est très rapide e
Un Eee-PC killer, encore un de plus. Celui-ci s'intitule RazorBook 400, après avoir été initialement baptisé Longitude 400. Il est produit par 3K Computers.
Voici ses caractéristiques : un écran 7 pouces pour une résolution de 800x400 ; un processeur 400 MHz ; une mémoire vive de 512 Mo ; une mémoire morte (flash) de 4 Go. Il tourne sous Linux, dispose du WiFi et de 3 ports USB. Le processeur laisse un peu sceptique, d'autant qu'il [Lire la suite]
Le fabricant de composant Infineon indique qu’il souhaite réduire significativement ses parts dans Qimonda, son rejeton qui fabrique des DRAM.
Toshiba propose des puces de mémoire flash SLC en 43 nm.
Toshiba propose des puces de mémoire flash SLC en 43 nm.
Samsung vient d'annoncer de la mémoire flash qui utilise une finesse de gravure de 30 nanomètres (actuellement, on travaille plutôt en 56 nm, avec un passage prévu en 43 nm). Pour la mémoire MLC uniquement Actuellement, Samsung utilise la technique SaDPT (Self-Aligned Double Patterning Technology) pour sa mémoire. Elle permet de graver des puces de mémoire MLC, ce qui n'est pas vraiment intéressant. En schématisant, la mémoire flash MLC (Multi
Samsung vient d'annoncer de la mémoire flash qui utilise une finesse de gravure de 30 nanomètres (actuellement, on travaille plutôt en 56 nm, avec un passage prévu en 43 nm). Pour la mémoire MLC uniquement Actuellement, Samsung utilise la technique SaDPT (Self-Aligned Double Patterning Technology) pour sa mémoire. Elle permet de graver des puces de mémoire MLC, ce qui n'est pas vraiment intéressant. En schématisant, la mémoire flash MLC (Multi
Sandisk, le créateur de la mémoire flash, a réussi à renouer avec les bénéfices malgré l'effondrement des prix de ces composants en début d'année. Son PDG Eli Harari se montre très confiant sur son activité baladeur et sur les nouvelles applications de la mémoire flash. Interview.
Malgré les efforts de la R&D, les capacités de la mémoire flash Nand arriveront aux derniers retranchements de la physique quantique. Les constructeurs sont déjà en train de trouver des solutions alternatives comme la mémoire flash 3D ou PCM.
Toshiba vient d annoncer avoir mis au point une puce de mémoire flash regroupant plusieurs modules sous une seule enveloppe physique. Les 8 modules de mémoire flash NAND de 2 Go, gravés en 56nm, accompagnés de leur controleur forment ainsi une seule puce mémoire de 16 Go. Ce sont les téléphones mobiles, les caméras numériques ainsi que tous les périphériques embarqués gourmands en mémoire flash qui vont être contents...
Si cette puce de 16 Go dev
Les deux constructeurs de mémoire Flash NAND se sont entendus pour concilier leurs efforts dans la recherche sur la mémoire Flash NAND, et s'autoriser mutuellement à exploiter les technologies de l'autre.
Voici une bonne nouvelle pour ceux qui veulent acheter un baladeur flash cette année... SanDisk, n°1 mondial de la Flash NAND, table sur une chute du prix moyen au mégaoctet de plus de 50 % en 2007...
La mémoire flash telle que nous la connaissons va-t-elle être rapidement remplacée ? Nous avions déjà évoqué la PRAM (Phase-change Random Access Memory) appelée aussi mémoire à changement de...
