Le constructeur japonais a annoncé le lancement de la production en masse de mémoires flash 30 nanomètres. Cette décision fai...
Le japonais Toshiba a annoncé en début de semaine avoir commencé à livrer à l’industrie ce qu’il considère comme les premières puces de mémoire Flash gravées en 32 nanomètres du marché. Destinées dans [...]
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Samsung vient d'annoncer officiellement le début de la production massive de mémoire NAND Flash de 8Go (gravé en 60 nanomètres). Une très bonne nouvelle quand on sait que la mémoire flash de...
Toshiba a recemment annoncé avoir commencé à produire les premières puces de mémoire Flash, gravées en 32 nanomètre, destinées premièrement aux clés USB, ces puces affichent une capacité de 4Go. Toshiba espère ainsi démontrer son avance...
Le deuxième fabricant mondial de cartes mémoire flash NAND veut rattraper le coréen Samsung. Pour gagner en productivité, il mise sur la finesse de gravure de ses puces, en passant de 56 nanomètres à 43 nanomètres dès 2008.
Le conglomérat industriel japonais Toshiba a annoncé mardi qu'il allait construire trois nouvelles usines consacrées aux mémoires flash NAND, dont une en collaboration avec l'américain SanDisk.
Le groupe japonais va dans un premier temps construire au Japon deux nouveaux sites de production de mémoires flash NAND, l'un à Yokkaichi (ouest) et l'autre à Kitakami (nord). Les deux unités devraient...
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Samsung vient d'annoncer de la mémoire flash MLC qui utilise une finesse de gravure de 30 nanomètres ! La production devrait commencer en 2009 et servir principalement à fabriquer des disques...
C'est la première expérimentation de gravure en 45 nanomètres; un procédé qui permet d'augmenter encore la capacité mémoire des puces tout en réduisant leur consommation d'énergie. Intel prévoit le début de la production de masse en 2007.
Alors que la production de puces mémoires flash NAND gravées en 57nm n'est effective que depuis le troisième trimestre 2007 chez Hynix, le constructeur vient d'annoncer son intention de produire en masse de la mémoire flash NAND gravée en 48nm dès le début de l'année 2008. Hynix en avance Après avoir connu un retard face à ses principaux concurrents Samsung Electronics et Toshiba, Hynix pourrait donc bien être le premier fabricant à utiliser une
Le fondeur américain a démarré la production de mémoires flash NOR 1 Gbit en 65 nanomètres dans son usine de Séoul, en Corée du Sud.
Elles sont destinées à équiper des téléphones mobiles, des smartphones, appareils photo et tout appareil nécessitant des taux de transfert de données très élevés.
Le groupe d'électronique diversifié japonais Toshiba a inauguré mardi un nouveau bâtiment pour la production de mémoires flash pour appareils numériques nomades dans son immense usine de semi-conducteurs au centre du Japon.Le géant nippon envisagerait de plus, selon les médias, la construction d'un...
Les deux groupes ont signé un accord en vue de regrouper leurs efforts sur le terrain de la recherche sur les puces de nouvel...
Les deux groupes ont signé un accord en vue de regrouper leurs efforts sur le terrain de la recherche sur les puces de nouvel...
Toshiba a annoncé hier son intention de doubler sa production de mémoires flash NAND afin de répondre à l'explosion de la demande de ce type de composants utilisés notamment dans les appareils photo et les baladeurs numériques ou encore les clefs USB. Le groupe nippon prévoit de faire passer sa...
Selon les informations recueillies par le site Digitimes, Samsung, actuel numéro un mondial en matière de production de mémoire flash NAND, aurait l'intention de créer sa propre gamme de cartes mémoire flash et va donc désormais réserver une partie de sa production pour ses propres produits. L'activité du constructeur sur ce marché se limite en effet actuellement à la fourniture de puces de mémoire flash à des fabricants de cartes mémoires.
Sams
