Samsung vient d annoncer que des puces de mémoire NAND MLC rapides vont bientot être disponibles. La NAND MLC (Multi Layer Cell) est le type de mémoire utilisé dans certaines clés USB et les cartes mémoire des téléphones. La mémoire MLC Il existe deux types de mémoire flash NAND, la MLC et la SLC. La première stocke plusieurs bits dans un transistor (généralement deux) et est moins chère que la SLC (qui n en stocke qu un seul), mais a deux défaut
Samsung vient de présenter une technologie qui va permettre de créer des barrettes de mémoire de 4 Go à un prix plus abordable qu actuellement. La technologie permet de produire des puces de 2 gigabits (512 Mo) en empilant 4 puces de 512 mégabits de DDR2, et donc de proposer plus facilement des barrettes de mémoire de 4 Go. Des technologies de chip stacking existent déjà, mais Samsung propose un moyen de diminuer la taille physique et la comple
Samsung vient d annoncer que ce sont ses puces de memoire GDDR4 qui ont ete choisies par AMD pour les tres rares cartes Radeon HD 2900XT 1 Go et les tres decevantes cartes Radeon HD 2600XT. De la memoire tres rapide La memoire de Samsung, gravee en 80 nm, est tres rapide. Actuellement, Samsung propose des puces de 512 megabits (on doit donc en utiliser quatre sur une carte 256 Mo et seize sur une carte 1 Go). La memoire GDDR4, tres peu utilisee a
Samsung vient d'annoncer de la mémoire flash qui utilise une finesse de gravure de 30 nanomètres (actuellement, on travaille plutôt en 56 nm, avec un passage prévu en 43 nm). Pour la mémoire MLC uniquement Actuellement, Samsung utilise la technique SaDPT (Self-Aligned Double Patterning Technology) pour sa mémoire. Elle permet de graver des puces de mémoire MLC, ce qui n'est pas vraiment intéressant. En schématisant, la mémoire flash MLC (Multi
Samsung vient d'annoncer de la mémoire flash qui utilise une finesse de gravure de 30 nanomètres (actuellement, on travaille plutôt en 56 nm, avec un passage prévu en 43 nm). Pour la mémoire MLC uniquement Actuellement, Samsung utilise la technique SaDPT (Self-Aligned Double Patterning Technology) pour sa mémoire. Elle permet de graver des puces de mémoire MLC, ce qui n'est pas vraiment intéressant. En schématisant, la mémoire flash MLC (Multi
Le spécialiste de la mémoire Corsair se lance à son tour sur le marché des SSD avec un premier disque de 128 Go baptisé CMFSSD-128GBG1D.
Conçu à base de puces mémoire Samsung MLC (Multi-Level Cell), ce SSD de 128 Go affiche des vitesses de 90 Mo/s en lecture et de 70 Mo/s en écriture, ce qui [...]
Hier, Samsung a annoncé le début de la production en masse de deux versions de ses nouvelles mémoire flash NAND gravées en 30nm. Ces puces équipées de mémoire DDR (double data rate) à coeur multi niveau NAND comme la mémoire ram DDR RAM, peuvent enregistrer 2 fois plus de données par cycle et ainsi être [...]
Samsung vient de dévoiler une nouvelle puce qui promet de pousser encore plus loin la miniaturisation des téléphones portables. Le moviMCP est une puce multi-étage, qui comprend :
deux puces mémoires Flash NAND de 16 Gb chacune, pour une capacité totale de 4 Goun contoleur mémoire pour ces deux puces (interface eMMC)une puce de 1 Gb de DRAM destinée à servir de mémoire vive au processeur du téléphone2 Gb de NAND Flash destiné à contenir le s
Alors que les GeForce 9800GTX embarquaient jusqu'à présent de la mémoire GDDR3 exclusivement fabriquée par Samsung (des puces K4J52324QE en 0.8ns), il semblerait que Nvidia ait décidé de faire également appel à Hynix pour se fournir en puces de mémoire...
Alors que les GeForce 9800GTX embarquaient jusqu'à présent de la mémoire GDDR3 exclusivement fabriquée par Samsung (des puces K4J52324QE en 0.8ns), il semblerait que Nvidia ait décidé de faire également appel à Hynix pour se fournir en puces de mémoire...
Alors que les GeForce 9800GTX embarquaient jusqu'à présent de la mémoire GDDR3 exclusivement fabriquée par Samsung (des puces K4J52324QE en 0.8ns), il semblerait que Nvidia ait décidé de faire également appel à Hynix pour se fournir en puces de mémoire...
Alors que les GeForce 9800GTX embarquaient jusqu'à présent de la mémoire GDDR3 exclusivement fabriquée par Samsung (des puces K4J52324QE en 0.8ns), il semblerait que Nvidia ait décidé de faire également appel à Hynix pour se fournir en puces de mémoire...
Si de nombreuses cartes mémoire utilisent des puces de mémoire flash fabriquées par Samsung, le constructeur n?avait pas encore véritablement de produits à ses propres couleurs. C'est désormais chose faite.
Samsung vient d annoncer qu Intel a validé une partie de sa DDR3 pour le fonctionnement avec la prochaine génération de chipset. Les puces de Samsung sont disponibles avec des capacités de 512 mégabits et de 1 gigabit, ce qui promet donc des barrettes de 2 Go de DDR3. Pour le moment, seules les puces DDR3-800 et DDR3-1066 sont validées, même si Samsung a montré des modèles DDR3-1333. Une consommation plus faible Avec un équivalent SDR de 1 066 MH
Selon plusieurs sources, Samsung aurait une large quantité de puces DRAM défectueuses gravée en 66 nm.
