Samsung vient de présenter une technologie qui va permettre de créer des barrettes de mémoire de 4 Go à un prix plus abordable qu actuellement. La technologie permet de produire des puces de 2 gigabits (512 Mo) en empilant 4 puces de 512 mégabits de DDR2, et donc de proposer plus facilement des barrettes de mémoire de 4 Go. Des technologies de chip stacking existent déjà, mais Samsung propose un moyen de diminuer la taille physique et la comple
Samsung vient d annoncer que des puces de mémoire NAND MLC rapides vont bientot être disponibles. La NAND MLC (Multi Layer Cell) est le type de mémoire utilisé dans certaines clés USB et les cartes mémoire des téléphones. La mémoire MLC Il existe deux types de mémoire flash NAND, la MLC et la SLC. La première stocke plusieurs bits dans un transistor (généralement deux) et est moins chère que la SLC (qui n en stocke qu un seul), mais a deux défaut
Samsung vient d annoncer que ce sont ses puces de memoire GDDR4 qui ont ete choisies par AMD pour les tres rares cartes Radeon HD 2900XT 1 Go et les tres decevantes cartes Radeon HD 2600XT. De la memoire tres rapide La memoire de Samsung, gravee en 80 nm, est tres rapide. Actuellement, Samsung propose des puces de 512 megabits (on doit donc en utiliser quatre sur une carte 256 Mo et seize sur une carte 1 Go). La memoire GDDR4, tres peu utilisee a
Samsung vient d'annoncer de la mémoire flash qui utilise une finesse de gravure de 30 nanomètres (actuellement, on travaille plutôt en 56 nm, avec un passage prévu en 43 nm). Pour la mémoire MLC uniquement Actuellement, Samsung utilise la technique SaDPT (Self-Aligned Double Patterning Technology) pour sa mémoire. Elle permet de graver des puces de mémoire MLC, ce qui n'est pas vraiment intéressant. En schématisant, la mémoire flash MLC (Multi
Samsung vient d'annoncer de la mémoire flash qui utilise une finesse de gravure de 30 nanomètres (actuellement, on travaille plutôt en 56 nm, avec un passage prévu en 43 nm). Pour la mémoire MLC uniquement Actuellement, Samsung utilise la technique SaDPT (Self-Aligned Double Patterning Technology) pour sa mémoire. Elle permet de graver des puces de mémoire MLC, ce qui n'est pas vraiment intéressant. En schématisant, la mémoire flash MLC (Multi
Samsung a franchi une nouvelle étape en matière de miniaturisation, avec une puce à mémoire flash de 64 Go en 30 nm. On peut donc imaginer une carte mémoire de 128 Go en utilisant des puces multi-niveaux.
C’est une nouvelle technologie baptisée SaDPT (pour self-aligned double patterning technology) que Samsung a réussi cette percée, plus efficace [...]
Selon plusieurs sources, Samsung aurait une large quantité de puces DRAM défectueuses gravée en 66 nm.
Alors que les GeForce 9800GTX embarquaient jusqu'à présent de la mémoire GDDR3 exclusivement fabriquée par Samsung (des puces K4J52324QE en 0.8ns), il semblerait que Nvidia ait décidé de faire également appel à Hynix pour se fournir en puces de mémoire...
Alors que les GeForce 9800GTX embarquaient jusqu'à présent de la mémoire GDDR3 exclusivement fabriquée par Samsung (des puces K4J52324QE en 0.8ns), il semblerait que Nvidia ait décidé de faire également appel à Hynix pour se fournir en puces de mémoire...
Alors que les GeForce 9800GTX embarquaient jusqu'à présent de la mémoire GDDR3 exclusivement fabriquée par Samsung (des puces K4J52324QE en 0.8ns), il semblerait que Nvidia ait décidé de faire également appel à Hynix pour se fournir en puces de mémoire...
Alors que les GeForce 9800GTX embarquaient jusqu'à présent de la mémoire GDDR3 exclusivement fabriquée par Samsung (des puces K4J52324QE en 0.8ns), il semblerait que Nvidia ait décidé de faire également appel à Hynix pour se fournir en puces de mémoire...
Samsung vient de dévoiler une nouvelle puce qui promet de pousser encore plus loin la miniaturisation des téléphones portables. Le moviMCP est une puce multi-étage, qui comprend :
deux puces mémoires Flash NAND de 16 Gb chacune, pour une capacité totale de 4 Goun contoleur mémoire pour ces deux puces (interface eMMC)une puce de 1 Gb de DRAM destinée à servir de mémoire vive au processeur du téléphone2 Gb de NAND Flash destiné à contenir le s
Quelques jours après Samsung et ses modules de 1 Gbit de mémoire DDR2 gravés en 40 nm, c'est au tour du constructeur Hynix d'annoncer ses premières puces de 1 Gbit de mémoire DDR3, également gravées en 40 nm.Capable d'atteindre une bande passante de 213
Le spécialiste de la mémoire Corsair se lance à son tour sur le marché des SSD avec un premier disque de 128 Go baptisé CMFSSD-128GBG1D.
Conçu à base de puces mémoire Samsung MLC (Multi-Level Cell), ce SSD de 128 Go affiche des vitesses de 90 Mo/s en lecture et de 70 Mo/s en écriture, ce qui [...]
Apple commande 50 millions de puces à Samsung pour l'iphone3G :Digitimes nous apprend que, ce seraient plus de 50 millions de puces de type NAND (mémoire flash) qui auraient été commandées chez Samsung, par Apple, pour son future iPhone3G.Au mois de juin, une commande précédente de 25 millions de puces aurait,déjà été passer par Apple au Fabriquant Coréen.Au total, ce ne sont donc plusde 75 millions de puces que Apple a commandé !Lorsqu'on sait que Apple veut vendre de 10 millions d'iPhones avant la fin de cette année, cela nous indique que Steve Jobs est plutôt optimiste concernant le succès de l'iPhone3G !
