Samsung a annoncé l'arrivée de mémoire OneNAND d'une capacité de 2Go et gravée en 60nm!
Pour rappel, la mémoire OneNAND est une mémoire flash entre mémoire NOR (vitesse de lecture...
Samsung nous prouve une fois de plus qu'il est une fois de plus le leader en innovation dans le domaine de la mémoire. Cette fois-ci l'innovation concerne de le mermoire Flash puisque le constructeur coréen vient d'annoncer avoir reussi à quadruplé de la mémoire Flash NAND, il a ainsi présenté un module d’une capacité de 8 Gbits soit environ1 Go. Cette nouvelle celllule de mémoire multi-level canal (MLC) (...)
Grâce à un nouveau processus de gravure, le constructeur coréen est parvenu à doubler la densité des puces moviNAND pour produire une carte mémoire de 32 Go gravée en 30 nm.
Selon certaines sources, Toshiba pourrait dès mars 2010 débuter la production de masse de puces de mémoire flash gravée en 30 nm. Ces puces seraient produites par l'usine de Yokkaichi au Japon. Cette usine devrait par ailleurs commencer à produire en masse des puces de mémoire flash gravées en 43 nm dès le mois de mars 2008, les premiers exemplaires étant attendus pour le mois de décembre prochain. L'objectif de cette réduction de la finesse de
MOSCOU, 12 juillet - RIA Novosti. Le président tchétchène Ramzan Kadyrov a accusé la compagnie publique Rosneft, principal utilisateur du sous-sol de la république nord-caucasienne, de refuser d'investir dans le secteur pétrolier tchétchène.
MOSCOU, 2 octobre - RIA Novosti. Le président du parlement tchétchène Doukouvakha Abdourakhmanov a appelé à ne pas chercher de piste tchétchène dans l'affaire du meurtre de la journaliste Anna Politkovskaïa.
Souffrant d'un manque de vitesse en écriture, les puces de mémoire flash gravée en 32 nm de la firme coréenne sont boudées par les fabricants de SSD qui leur préfèrent les produits concurrents.
Toshiba annonce qu'il sera le premier à proposer de la mémoire Flash NAND gravée en 32 nm. Son premier produit, de la mémoire Flash NAND 4 Go, est disponible dès à présent sous forme d'échantillons.
C'est en janvier dernier que Samsung annonçait sa nouvelle mémoire flash NAND MLC (Multi-Level Cell) gravée à une finesse de 51 nm.
Aujourd'hui, la marque coréenne a fait savoir qu'elle était...
Afin de respecter la tradition de l'Islam, le président tchétchène demande d'ignorer la loi russe.
Samsung continue d'innover sur le marché de la mémoire Flash NAND en annonçant un nouveau module 8 Go MLC gravé en 30 nm et offrant une plus grande densité de stockage.
La Cour de Strasbourg pour les droits de l'homme s'est prononcée sur l'enlèvement du président du Parlement tchétchène en mai 2000, Rouslan Alikhadjiev.
Elpida vient de dévoiler une puce mémoire FBGA de 512 Mbits gravée en 70nm capable d'atteindre un taux de transfert de l'ordre de 9,6 Go/s (six fois la bande passante d'une puce mémoire DDR2-800). Pour parvenir à de telles performances, le constructeur utilise plusieurs technologies mises au point par Rambus. Le DSRL (Differential Rambus Signaling Level) élimine tout bruit et lisse le signal alors que l'ODR (Octal Data Rate), propre à la technol
Elpida vient de dévoiler une puce mémoire FBGA de 512 Mbits gravée en 70nm capable d'atteindre un taux de transfert de l'ordre de 9,6 Go/s (six fois la bande passante d'une puce mémoire DDR2-800). Pour parvenir à de telles performances, le constructeur utilise plusieurs technologies mises au point par Rambus. Le DSRL (Differential Rambus Signaling Level) élimine tout bruit et lisse le signal alors que l'ODR (Octal Data Rate), propre à la technol
Un ancien responsable local de l'administration tchétchène pro-russe, Chamil Bouraev, a été arrêté pour son implication présumée dans l'assassinat de la journaliste Anna Politkovskaïa, a rapporté samedi le quotidien Komsomolskaïa Pravda.
