Source : PC InpactToshiba annonce avoir mis au point une puce de mémoire flash de 32 Go. Pour arriver à ce résultat, ils ont empilé dans une puce 8 couches de 4 Go interconnectés par de microscopiques fils.
Avec de tels composants, pour peu que leur prix soit acceptable, Apple pourra facilement proposer des iPod Touch de 64 Go :)
Toshiba a annoncé avoir commencé à produire les premières puces de mémoire flash NAND d'une capacité de 64 Go. Pour arriver à cette densité, Toshiba a empilé 16 couches de 4 Go chacune reliées par de microscopiques fils.
Chacune de ces couches est gravée en 32nm et la puce contient son propre contrôleur ce qui facilite son intégration. La commercialisation de ces puces de 64 Go démarrera au premier trimestre 2010. Elle permettront aux constructeurs comme Apple d'augmenter de manière significative la capacité maximale de leurs appareils. On pourra ainsi avoir des iPhone dotés de 64 Go de mémoire ou des iPod Touch de 128 Go, de quoi enterrer définitivement l'iPod Classic, dinosaure de la gamme.
Toshiba vient d annoncer avoir mis au point une puce de mémoire flash regroupant plusieurs modules sous une seule enveloppe physique. Les 8 modules de mémoire flash NAND de 2 Go, gravés en 56nm, accompagnés de leur controleur forment ainsi une seule puce mémoire de 16 Go. Ce sont les téléphones mobiles, les caméras numériques ainsi que tous les périphériques embarqués gourmands en mémoire flash qui vont être contents...
Si cette puce de 16 Go dev
La société japonaise Toshiba a récemment annoncé avoir mis au point une puce de mémoire flash de 32Go et ayant une dimension de seulement 14 x 18 x 1,4mm ce qui lui permettra d'être facilement intégrée au appareil nécessitant de la mémoire telle ...
L'iPod touch 2G n'est pas qu'un iPod touch 1G avec un haut-parleur et un bouton pour le volume. EETimes a décortiqué les composants internes du baladeur et a fait deux découvertes : le fournisseur de la mémoire Flash de 8 Go est Micron et non pas Samsung (Toshiba fournit l'iPhone 3G). Deuxième changement, la présence d'une puce Broadcomm BCM4325, qui permet au baladeur d'utiliser les réseaux wifi a/b/g, le bluetooth 2.1 et même un récepteur FM ! Si la (...)
-
iPod
Samsung vient de dévoiler une nouvelle puce qui promet de pousser encore plus loin la miniaturisation des téléphones portables. Le moviMCP est une puce multi-étage, qui comprend :
deux puces mémoires Flash NAND de 16 Gb chacune, pour une capacité totale de 4 Goun contoleur mémoire pour ces deux puces (interface eMMC)une puce de 1 Gb de DRAM destinée à servir de mémoire vive au processeur du téléphone2 Gb de NAND Flash destiné à contenir le s
Samsung, le principal fournisseur de mémoire Flash d'Apple
a annoncé un nouveau modèle de mémoire flash ultra-plat, créé
spécialement pour les appareils mobiles.
La puce en question mesure 0.6mm d'épaisseur, soit 40%
plus petit que les modèles actuellement installés sur l'iPhone
3GS. La capacité de chaque puce est de 32GB
Cette puce devrait être intégrée dans la prochaine génération d'iPod
Nano, mais certains imaginent déjà cette nouvelle mémoire dans
le prochain iPhone. A savoir qu'en combinant les puces, on
pourrait atteindre jusqu'à 128 GB de mémoire dans l'iPhone 4eme
génération....
Et vous, seriez vous intéressé par un iPhone 64GB ou 128GB
?
Source : DailytechDepuis moins de deux ans, on assiste à une explosion des capacités des puces de mémoire flash permettant de proposer des produits, comme les clés USB ayant des capacités énormes (8 à 16 Go). Cette augmentation s'est essentiellement faite grâce à des gravures de plus en plus fines des composants, permettant de mettre plus de transistors sur un même espace.
Si la marge de progression est encore importante, les gravures en 45 nm étant peu utilisées et la gravure en 32 prévue, les coûts engendrés augmenteront de manière considérable alors que la pression des prix est énorme.
C'est donc tout naturellement que les fabricants de puces ont commencé à songer à empiler plusieurs couches de composants mémoire les uns sur les autres. Si l'idée est simple, le vrai défi consiste à ensuite interconnecter ces composants pour les rendre fonctionnels.
Toshiba pense avoir fait dans ce domaine une percée qui rendrait la chose aisée à industrialiser à un coût acceptable. Pour simplifier à l'extrême l'explication, Toshiba empile successivement ses couches de mémoire horizontalement et verticalement afin d'assurer leur interconnexion avec plus de facilité.
Le constructeur compte grâce à ce procédé décupler la capacité des puces mémoire sans en augmenter la taille.
Les fabricants de processeurs (bien plus complexes que des puces mémoire) planchent aussi sur cette solution d'avenir. IBM semble tenir la corde mais la difficulté est autrement plus importante pour faire de même avec le...
Source : OranewsLe marché de la NAND Flash est probablement l'un des plus concurrentiel qui soit actuellement. Les différents acteurs sont confrontés à des problèmes de surcapacité, qui les obligent à casser le prix de leurs produits pour les écouler. Le seul moyen de s'en sortir mieux que ses concurrents est de sans cesse innover pour avoir des produits que les autres n'ont pas.
La course à l'innovation se fait essentiellement sur la capacité des puces. Faute de pouvoir à l'infini graver le silicium de plus en plus fin, les fabricants de RAM ont décidé d'empiler les substrats les uns sur les autres pour gagner de la place. Dans ce domaine, Hynix semble avoir une longueur d'avance. La société a annoncé avoir réussi à créer une puce dotée de 24 couches de 2 Go de FLASH et dont la capacité totale atteint le record de 48 Go. Malgré ce nombre impressionnant de couches, son épaisseur n'est que de 1,4mm.
Hynix compte dans un avenir proche réussir à empiler 28 couches, la vraie difficulté étant dans la diminution d'épaisseur de chacune, mais surtout dans leur interconnexion, qui tient de l'exploit.
Avec ce type de puce, on pourrait dans quelques années voir arriver un iPod Shuffle doté de quelques dizaine de Go de mémoire.
Le moyen le plus courant d'augmenter la capacité d'une puce mémoire est de réduire la taille des transistors. Son principal inconvénient est de nécessiter de lourds investissements en R&D et d'être limité aux technologies existantes. Un autre, qui en est encore à ses débuts consiste à empiler des couches de transistors et à les interconnecter entre elles afin de n'en faire qu'une seule puce.C'est ce que vient de faire Samsung qui annonce une puce de 32 Go composée de 8 couches de 4 Go de données assemblées. Chaque couche est gravée en 30 nm et le tout ne mesure que 0,6 mm d'épaisseur ce qui est un exploit.Le marché visé est celui des téléphones mobiles essentiellement ou encore celui des baladeurs comme l'iPod Touch. Un jour on pourra peut-être utiliser ces puces pour fabriquer des SSD. Si l'on en met 20 dans un 2,5, il atteindra les 640 Go :)
Toshiba Corp. (TOKYO: 6502) renforce son leadership à la pointe de l'innovation
dans le développement et la fabrication de mémoires flash NAND de forte densité, en annonçant aujourd'hui les premières livraisons de puces mémoire flash NAND fabriquées avec la technologie 32nm. Les échantillons de la première génération de puces gravées en 32 nm au monde, 32-gigabit (4Go), offrant la plus forte densité de toutes les puces flash NAND, sont disponibles dès aujourd'hui, et les puces de 16Gb (2Go) seront disponibles en juillet au Japon. Les puces de 32Gb seront dans un premier temps utilisées dans les cartes mémoire et les clés USB et étendues par la suite aux produits embarqués.
Pour plus d'informations : http://www.toshiba.co.jp/about/press/2009_04/pr2702.htm
Universal Press Agency : le Fil d'Actus en Continu, indépendant et différent, peut animer et enrichir votre site Internet. Contactez-nous au 0820 821 453
Toshiba Corp. (TOKYO: 6502) renforce son leadership à la pointe de l'innovation
dans le développement et la fabrication de mémoires flash NAND de forte densité, en annonçant aujourd'hui les premières livraisons de puces mémoire flash NAND fabriquées avec la technologie 32nm. Les échantillons de la première génération de puces gravées en 32 nm au monde, 32-gigabit (4Go), offrant la plus forte densité de toutes les puces flash NAND, sont disponibles dès aujourd'hui, et les puces de 16Gb (2Go) seront disponibles en juillet au Japon. Les puces de 32Gb seront dans un premier temps utilisées dans les cartes mémoire et les clés USB et étendues par la suite aux produits embarqués.
Pour plus d'informations : http://www.toshiba.co.jp/about/press/2009_04/pr2702.htm
France Matin, toute l'information francophone en continu, autrement, différemment peut être intégré au sein de votre Intranet - contactez nous au 0820 821 453
La morosité du marché de la mémoire flash a une conséquence intéressante, elle accélère la recherche et le développement des grands fabricants qui pourront ainsi proposer des produits différents et plus coûteux.
Samsung, a ainsi annoncé avoir fabriqué la première puce de mémoire flash gravée en 30 nm. En empilant plusieurs couches de flash, on obtiendra des puces d'une capacité de 8 Go et d'une taille très réduite.
La société imagine déjà un futur proche où elle proposera des cartes mémoire contenant 16 de ces puces pour une capacité de 128 Go.
Au delà, cette finesse de gravure devrait permettre de faire exploser les capacités des disques SSD. Ensuite, ce ne sera plus qu'une question de positionnement tarifaire et de performances. Mais si on peut créer une carte mémoire, même de la taille d'une Compact Flash, on est pas loin de pouvoir fabriquer des disques SSD 2,5 dépassant le To, ce qui n'arrivera pas avant un bon moment avec les disques durs classiques.
Samsung espère démarrer la production en masse de ces puces courant 2009.
La technologie d’empilement de processeurs n’est pas nouvelle, mais des scientifiques de l’Université de Rochester ont empilé les premières puces 3D fonctionnelles seulement récemment. Contrairement aux essais précédents, qui empilaient des puces standard 2D sur plusieurs couches similaires, la nouvelle puce puce possède des composants assemblés selon une matrice 3D, avec des interconnexions entre les [...]
Toshiba présente son nouveau carré magique, une mémoire flash de type Nand de 16Go composée de 8 puces de 2Go!
Certains constructeurs comme Samsung préfèrent intégrer une unique puce c'est...
